مقایسه سامسونگ Mzplj3t2hbjr-00007 Pm1735 ظرفیت 3.2 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه سامسونگ Mzplj3t2hbjr-00007 Pm1735 ظرفیت 3.2 ترابایتبا SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120

ویژگی	سامسونگ Mzplj3t2hbjr-00007 Pm1735 ظرفیت 3.2 ترابایت	SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x8 / NVMe	No
طراحی و ابعاد دستگاه	HHHL	-
میزان ظرفیت حافظه	3.2 ترابایت	۱ ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	8000 مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3800 مگابایت بر ثانیه	۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	1,500,000IOPS	۱۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	250,000IOPS	۹۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	false	-
میزان توان مصرفی	14 W	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه	-
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	۳D TLC
طول عمر متوسط	-	۱۴۰۰
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	-	2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۳ * ۷.۱ میلی‌متر)
وزن محصول	-	۵۰ گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه SSD اینترنال پری دیتور مدل GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ Mzplj3t2hbjr-00007 Pm1735 ظرفیت 3.2 ترابایت

پردیتور VS Samsung

ویژگی	SSD اینترنال پری دیتور مدل GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ Mzplj3t2hbjr-00007 Pm1735 ظرفیت 3.2 ترابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 4.0 x8 / NVMe
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	3.2 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	۷۲۰۰ مگابایت بر ثانیه	8000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۶۳۰۰ مگابایت بر ثانیه	3800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۹۲۵۰۰۰ IOPS	1,500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۹۷۴۰۰۰ IOPS	250,000IOPS
طول عمر متوسط	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	-
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۲.۲ میلی‌متر)	-
وزن محصول	۷ گرم	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), KCC, RCM, RoHS, VCCI	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	HHHL
حافظه DRAM	-	false
میزان توان مصرفی	-	14 W
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ Mzplj3t2hbjr-00007 Pm1735 ظرفیت 3.2 ترابایتبا SSD اینترنال سیگیت مدل BarraCuda Q1

Samsung VS سی‌گیت

ویژگی	سامسونگ Mzplj3t2hbjr-00007 Pm1735 ظرفیت 3.2 ترابایت	SSD اینترنال سیگیت مدل BarraCuda Q1
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x8 / NVMe	-
طراحی و ابعاد دستگاه	HHHL	-
میزان ظرفیت حافظه	3.2 ترابایت	۹۶۰ گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	8000 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3800 مگابایت بر ثانیه	۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	1,500,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	250,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	-
میزان توان مصرفی	14 W	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه	-
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	QLC ۳D NAND
طول عمر متوسط	-	۱۸۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	-	2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۷.۱ میلی‌متر)
وزن محصول	-	۴۰ گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ Mzplj3t2hbjr-00007 Pm1735 ظرفیت 3.2 ترابایتبا SSD اینترنال 135396

Samsung VS Samsung

ویژگی	سامسونگ Mzplj3t2hbjr-00007 Pm1735 ظرفیت 3.2 ترابایت	SSD اینترنال 135396
نوع کاربری حافظه	اینترنال	SSD داخلی
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	M.2 2280
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x8 / NVMe	PCIe 4.0 x4 NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه	HHHL	فرم فاکتور M.2 2280
میزان ظرفیت حافظه	3.2 ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	8000 مگابایت بر ثانیه	تا 7,450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3800 مگابایت بر ثانیه	تا 6,900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	1,500,000IOPS	تا 1,400 هزار عملیات ورودی/خروجی در ثانیه
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	250,000IOPS	تا 1,550 هزار عملیات ورودی/خروجی در ثانیه
حافظه DRAM	false	بله
میزان توان مصرفی	14 W	عملکرد بهبود یافته به ازای هر وات نسبت به 980 PRO
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	بله
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	بله
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	بله
قابلیت‌های جانبی	مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه	نرم‌افزار Samsung Magician، کنترل حرارتی هوشمند، سازگار با PS5
شیوه اتصال	-	M.2 NVMe PCIe 4.0
محدوده دمای عملیاتی	-	0 درجه سانتیگراد تا 70 درجه سانتیگراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND
کنترلر (Controller)	-	Samsung Elpis Controller
طول عمر متوسط	-	نامشخص (TBW در ویژگی‌های خام مشخص نشده است)
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	Windows، macOS، Linux (با پشتیبانی NVMe)
فناوری رمزنگاری	-	رمزگذاری AES 256 بیتی
رنگ‌بندی	-	سیاه
اندازه و ابعاد	-	M.2 2280 (80 میلی‌متر × 22 میلی‌متر × 2.38 میلی‌متر)
وزن محصول	-	تقریباً 8.0 گرم
محتویات جعبه	-	SSD، راهنمای نصب، راهنمای گارانتی

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90886با سامسونگ Mzplj3t2hbjr-00007 Pm1735 ظرفیت 3.2 ترابایت

لنوو VS Samsung

ویژگی	اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90886	سامسونگ Mzplj3t2hbjr-00007 Pm1735 ظرفیت 3.2 ترابایت
میزان ظرفیت حافظه	۱.۹۲ ترابایت	3.2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND TLC	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۸۲۰۰۰ IOPS	1,500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۴۷۵۰۰ IOPS	250,000IOPS
طول عمر متوسط	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	-
اندازه و ابعاد	2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر)	-
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	No	PCIe 4.0 x8 / NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	No	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
طراحی و ابعاد دستگاه	-	HHHL
نرخ خواندن ترتیبی	-	8000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	3800 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	-	false
میزان توان مصرفی	-	14 W
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A14049با سامسونگ Mzplj3t2hbjr-00007 Pm1735 ظرفیت 3.2 ترابایت

لنوو VS Samsung

ویژگی	اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A14049	سامسونگ Mzplj3t2hbjr-00007 Pm1735 ظرفیت 3.2 ترابایت
میزان ظرفیت حافظه	۲۴۰ گیگابایت	3.2 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	۵۴۰ مگابایت بر ثانیه	8000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۲۵۰ مگابایت بر ثانیه	3800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۷۸۰۰۰ IOPS	1,500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۲۶۰۰۰ IOPS	250,000IOPS
اندازه و ابعاد	M.۲	-
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۲.۰	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	No	PCIe 4.0 x8 / NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	-	HHHL
حافظه DRAM	-	false
میزان توان مصرفی	-	14 W
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVOبا سامسونگ Mzplj3t2hbjr-00007 Pm1735 ظرفیت 3.2 ترابایت

سامسونگ VS Samsung

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO	سامسونگ Mzplj3t2hbjr-00007 Pm1735 ظرفیت 3.2 ترابایت
فناوری رمزنگاری	Yes	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
میزان ظرفیت حافظه	۲۵۰ گیگابایت	3.2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND MLC	-
نرخ خواندن ترتیبی	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه	8000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه	3800 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	-
اندازه و ابعاد	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)	-
وزن محصول	۸ گرم	-
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 4.0 x8 / NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه	-	HHHL
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	1,500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	250,000IOPS
حافظه DRAM	-	false
میزان توان مصرفی	-	14 W
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ Mzplj3t2hbjr-00007 Pm1735 ظرفیت 3.2 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S

Samsung VS سی‌گیت

ویژگی	سامسونگ Mzplj3t2hbjr-00007 Pm1735 ظرفیت 3.2 ترابایت	اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x8 / NVMe	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	HHHL	-
میزان ظرفیت حافظه	3.2 ترابایت	۱۵ ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	8000 مگابایت بر ثانیه	۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3800 مگابایت بر ثانیه	۷۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	1,500,000IOPS	۱۷۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	250,000IOPS	۱۹۵۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	false	-
میزان توان مصرفی	14 W	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	-
قابلیت‌های جانبی	مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه	-
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	۳D eTLC
طول عمر متوسط	-	۲۵۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۱۲ V
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	-	2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۱۴.۹ میلی‌متر)
وزن محصول	-	۲۰۵ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی سازمانی کینگستون 3.84 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMeبا سامسونگ Mzplj3t2hbjr-00007 Pm1735 ظرفیت 3.2 ترابایت

کینگستون VS Samsung

ویژگی	اس اس دی سازمانی کینگستون 3.84 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe	سامسونگ Mzplj3t2hbjr-00007 Pm1735 ظرفیت 3.2 ترابایت
فناوری رمزنگاری	Yes	-
میزان ظرفیت حافظه	۳.۸۴ ترابایت	3.2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D eTLC	-
نرخ خواندن ترتیبی	۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	8000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۸۰۰ مگابایت بر ثانیه	3800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۲۷۰۰۰۰۰ IOPS	1,500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۳۰۰۰۰۰ IOPS	250,000IOPS
طول عمر متوسط	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	-
اندازه و ابعاد	U.2 (۶۹.۸ * ۱۰۰.۵ * ۱۴.۸ میلی‌متر)	-
وزن محصول	۱۴۶.۲ گرم	-
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۵.۰	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 4.0 x8 / NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	-	HHHL
حافظه DRAM	-	false
میزان توان مصرفی	-	14 W
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)با سامسونگ Mzplj3t2hbjr-00007 Pm1735 ظرفیت 3.2 ترابایت

سامسونگ VS Samsung

ویژگی	اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)	سامسونگ Mzplj3t2hbjr-00007 Pm1735 ظرفیت 3.2 ترابایت
فناوری رمزنگاری	Yes	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
میزان ظرفیت حافظه	۴ ترابایت	3.2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND MLC	-
نرخ خواندن ترتیبی	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه	8000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه	3800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۹۸۰۰۰ IOPS	1,500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۸۸۰۰۰ IOPS	250,000IOPS
طول عمر متوسط	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۵ V	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	-
اندازه و ابعاد	2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)	-
وزن محصول	۴۶ گرم	-
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 4.0 x8 / NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه	-	HHHL
حافظه DRAM	-	false
میزان توان مصرفی	-	14 W
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI818با سامسونگ Mzplj3t2hbjr-00007 Pm1735 ظرفیت 3.2 ترابایت

برند نامشخص VS Samsung

ویژگی	اس اس دی اینترنال AGI Technology AI818	سامسونگ Mzplj3t2hbjr-00007 Pm1735 ظرفیت 3.2 ترابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 4.0 x8 / NVMe
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	3.2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D NAND	-
نرخ خواندن ترتیبی	۵۲۰۰ مگابایت بر ثانیه	8000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۴۷۰۰ مگابایت بر ثانیه	3800 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۱۲۰۰	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۳.۳ V	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	-
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۱ میلی‌متر)	-
وزن محصول	۷.۵ گرم	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	HHHL
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	1,500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	250,000IOPS
حافظه DRAM	-	false
میزان توان مصرفی	-	14 W
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 رمزگذاری خودکار 1 ترابایت iStorage Kanguru Defender SED30با سامسونگ Mzplj3t2hbjr-00007 Pm1735 ظرفیت 3.2 ترابایت

آی‌استوریج VS Samsung

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 رمزگذاری خودکار 1 ترابایت iStorage Kanguru Defender SED30	سامسونگ Mzplj3t2hbjr-00007 Pm1735 ظرفیت 3.2 ترابایت
فناوری رمزنگاری	Yes	-
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	3.2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D TLC	-
نرخ خواندن ترتیبی	۷۲۰۰ مگابایت بر ثانیه	8000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۶۵۰۰ مگابایت بر ثانیه	3800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۱۰۰۰۰۰۰ IOPS	1,500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۱۰۰۰۰۰۰ IOPS	250,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	-
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ میلی‌متر * ۸۰ میلی‌متر)	-
وزن محصول	۱۴ گرم	-
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 4.0 x8 / NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	-	HHHL
حافظه DRAM	-	false
میزان توان مصرفی	-	14 W
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه

مشاهده جزئیات مقایسه