مقایسه سامسونگ Mzplj3t2hbjr-00007 Pm1735 ظرفیت 3.2 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه سامسونگ Mzplj3t2hbjr-00007 Pm1735 ظرفیت 3.2 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000

ویژگی	سامسونگ Mzplj3t2hbjr-00007 Pm1735 ظرفیت 3.2 ترابایت	اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۳.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x8 / NVMe	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	HHHL	-
میزان ظرفیت حافظه	3.2 ترابایت	۱.۹۲ ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	8000 مگابایت بر ثانیه	-
نرخ نوشتن ترتیبی	3800 مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	1,500,000IOPS	۲۴۵۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	250,000IOPS	۲۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	false	-
میزان توان مصرفی	14 W	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	-
قابلیت‌های جانبی	مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه	-
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	۳D cMLC
طول عمر متوسط	-	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
اندازه و ابعاد	-	M.2 (۲۲ * ۱۱۰ * ۲ میلی‌متر)
وزن محصول	-	۱۴ گرم
رنگ‌بندی	-	Black, Green

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ Mzplj3t2hbjr-00007 Pm1735 ظرفیت 3.2 ترابایت

Samsung VS Samsung

ویژگی	سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	سامسونگ Mzplj3t2hbjr-00007 Pm1735 ظرفیت 3.2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2	PCIe 4.0 x8 / NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	HHHL
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	3.2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung 48-Layer MLC V-NAND	-
کنترلر (Controller)	Samsung Polaris	-
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	8000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2100 مگابایت بر ثانیه	3800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	330,000IOPS	1,500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	330,000IOPS	250,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	512MB LP DDR3	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	5.1 وات * حالت خواندن ** 4.7 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	14 W
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	-
وزن محصول	8.3 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	-
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300با سامسونگ Mzplj3t2hbjr-00007 Pm1735 ظرفیت 3.2 ترابایت

گیگابایت VS Samsung

ویژگی	SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300	سامسونگ Mzplj3t2hbjr-00007 Pm1735 ظرفیت 3.2 ترابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 4.0 x8 / NVMe
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	Yes	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	3.2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D TLC NAND	-
نرخ خواندن ترتیبی	۷۳۰۰ مگابایت بر ثانیه	8000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	3800 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۷۰۰	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	-
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر)	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	HHHL
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	1,500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	250,000IOPS
حافظه DRAM	-	false
میزان توان مصرفی	-	14 W
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVOبا سامسونگ Mzplj3t2hbjr-00007 Pm1735 ظرفیت 3.2 ترابایت

سامسونگ VS Samsung

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO	سامسونگ Mzplj3t2hbjr-00007 Pm1735 ظرفیت 3.2 ترابایت
فناوری رمزنگاری	Yes	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
میزان ظرفیت حافظه	۲۵۰ گیگابایت	3.2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND MLC	-
نرخ خواندن ترتیبی	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه	8000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه	3800 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	-
اندازه و ابعاد	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)	-
وزن محصول	۸ گرم	-
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 4.0 x8 / NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه	-	HHHL
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	1,500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	250,000IOPS
حافظه DRAM	-	false
میزان توان مصرفی	-	14 W
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال کینگستون NV1 M.2 NVMeبا سامسونگ Mzplj3t2hbjr-00007 Pm1735 ظرفیت 3.2 ترابایت

کینگستون VS Samsung

ویژگی	اس اس دی اینترنال کینگستون NV1 M.2 NVMe	سامسونگ Mzplj3t2hbjr-00007 Pm1735 ظرفیت 3.2 ترابایت
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	3.2 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	۲۱۰۰ مگابایت بر ثانیه	8000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۱۷۰۰ مگابایت بر ثانیه	3800 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۴۸۰	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	-
اندازه و ابعاد	M.2 (۲۲ * ۸۰ * ۲.۱ میلی‌متر)	-
وزن محصول	۷ گرم	-
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۳.۰	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 4.0 x8 / NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, RoHS	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	HHHL
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	1,500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	250,000IOPS
حافظه DRAM	-	false
میزان توان مصرفی	-	14 W
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ Mzplj3t2hbjr-00007 Pm1735 ظرفیت 3.2 ترابایتبا سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 1 ترابایت

Samsung VS سیگیت

ویژگی	سامسونگ Mzplj3t2hbjr-00007 Pm1735 ظرفیت 3.2 ترابایت	سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x8 / NVMe	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	HHHL	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	3.2 ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	8000 مگابایت بر ثانیه	7300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3800 مگابایت بر ثانیه	6000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	1,500,000IOPS	800,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	250,000IOPS	1,000,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
میزان توان مصرفی	14 W	6.5 وات * حالت فعال ** 0.016 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه	-
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D TLC
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 1275 ترابایت (TBW)
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS
اندازه و ابعاد	-	11.04 * 24.2 * 80.16 میلی‌متر
وزن محصول	-	47 گرم
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828با سامسونگ Mzplj3t2hbjr-00007 Pm1735 ظرفیت 3.2 ترابایت

برند نامشخص VS Samsung

ویژگی	SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828	سامسونگ Mzplj3t2hbjr-00007 Pm1735 ظرفیت 3.2 ترابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 4.0 x8 / NVMe
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	3.2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D NAND	-
نرخ خواندن ترتیبی	۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه	8000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۶۷۰۰ مگابایت بر ثانیه	3800 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۱۵۰۰	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۳.۳ V	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	-
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۵ میلی‌متر)	-
وزن محصول	۷.۵ گرم	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	HHHL
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	1,500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	250,000IOPS
حافظه DRAM	-	false
میزان توان مصرفی	-	14 W
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ Mzplj3t2hbjr-00007 Pm1735 ظرفیت 3.2 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883

Samsung VS سامسونگ

ویژگی	سامسونگ Mzplj3t2hbjr-00007 Pm1735 ظرفیت 3.2 ترابایت	اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x8 / NVMe	-
طراحی و ابعاد دستگاه	HHHL	-
میزان ظرفیت حافظه	3.2 ترابایت	۳.۸۴ ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	8000 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3800 مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	1,500,000IOPS	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	250,000IOPS	۳۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	false	-
میزان توان مصرفی	14 W	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	-
قابلیت‌های جانبی	مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه	-
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	-	۲.۵"
وزن محصول	-	۵۸ گرم
رنگ‌بندی	-	مشکی

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ Mzplj3t2hbjr-00007 Pm1735 ظرفیت 3.2 ترابایت

کینگستون VS Samsung

ویژگی	SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ Mzplj3t2hbjr-00007 Pm1735 ظرفیت 3.2 ترابایت
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	3.2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D NAND	-
نرخ خواندن ترتیبی	۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	8000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	3800 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۳۲۰	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	-
اندازه و ابعاد	2230 (22 x 30 mm) (۳۰ * ۲۲ * ۲.۳ میلی‌متر)	-
وزن محصول	۲.۸ گرم	-
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 4.0 x8 / NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	-	HHHL
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	1,500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	250,000IOPS
حافظه DRAM	-	false
میزان توان مصرفی	-	14 W
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال کینگستون DC600M 1920G ساتا سازمانی 2.5 اینچ (Mixed-Use)با سامسونگ Mzplj3t2hbjr-00007 Pm1735 ظرفیت 3.2 ترابایت

کینگستون VS Samsung

ویژگی	اس اس دی اینترنال کینگستون DC600M 1920G ساتا سازمانی 2.5 اینچ (Mixed-Use)	سامسونگ Mzplj3t2hbjr-00007 Pm1735 ظرفیت 3.2 ترابایت
میزان ظرفیت حافظه	۱.۹۲ ترابایت	3.2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D TLC NAND	-
نرخ خواندن ترتیبی	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه	8000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه	3800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۹۴۰۰۰ IOPS	1,500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۷۸۰۰۰ IOPS	250,000IOPS
طول عمر متوسط	۳۵۰۴	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	-
اندازه و ابعاد	2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰.۱ * ۷ میلی‌متر)	-
وزن محصول	۶۹ گرم	-
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	No	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 4.0 x8 / NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه	-	HHHL
حافظه DRAM	-	false
میزان توان مصرفی	-	14 W
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BBCZبا سامسونگ Mzplj3t2hbjr-00007 Pm1735 ظرفیت 3.2 ترابایت

دِل VS Samsung

ویژگی	اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BBCZ	سامسونگ Mzplj3t2hbjr-00007 Pm1735 ظرفیت 3.2 ترابایت
میزان ظرفیت حافظه	۳.۸۴ ترابایت	3.2 ترابایت
اندازه و ابعاد	۲.۵"	-
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	No	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 4.0 x8 / NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه	-	HHHL
نرخ خواندن ترتیبی	-	8000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	3800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	1,500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	250,000IOPS
حافظه DRAM	-	false
میزان توان مصرفی	-	14 W
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVOبا سامسونگ Mzplj3t2hbjr-00007 Pm1735 ظرفیت 3.2 ترابایت

سامسونگ VS Samsung

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO	سامسونگ Mzplj3t2hbjr-00007 Pm1735 ظرفیت 3.2 ترابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 4.0 x8 / NVMe
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	Yes	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	3.2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND TLC	-
نرخ خواندن ترتیبی	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	8000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه	3800 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۶۰۰	-
اندازه و ابعاد	۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm)	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	HHHL
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	1,500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	250,000IOPS
حافظه DRAM	-	false
میزان توان مصرفی	-	14 W
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه

مشاهده جزئیات مقایسه