صفحه 5 از مقایسه سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A14049با سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایت

ویژگی	اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A14049	سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایت
میزان ظرفیت حافظه	۲۴۰ گیگابایت	128 MB
نرخ خواندن ترتیبی	۵۴۰ مگابایت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۲۵۰ مگابایت بر ثانیه	1000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۷۸۰۰۰ IOPS	64,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۲۶۰۰۰ IOPS	220,000IOPS
اندازه و ابعاد	M.۲	-
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۲.۰	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	No	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
حافظه DRAM	-	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت / 1 آمپر
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	false
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2230 کینگستون NV3 500 گیگابایتبا سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایت

کینگستون VS Samsung

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2230 کینگستون NV3 500 گیگابایت	سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایت
میزان ظرفیت حافظه	۵۰۰ گیگابایت	128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D NAND	-
نرخ خواندن ترتیبی	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۳۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	1000 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۱۶۰	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	-
اندازه و ابعاد	2230 (22 x 30 mm) (۳۰ * ۲۲ * ۲.۳ میلی‌متر)	-
وزن محصول	۲.۶ گرم	-
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	64,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	220,000IOPS
حافظه DRAM	-	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت / 1 آمپر
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	false
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPNبا سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایت

دِل VS Samsung

ویژگی	اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPN	سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایت
میزان ظرفیت حافظه	۱.۶ ترابایت	128 MB
اندازه و ابعاد	۲.۵"	-
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	Yes	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
نرخ خواندن ترتیبی	-	2000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	1000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	64,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	220,000IOPS
حافظه DRAM	-	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت / 1 آمپر
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	false
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVOبا سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایت

سامسونگ VS Samsung

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVO	سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۳.۰	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	Yes	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND MLC	-
نرخ خواندن ترتیبی	۳۴۰۰ مگابایت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۲۵۰۰ مگابایت بر ثانیه	1000 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۳.۳ V	3.3 ولت / 1 آمپر
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	-
اندازه و ابعاد	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)	-
وزن محصول	۸ گرم	-
رنگ‌بندی	مشکی	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	64,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	220,000IOPS
حافظه DRAM	-	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایت

کینگستون VS Samsung

ویژگی	SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایت
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D NAND	-
نرخ خواندن ترتیبی	۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	1000 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۶۴۰	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	-
اندازه و ابعاد	2230 (22 x 30 mm) (۳۰ * ۲۲ * ۲.۳ میلی‌متر)	-
وزن محصول	۲.۸ گرم	-
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	64,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	220,000IOPS
حافظه DRAM	-	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت / 1 آمپر
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	false
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVOبا سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایت

سامسونگ VS Samsung

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO	سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایت
فناوری رمزنگاری	Yes	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
میزان ظرفیت حافظه	۲۵۰ گیگابایت	128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND MLC	-
نرخ خواندن ترتیبی	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه	1000 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	-
اندازه و ابعاد	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)	-
وزن محصول	۸ گرم	-
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	64,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	220,000IOPS
حافظه DRAM	-	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت / 1 آمپر
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)با سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایت

سامسونگ VS Samsung

ویژگی	اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)	سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایت
فناوری رمزنگاری	Yes	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	QLC	-
نرخ خواندن ترتیبی	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه	1000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۹۸۰۰۰ IOPS	64,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۸۸۰۰۰ IOPS	220,000IOPS
طول عمر متوسط	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۵ V	3.3 ولت / 1 آمپر
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	-
اندازه و ابعاد	2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)	-
وزن محصول	۴۶ گرم	-
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
حافظه DRAM	-	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایتبا SSD اینترنال سیگیت مدل BarraCuda Q1

Samsung VS سی‌گیت

ویژگی	سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایت	SSD اینترنال سیگیت مدل BarraCuda Q1
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	128 MB	۹۶۰ گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	64,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	220,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت / 1 آمپر	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
نشانگر وضعیت LED	false	-
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	QLC ۳D NAND
طول عمر متوسط	-	۱۸۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	-	2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۷.۱ میلی‌متر)
وزن محصول	-	۴۰ گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایتبا سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایت

Samsung VS Samsung

ویژگی	سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت	سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung 3-bit 2D TLC NAND	-
کنترلر (Controller)	Samsung MGX	-
نرخ خواندن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	1000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	97,000IOPS	64,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	88,000IOPS	220,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	256MB DDR3	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	3.7 وات به صورت میانگین ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
اندازه و ابعاد	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر	-
وزن محصول	45 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت / 1 آمپر

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایتبا سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

Samsung VS سیلیکون پاور

ویژگی	سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایت	سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	128 MB	512 MB
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	64,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	220,000IOPS	600,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت / 1 آمپر	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Toshiba BiCS3 64L TLC
کنترلر (Controller)	-	Phison E12
نوع حافظه DRAM	-	DDR4
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	1655 (TBW) ترابایت
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 8.1 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC
اندازه و ابعاد	-	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	-	8 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایتبا توین موس SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

Samsung VS توین موس

ویژگی	سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایت	توین موس SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	128 MB	128 MB
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	580 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	64,000IOPS	76,800IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	220,000IOPS	74,240IOPS
حافظه DRAM	false	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت / 1 آمپر	3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Micron 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	-	SMI
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 125 ترابایت (TBW)
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز XP و بالاتر مک نسخه 10.1 و بالاتر لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, cTUVus, RoHS
اندازه و ابعاد	-	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	-	10 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایتبا ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

Samsung VS ترنسند

ویژگی	سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایت	ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	128 MB	256 MB
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	1600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	1100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	64,000IOPS	250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	220,000IOPS	90,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت / 1 آمپر	3.3 ولت / 1.5 آمپر
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	THGDU3B-1D03 3D NAND
کنترلر (Controller)	-	Silicon Motion SM2263XT
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.31 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Transcend SSD Scope
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, BSMI, KC, RCM
اندازه و ابعاد	-	3.58 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	-	8 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه