صفحه 6 از مقایسه سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایتبا تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی	سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایت	تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	128 MB	512 MB
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	64,000IOPS	350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	220,000IOPS	300,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت / 1 آمپر	3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Toshiba 64-Layer 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	-	Phison E12
نوع حافظه DRAM	-	DDR4
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
اندازه و ابعاد	-	12.9 * 23.4 * 80.1 میلی‌متر
وزن محصول	-	45 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ PM1643a SATA 2.5 Inch ظرفیت 3.84 ترابایتبا سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایت

Samsung VS Samsung

ویژگی	سامسونگ PM1643a SATA 2.5 Inch ظرفیت 3.84 ترابایت	سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12.0 Gbps	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	3.84 ترابایت	128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC	-
کنترلر (Controller)	Native SAS 3.0	-
نرخ خواندن ترتیبی	2100 مگابایت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	1000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	450,000IOPS	64,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	220,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
وزن محصول	160 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت / 1 آمپر

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایتبا سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایت

Samsung VS Samsung

ویژگی	سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت	سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen 3.0 x4 / NVMe 1.2b	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	M.2 22110	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	960 MB	128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	-
کنترلر (Controller)	Phoenix	-
نرخ خواندن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1200 مگابایت بر ثانیه	1000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	64,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	38,000IOPS	220,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	Samsung 1.5 GB LPDDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1366 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	8 وات * حالت فعال ** 2.6 وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	پشتیبانی از WWN پشتیبانی از Garbage Collection مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه	-
اندازه و ابعاد	38 × 22 × 110.2 ميلی‌متر	-
وزن محصول	20 گرم	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت / 1 آمپر
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایتبا سیلیکون پاور Ace A55 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

Samsung VS سیلیکون پاور

ویژگی	سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایت	سیلیکون پاور Ace A55 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	128 MB	2 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	64,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	220,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت / 1 آمپر	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D TLC
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	1,500,000 (MTBF) ساعت
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم اصلاح خطا (ECC) فناوری Smart Response اینتل قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه نرم‌افزار SP Toolbox

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایتبا ایکس انرژی FALCON SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

Samsung VS ایکس انرژی

ویژگی	سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایت	ایکس انرژی FALCON SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	128 MB	480 MB
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	64,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	220,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت / 1 آمپر	5 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	TLC
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	2,000,000 (MTBF) ساعت
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر حداکثر 16G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

Samsung VS ام جی

ویژگی	سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایت	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	128 MB	256 MB
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	850 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	64,000IOPS	200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	220,000IOPS	200,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت / 1 آمپر	3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	-	Phison E12
نوع حافظه DRAM	-	NANYA DDR3L
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 380 ترابایت (TBW)
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG Pyrite
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه
اندازه و ابعاد	-	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	-	6 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایتبا وسترن دیجیتال Red SA500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

Samsung VS وسترن دیجیتال

ویژگی	سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایت	وسترن دیجیتال Red SA500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	128 MB	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	64,000IOPS	95,000ّIOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	220,000IOPS	85,000ّIOPS
حافظه DRAM	false	true
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت / 1 آمپر	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	SanDisk BiCS3 64L TLC
کنترلر (Controller)	-	Marvell 88SS1074
نوع حافظه DRAM	-	DDR3
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	2,000,000 ساعت (MTTF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	60 میلی‌وات * حالت فعال ** 2.55 وات * حالت خواندن ** 3.75 وات * حالت نوشتن ** 56 میلی‌وات * حالت Slumber ** 5 تا 12 میلی‌وات * حالت DevSlp
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	FCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCI
اندازه و ابعاد	-	7 × 69.85 × 100.2 ميلی‌متر
وزن محصول	-	37.4 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ PM883 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایتبا سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایت

Samsung VS Samsung

ویژگی	سامسونگ PM883 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت	سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6 Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	240 MB	128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung 64 layer TLC 3D V-NAND	-
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	1000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	98,000IOPS	64,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	25,000IOPS	220,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
میزان توان مصرفی	1.3 وات * حالت Idle ** 2.7 وات * حالت فعال	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
قابلیت‌های جانبی	قابلیت به‌ کارگیری به صورت 24 ساعته	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت / 1 آمپر

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایتبا سیلیکون پاور Ace A58 SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

Samsung VS سیلیکون پاور

ویژگی	سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایت	سیلیکون پاور Ace A58 SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	128 MB	128 MB
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	460 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	360 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	64,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	220,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	true
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت / 1 آمپر	5 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
نشانگر وضعیت LED	false	-
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D NAND
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	1,500,000 (MTBF) ساعت
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم اصلاح خطا (ECC) فناوری Smart Response اینتل ** نرم‌افزار SP Toolbox
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE / FCC / ROHS / BSMI / C-TICK / KC / EAC
اندازه و ابعاد	-	7 * 69.9 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	-	63 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایتبا سامسونگ PM991a NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

Samsung VS Samsung

ویژگی	سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایت	سامسونگ PM991a NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	128 MB	512 MB
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	3100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	64,000IOPS	350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	220,000IOPS	320,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت / 1 آمپر	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D TLC NAND

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ PM893 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایتبا سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایت

Samsung VS Samsung

ویژگی	سامسونگ PM893 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت	سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	480 MB	128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND TLC	-
کنترلر (Controller)	Samsung Metis Controller	-
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	1000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	93,000IOPS	64,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	30,000IOPS	220,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	3.3 ولت / 1 آمپر
طول عمر متوسط	2,000,000 (MTBF) ساعت	-
میزان توان مصرفی	2.1 وات (خواندن) 3.2 (نوشتن) 1.5 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit Encryption (Class 0)	-
قابلیت‌های جانبی	مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه	-
اندازه و ابعاد	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر	-
وزن محصول	70 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایتبا ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

Samsung VS ترنسند

ویژگی	سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایت	ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	128 MB	512 MB
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	1700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	1400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	64,000IOPS	160,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	220,000IOPS	250,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت / 1 آمپر	3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
نشانگر وضعیت LED	false	-
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D NAND
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.31 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Transcend SSD Scope
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, BSMI, KC, RCM
اندازه و ابعاد	-	3.58 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	-	8 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه