مقایسه سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایتبا سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 250 MB 128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung 3-bit 2D TLC NAND -
کنترلر (Controller) Samsung MGX -
نرخ خواندن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 1000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 97,000IOPS 64,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS 220,000IOPS
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 256MB DDR3 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 3.7 وات به صورت میانگین ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
اندازه و ابعاد 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر -
وزن محصول 45 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت / 1 آمپر

مقایسه سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایتبا سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایت

سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 512 MB
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 64,000IOPS 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 220,000IOPS 600,000IOPS
حافظه DRAM false true
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت / 1 آمپر -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Toshiba BiCS3 64L TLC
کنترلر (Controller) - Phison E12
نوع حافظه DRAM - DDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1655 (TBW) ترابایت
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 8.1 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC
اندازه و ابعاد - 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول - 8 گرم

مقایسه سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایتبا توین موس SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایت

توین موس SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 128 MB
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 580 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 64,000IOPS 76,800IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 220,000IOPS 74,240IOPS
حافظه DRAM false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت / 1 آمپر 3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Micron 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) - SMI
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 125 ترابایت (TBW)
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز XP و بالاتر ** مک نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, cTUVus, RoHS
اندازه و ابعاد - 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول - 10 گرم

مقایسه سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایتبا ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایت

ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 256 MB
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 1600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 1100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 64,000IOPS 250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 220,000IOPS 90,000IOPS
حافظه DRAM false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت / 1 آمپر 3.3 ولت / 1.5 آمپر
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - THGDU3B-1D03 3D NAND
کنترلر (Controller) - Silicon Motion SM2263XT
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.31 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Transcend SSD Scope
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, BSMI, KC, RCM
اندازه و ابعاد - 3.58 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول - 8 گرم

مقایسه سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایتبا تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایت

تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 512 MB
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 64,000IOPS 350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 220,000IOPS 300,000IOPS
حافظه DRAM false true
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت / 1 آمپر 3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Toshiba 64-Layer 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) - Phison E12
نوع حافظه DRAM - DDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
اندازه و ابعاد - 12.9 * 23.4 * 80.1 میلی‌متر
وزن محصول - 45 گرم

مقایسه سامسونگ PM1643a SATA 2.5 Inch ظرفیت 3.84 ترابایتبا سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ PM1643a SATA 2.5 Inch ظرفیت 3.84 ترابایت

سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SAS PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SAS 12.0 Gbps PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 3.84 ترابایت 128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC -
کنترلر (Controller) Native SAS 3.0 -
نرخ خواندن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 1000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 450,000IOPS 64,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS 220,000IOPS
حافظه DRAM false false
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
وزن محصول 160 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت / 1 آمپر

مقایسه سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایتبا سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen 3.0 x4 / NVMe 1.2b PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه M.2 22110 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 960 MB 128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC -
کنترلر (Controller) Phoenix -
نرخ خواندن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1200 مگابایت بر ثانیه 1000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 400,000IOPS 64,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 38,000IOPS 220,000IOPS
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM Samsung 1.5 GB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1366 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 8 وات * حالت فعال ** 2.6 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
مجوزها و تاییدیه‌ها پشتیبانی از WWN ** پشتیبانی از Garbage Collection ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه -
اندازه و ابعاد 38 × 22 × 110.2 ميلی‌متر -
وزن محصول 20 گرم -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت / 1 آمپر
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایتبا سیلیکون پاور Ace A55 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایت

سیلیکون پاور Ace A55 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 2 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 64,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 220,000IOPS -
حافظه DRAM false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت / 1 آمپر -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - 3D TLC
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,500,000 (MTBF) ساعت
قابلیت‌های جانبی - پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** فناوری Smart Response اینتل ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** نرم‌افزار SP Toolbox

مقایسه سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایتبا ایکس انرژی FALCON SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایت

ایکس انرژی FALCON SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 480 MB
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 64,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 220,000IOPS -
حافظه DRAM false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت / 1 آمپر 5 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - TLC
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 2,000,000 (MTBF) ساعت
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر حداکثر 16G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه

مقایسه سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایت

تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 256 MB
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 2700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 850 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 64,000IOPS 200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 220,000IOPS 200,000IOPS
حافظه DRAM false true
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت / 1 آمپر 3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) - Phison E12
نوع حافظه DRAM - NANYA DDR3L
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 380 ترابایت (TBW)
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG Pyrite
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه
اندازه و ابعاد - 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول - 6 گرم

مقایسه سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایتبا وسترن دیجیتال Red SA500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایت

وسترن دیجیتال Red SA500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 64,000IOPS 95,000ّIOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 220,000IOPS 85,000ّIOPS
حافظه DRAM false true
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت / 1 آمپر -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - SanDisk BiCS3 64L TLC
کنترلر (Controller) - Marvell 88SS1074
نوع حافظه DRAM - DDR3
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTTF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 60 میلی‌وات * حالت فعال ** 2.55 وات * حالت خواندن ** 3.75 وات * حالت نوشتن ** 56 میلی‌وات * حالت Slumber ** 5 تا 12 میلی‌وات * حالت DevSlp
مجوزها و تاییدیه‌ها - FCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCI
اندازه و ابعاد - 7 × 69.85 × 100.2 ميلی‌متر
وزن محصول - 37.4 گرم

مقایسه سامسونگ PM883 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایتبا سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ PM883 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6 Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 240 MB 128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung 64 layer TLC 3D V-NAND -
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 1000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 98,000IOPS 64,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 25,000IOPS 220,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
میزان توان مصرفی 1.3 وات * حالت Idle ** 2.7 وات * حالت فعال -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت‌های جانبی قابلیت به‌ کارگیری به صورت 24 ساعته -
نشانگر وضعیت LED false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت / 1 آمپر