صفحه 2 از مقایسه سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه حافظه SSD اینترنال MSI Spatium M450 PCIe 4.0 NVMe M.2 500GBبا سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی	حافظه SSD اینترنال MSI Spatium M450 PCIe 4.0 NVMe M.2 500GB	سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
میزان ظرفیت حافظه	۵۰۰ گیگابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D NAND	Samsung TLC V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۳۶۰۰ مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۲۳۰۰ مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۳۰۰ IOPS	800,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۵۵۰ IOPS	800,000IOPS
اندازه و ابعاد	M.2 (۲۲ * ۲.۱۵ * ۸۰ میلی‌متر)	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	S4LV003
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	LPDDR4
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال MSI Spatium M470 PRO PCIe 4.0 NVMe M.2 1TBبا سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ام‌اس‌آی VS Samsung

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال MSI Spatium M470 PRO PCIe 4.0 NVMe M.2 1TB	سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D NAND	Samsung TLC V-NAND
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۹۵۰۰۰۰ IOPS	800,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۹۵۰۰۰۰ IOPS	800,000IOPS
طول عمر متوسط	۶۴۰	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	-
اندازه و ابعاد	M.2 (۲۲ * ۸۰ * ۲.۱۵ میلی‌متر)	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
فناوری رمزنگاری	Yes	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	S4LV003
نرخ خواندن ترتیبی	-	6900 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	5000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	LPDDR4
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال هایپر ایکس SH103S3B/120Gبا سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

هایپرایکس VS Samsung

ویژگی	اس اس دی اینترنال هایپر ایکس SH103S3B/120G	سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
میزان ظرفیت حافظه	۱۲۰ گیگابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	Samsung TLC V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۵۵۵ مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۱۰ مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۲۰۰۰۰ IOPS	800,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۶۰۰۰۰ IOPS	800,000IOPS
طول عمر متوسط	۱۰۰۰۰۰۰ ساعت	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	-
اندازه و ابعاد	2.5" (۶۹.۸ * ۹.۵ * ۱۰۰ میلی‌متر)	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۹۷ گرم	-
رنگ‌بندی	مشکی	-
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
مواد بدنه	Aluminium	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	S4LV003
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	LPDDR4
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال کیونپ SSD-M2080-256GB-A01با سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

کیونپ VS Samsung

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال کیونپ SSD-M2080-256GB-A01	سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
میزان ظرفیت حافظه	۲۵۶ گیگابایت	512 MB
اندازه و ابعاد	M.۲	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
رنگ‌بندی	آبی	-
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung TLC V-NAND
کنترلر (Controller)	-	S4LV003
نرخ خواندن ترتیبی	-	6900 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	5000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	800,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	800,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	LPDDR4
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال هایپر ایکس SH103S3/240Gبا سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

هایپرایکس VS Samsung

ویژگی	اس اس دی اینترنال هایپر ایکس SH103S3/240G	سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
میزان ظرفیت حافظه	۲۴۰ گیگابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	Samsung TLC V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۵۵۵ مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۱۰ مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۴۰۰۰۰ IOPS	800,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۵۷۰۰۰ IOPS	800,000IOPS
طول عمر متوسط	۱۰۰۰۰۰۰ ساعت	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	-
اندازه و ابعاد	2.5" (۶۹.۸ * ۹.۵ * ۱۰۰ میلی‌متر)	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۹۷ گرم	-
رنگ‌بندی	مشکی	-
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
مواد بدنه	Aluminium	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	S4LV003
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	LPDDR4
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال هایپر ایکس SH103S3/120Gبا سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

هایپرایکس VS Samsung

ویژگی	اس اس دی اینترنال هایپر ایکس SH103S3/120G	سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
میزان ظرفیت حافظه	۱۲۰ گیگابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	Samsung TLC V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۵۵۵ مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۱۰ مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۲۰۰۰۰ IOPS	800,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۶۰۰۰۰ IOPS	800,000IOPS
طول عمر متوسط	۱۰۰۰۰۰۰ ساعت	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	-
اندازه و ابعاد	2.5" (۶۹.۸ * ۹.۵ * ۱۰۰ میلی‌متر)	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۹۷ گرم	-
رنگ‌بندی	مشکی	-
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
مواد بدنه	Aluminium	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	S4LV003
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	LPDDR4
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه SSD اینترنال لنوو 4XB7A80318با سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

لنوو VS Samsung

ویژگی	SSD اینترنال لنوو 4XB7A80318	سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
میزان ظرفیت حافظه	۹۶۰ گیگابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND TLC	Samsung TLC V-NAND
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۴۲۰۰۰۰ IOPS	800,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۶۰۰۰۰ IOPS	800,000IOPS
طول عمر متوسط	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	-
اندازه و ابعاد	2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۱۵ میلی‌متر)	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۱۶۰ گرم	-
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	S4LV003
نرخ خواندن ترتیبی	-	6900 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	5000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	LPDDR4
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال گودرام مدل IRDM PROبا سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

گودرم VS Samsung

ویژگی	اس اس دی اینترنال گودرام مدل IRDM PRO	سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D TLC	Samsung TLC V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۷۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۵۰۰ مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۳۵۰۰۰۰ IOPS	800,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۷۰۰۰۰۰ IOPS	800,000IOPS
طول عمر متوسط	۷۰۰	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	-
اندازه و ابعاد	M.۲	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
فناوری رمزنگاری	No	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	S4LV003
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	LPDDR4
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2با سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

گودرم VS Samsung

ویژگی	اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2	سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
میزان ظرفیت حافظه	۲۵۶ گیگابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D TLC NAND	Samsung TLC V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۴۸۰ مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۶۵۰۰۰ IOPS	800,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۶۱۴۴۰ IOPS	800,000IOPS
طول عمر متوسط	۱۸۰	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	-
اندازه و ابعاد	2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۶۹.۸ میلی‌متر)	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	No	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	S4LV003
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	LPDDR4
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا SSD اینترنال سیگیت مدل BarraCuda Q1

Samsung VS سی‌گیت

ویژگی	سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	SSD اینترنال سیگیت مدل BarraCuda Q1
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung TLC V-NAND	QLC ۳D NAND
کنترلر (Controller)	S4LV003	-
نرخ خواندن ترتیبی	6900 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	800,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	800,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	LPDDR4	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS	RoHS
اندازه و ابعاد	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر	2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۷.۱ میلی‌متر)
طول عمر متوسط	-	۱۸۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
وزن محصول	-	۴۰ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا SSD اینترنال 135398

Samsung VS Samsung

ویژگی	سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	SSD اینترنال 135398
نوع کاربری حافظه	حافظه فلش NAND	اینترنال
پورت اتصال حافظه	M.2 2280	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen 4x4 / PCIe Gen 5x2	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
شیوه اتصال	NVMe	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	512 MB
نرخ خواندن ترتیبی	7150 مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
مشخصات حافظه فلش (Flash)	آخرین حافظه NAND	Samsung TLC V-NAND
کنترلر (Controller)	کنترلر با روکش نیکل	S4LV003
سیستم‌عامل‌های سازگار	کامپیوتر شخصی، لپ‌تاپ	-
قابلیت‌های جانبی	فناوری HMB، Intelligent Turbowrite 2.0	-
فناوری رمزنگاری		-
اندازه و ابعاد	M.2 2280	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
محتویات جعبه	SSD (MZ-V9S1T0B/AM)	-
طراحی و ابعاد دستگاه	فرم فاکتور M.2 2280	2280 M.2
میزان توان مصرفی	کارآمد	-
نرخ نوشتن ترتیبی	-	5000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	800,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	800,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	LPDDR4
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا SSD اینترنال 135397

Crucial VS Samsung

ویژگی	سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	SSD اینترنال 135397
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	M.2	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	NVMe PCIe Gen4 x4	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
شیوه اتصال	PCIe Gen4 NVMe	-
نرخ خواندن ترتیبی	تا 7,100 مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	تا 6,000 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron G8 NAND	Samsung TLC V-NAND
سیستم‌عامل‌های سازگار	Windows، لپ‌تاپ‌ها، دسک‌تاپ‌ها، کنسول‌های بازی دستی منتخب (ROG Ally X، Lenovo Legion Go، AYANEO Kun)	-
قابلیت‌های جانبی	نرم‌افزار بازیابی اطلاعات Acronis، کنترل حرارتی	-
اندازه و ابعاد	M.2 2280	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
محتویات جعبه	مجوز/کلید نرم‌افزار بازیابی اطلاعات Acronis	-
طراحی و ابعاد دستگاه	فرم فاکتور M.2 2280	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	-	512 MB
کنترلر (Controller)	-	S4LV003
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	800,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	800,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	LPDDR4
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه