صفحه 2 از مقایسه سامسونگ MZMTD512HAGL mSATA ظرفیت 512 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا سامسونگ MZMTD512HAGL mSATA ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سامسونگ MZMTD512HAGL mSATA ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه mSATA 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC NAND Flash
نرخ خواندن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه 1700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 330 مگابایت بر ثانیه 1100 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت / 1.9 آمپر -
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی 3.44 وات در حالت فعال 2.6 وات * حالت خواندن ** 2.4 وات * حالت نوشتن ** 1.9 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, BSMI -
اندازه و ابعاد 3.8 * 30 * 50.95 میلی‌متر 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 10 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 180,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 250,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
قابلیت‌های جانبی - پشتیبانی از HMB (Host Memory Buffer) ** نرم‌افزار SSD Tool box

مقایسه سامسونگ MZMTD512HAGL mSATA ظرفیت 512 گیگابایتبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ MZMTD512HAGL mSATA ظرفیت 512 گیگابایت

توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه mSATA 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC Micron 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه 2455 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 330 مگابایت بر ثانیه 1832 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت / 1.9 آمپر 3.3 ولت
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1000 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 3.44 وات در حالت فعال -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, BSMI CE, FCC, cTUVus, RoHS
اندازه و ابعاد 3.8 * 30 * 50.95 میلی‌متر -
وزن محصول 10 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - SMI
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 270,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 2000 و بالاتر ** مک نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه

مقایسه لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ MZMTD512HAGL mSATA ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ MZMTD512HAGL mSATA ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه mSATA 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه 3300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 330 مگابایت بر ثانیه 2400 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت / 1.9 آمپر -
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 250 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 3.44 وات در حالت فعال -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, BSMI -
اندازه و ابعاد 3.8 * 30 * 50.95 میلی‌متر 2.25 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 10 گرم 9 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - DM620
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 256,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC

مقایسه سامسونگ MZMTD512HAGL mSATA ظرفیت 512 گیگابایتبا تیم گروپ T-Force CARDEA Zero Z340 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ MZMTD512HAGL mSATA ظرفیت 512 گیگابایت

تیم گروپ T-Force CARDEA Zero Z340 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه mSATA 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC Micron 96L TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 330 مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت / 1.9 آمپر 3.3 ولت
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 3.44 وات در حالت فعال -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, BSMI -
اندازه و ابعاد 3.8 * 30 * 50.95 میلی‌متر 3.7 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 10 گرم 9 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Phison E12S
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 300,000IOPS
نوع حافظه DRAM - DDR3L
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر

مقایسه سامسونگ MZMTD512HAGL mSATA ظرفیت 512 گیگابایتبا تیم گروپ T-Force CARDEA Liquid NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ MZMTD512HAGL mSATA ظرفیت 512 گیگابایت

تیم گروپ T-Force CARDEA Liquid NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه mSATA 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 330 مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت / 1.9 آمپر 3.3 ولت
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 3.44 وات در حالت فعال -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, BSMI -
اندازه و ابعاد 3.8 * 30 * 50.95 میلی‌متر 14.1 * 24.3 * 83.9 میلی‌متر
وزن محصول 10 گرم 42 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Phison PS5012-E12
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 300,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
محتویات جعبه - مایع خنک‌کننده

مقایسه سامسونگ MZMTD512HAGL mSATA ظرفیت 512 گیگابایتبا وسترن دیجیتال Blue SN570 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ MZMTD512HAGL mSATA ظرفیت 512 گیگابایت

وسترن دیجیتال Blue SN570 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه mSATA 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 330 مگابایت بر ثانیه 2300 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت / 1.9 آمپر -
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 ساعت (MTTF) ** 300 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 3.44 وات در حالت فعال حداکثر 90 میلی‌وات * حالت فعال ** 5 میلی‌وات * حالت استندبای
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, BSMI BSMI, CAN ICES-3(B)/NMB-3(B), CE, FCC, KCC, Morocco, ** RCM, TUV, UL, VCCI
اندازه و ابعاد 3.8 * 30 * 50.95 میلی‌متر 2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 10 گرم 6.5 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 360,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 390,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانیتگراد
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 5G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 4.9G لرزش * حالت غیرفعال

مقایسه کورسیر MP700 PRO Heatsink NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ MZMTD512HAGL mSATA ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

کورسیر MP700 PRO Heatsink NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ MZMTD512HAGL mSATA ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 5.0 x4
طراحی و ابعاد دستگاه mSATA 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC 3D TLC
نرخ خواندن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه 12400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 330 مگابایت بر ثانیه 11800 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت / 1.9 آمپر 3.3 ولت
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 3.44 وات در حالت فعال 11.5 W
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit Encryption
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, BSMI -
اندازه و ابعاد 3.8 * 30 * 50.95 میلی‌متر -
وزن محصول 10 گرم 11 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 1,500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 1,600,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 10، 11 ** مک OS X
قابلیت‌های جانبی - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G

مقایسه کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ MZMTD512HAGL mSATA ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ MZMTD512HAGL mSATA ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه mSATA 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 330 مگابایت بر ثانیه 1650 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت / 1.9 آمپر -
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت -
میزان توان مصرفی 3.44 وات در حالت فعال -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, BSMI CE, FCC, KCC, BSMI
اندازه و ابعاد 3.8 * 30 * 50.95 میلی‌متر 2.2 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 10 گرم 7 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - SMI SM2263XT
قابلیت‌های جانبی - پشتیبانی از SLC Cache ** قابلیت پایش دمای حافظه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018

مقایسه ام اس آی SPATIUM M480 HS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ MZMTD512HAGL mSATA ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M480 HS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ MZMTD512HAGL mSATA ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe Gen4x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه mSATA 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه 7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 330 مگابایت بر ثانیه 5500 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت / 1.9 آمپر -
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 3.44 وات در حالت فعال حداکثر 6.6 وات هنگام استفاده ** 14 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256bit
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, BSMI -
اندازه و ابعاد 3.8 * 30 * 50.95 میلی‌متر 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک
وزن محصول 10 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - PHISON E18
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 700,000IOPS
نوع حافظه DRAM - DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتیگراد
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)

مقایسه کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ MZMTD512HAGL mSATA ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ MZMTD512HAGL mSATA ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه mSATA 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC Micron 96L TLC
نرخ خواندن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه 2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 330 مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت / 1.9 آمپر 3.3 ولت
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 ساعت (MTTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 3.44 وات در حالت فعال -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, BSMI CE, FCC, VCCI, KC, RCM, ICES, Morocco, BSMI, Ukraine, UL, TUV, China, RoHS, WEEE
اندازه و ابعاد 3.8 * 30 * 50.95 میلی‌متر 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 10 گرم 20 گرم
نشانگر وضعیت LED false -
کنترلر (Controller) - Phison E13T
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد

مقایسه سامسونگ MZMTD512HAGL mSATA ظرفیت 512 گیگابایتبا سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

سامسونگ MZMTD512HAGL mSATA ظرفیت 512 گیگابایت

سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه SATA -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s -
طراحی و ابعاد دستگاه mSATA -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC -
نرخ خواندن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه 1050 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 330 مگابایت بر ثانیه 1000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت / 1.9 آمپر -
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت -
میزان توان مصرفی 3.44 وات در حالت فعال -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, BSMI CE,FCC,RCM, BSMI, EAC, UKCA, ICES, BIS
اندازه و ابعاد 3.8 * 30 * 50.95 میلی‌متر 9.6 * 52.5 * 100.8 میلی‌متر
وزن محصول 10 گرم 52 گرم
نشانگر وضعیت LED false true
شیوه اتصال - Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 45 درجه سانتی‌گراد
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 8 و بالاتر ** مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** مقاوم * برابر حداکثر 5G لرزش ** دارای گواهینامه IP65
مواد بدنه - پلاستیک
رنگ‌بندی - مشکی، آبی، سبز
محتویات جعبه - کابل USB نوع C به USB نوع C ** تبدیل USB نوع C به USB نوع A ** دفترچه راهنما

مقایسه سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ MZMTD512HAGL mSATA ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

سامسونگ MZMTD512HAGL mSATA ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه mSATA 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 330 مگابایت بر ثانیه 2300 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت / 1.9 آمپر 3.3 ولت
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 3.44 وات در حالت فعال 5.7 وات * حالت خواندن ** 5.8 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, BSMI -
اندازه و ابعاد 3.8 * 30 * 50.95 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 10 گرم 8 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 370,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 450,000IOPS
نوع حافظه DRAM - 512 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد