مقایسه سامسونگ MZMTD512HAGL mSATA ظرفیت 512 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایتبا سامسونگ MZMTD512HAGL mSATA ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

سامسونگ MZMTD512HAGL mSATA ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 mSATA
میزان ظرفیت حافظه 4 ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC MLC
کنترلر (Controller) Samsung in-house Controller -
نرخ خواندن ترتیبی 7450 مگابایت بر ثانیه 540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 6900 مگابایت بر ثانیه 330 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 1,400,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 1,550,000IOPS -
حافظه DRAM true false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician -
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 3.8 * 30 * 50.95 میلی‌متر
وزن محصول 9 گرم 10 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت / 1.9 آمپر
میزان توان مصرفی - 3.44 وات در حالت فعال
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, BSMI

مقایسه ای دیتا LEGEND 750 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ MZMTD512HAGL mSATA ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

ای دیتا LEGEND 750 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

سامسونگ MZMTD512HAGL mSATA ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 mSATA
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND MLC
کنترلر (Controller) MAP1202 -
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه 330 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 480,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 260,000IOPS -
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد -
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
فناوری رمزنگاری AES 256bit AES 256-bit
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ** فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش ** پشتیبانی از نرم‌افزار SSD Toolbox ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه -
رنگ‌بندی آبی -
اندازه و ابعاد 3.1 * 22 * 80 میلی‌متر با هیت سینک ** 2.1 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سینک 3.8 * 30 * 50.95 میلی‌متر
وزن محصول 9 گرم با هیت سینک ** 6.2 گرم بدون هیت سینک 10 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت / 1.9 آمپر
میزان توان مصرفی - 3.44 وات در حالت فعال
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, BSMI

مقایسه لکسار SL200 USB 3.1 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ MZMTD512HAGL mSATA ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

لکسار SL200 USB 3.1 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ MZMTD512HAGL mSATA ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه SATA -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s -
طراحی و ابعاد دستگاه mSATA 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC -
نرخ خواندن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 330 مگابایت بر ثانیه 400 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت / 1.9 آمپر -
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت -
میزان توان مصرفی 3.44 وات در حالت فعال -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, BSMI -
اندازه و ابعاد 3.8 * 30 * 50.95 میلی‌متر 9.5 * 60 * 86 میلی‌متر
وزن محصول 10 گرم 40.6 گرم
نشانگر وضعیت LED false true
شیوه اتصال - Type-C به Type-A از نوع USB 3.1 Gen 1
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
محتویات جعبه - کابل USB Type-C به USB Type-A ** کابل USB Type-C به USB Type-C ** دفترچه راهنما

مقایسه ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ MZMTD512HAGL mSATA ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

سامسونگ MZMTD512HAGL mSATA ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه mSATA 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه 3600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 330 مگابایت بر ثانیه 2300 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت / 1.9 آمپر -
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 3.44 وات در حالت فعال حداکثر 3.4 وات هنگام استفاده ** 40 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, BSMI -
اندازه و ابعاد 3.8 * 30 * 50.95 میلی‌متر 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 10 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - PHISON E19T
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 300,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 550,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتیگراد
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)

مقایسه سامسونگ MZMTD512HAGL mSATA ظرفیت 512 گیگابایتبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

سامسونگ MZMTD512HAGL mSATA ظرفیت 512 گیگابایت

توین موس NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه mSATA 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC Micron 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 330 مگابایت بر ثانیه 3080 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت / 1.9 آمپر 3.3 ولت
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت 1,000,000 ساعت (MTBF) ** 1000 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 3.44 وات در حالت فعال -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, BSMI CE, FCC, cTUVus, RoHS
اندازه و ابعاد 3.8 * 30 * 50.95 میلی‌متر -
وزن محصول 10 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - SMI
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 270,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز XP و بالاتر ** مک نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه

مقایسه ام اس آی SPATIUM M480 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ MZMTD512HAGL mSATA ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M480 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ MZMTD512HAGL mSATA ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه mSATA 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه 7400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 330 مگابایت بر ثانیه 7000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت / 1.9 آمپر -
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 3.44 وات در حالت فعال حداکثر 10.5 وات هنگام استفاده ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256bit
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, BSMI -
اندازه و ابعاد 3.8 * 30 * 50.95 میلی‌متر 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 10 گرم 9.7 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - PHISON E18
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 1000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 1000,000IOPS
نوع حافظه DRAM - DDR4 با 2 گیگابایت حافظه کش
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتیگراد
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)

مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا سامسونگ MZMTD512HAGL mSATA ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

سامسونگ MZMTD512HAGL mSATA ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه mSATA 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC NAND Flash
نرخ خواندن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه 1100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 330 مگابایت بر ثانیه 1700 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت / 1.9 آمپر -
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت -
میزان توان مصرفی 3.44 وات در حالت فعال 2.6 وات * حالت خواندن ** 2.4 وات * حالت نوشتن ** 1.9 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, BSMI -
اندازه و ابعاد 3.8 * 30 * 50.95 میلی‌متر 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 10 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 180,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
قابلیت‌های جانبی - پشتیبانی از HMB (Host Memory Buffer) ** نرم‌افزار SSD Tool box

مقایسه ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ MZMTD512HAGL mSATA ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ MZMTD512HAGL mSATA ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه mSATA 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه 7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 330 مگابایت بر ثانیه 6800 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت / 1.9 آمپر -
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 3.44 وات در حالت فعال حداکثر 8.2 وات هنگام استفاده ** 22 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256bit
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, BSMI -
اندازه و ابعاد 3.8 * 30 * 50.95 میلی‌متر 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 10 گرم 9.7 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - PHISON E18
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 650,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 700,000IOPS
نوع حافظه DRAM - 2 MB DDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتیگراد
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)

مقایسه ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ MZMTD512HAGL mSATA ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ MZMTD512HAGL mSATA ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه mSATA 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 330 مگابایت بر ثانیه 4500 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت / 1.9 آمپر -
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 3.44 وات در حالت فعال 4.3 وات * حالت استفاده ** 50 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, BSMI -
اندازه و ابعاد 3.8 * 30 * 50.95 میلی‌متر 2.15 × 22 × 80 ميلی‌متر
وزن محصول 10 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - PHISON E21T
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 550,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 950,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتیگراد
قابلیت‌های جانبی - کدینگ LPDC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها

مقایسه سامسونگ MZMTD512HAGL mSATA ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ MZMTD512HAGL mSATA ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
طراحی و ابعاد دستگاه mSATA 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC Samsung TLC V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه 6900 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 330 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت / 1.9 آمپر -
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت -
میزان توان مصرفی 3.44 وات در حالت فعال -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, BSMI RoHS
اندازه و ابعاد 3.8 * 30 * 50.95 میلی‌متر 2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 10 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -
کنترلر (Controller) - S4LV003
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 800,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 800,000IOPS
نوع حافظه DRAM - LPDDR4

مقایسه سامسونگ MZMTD512HAGL mSATA ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ PM9B1 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ MZMTD512HAGL mSATA ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ PM9B1 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe Gen4 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه mSATA M.2 2242
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC -
نرخ خواندن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه 2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 330 مگابایت بر ثانیه 940 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت / 1.9 آمپر 3.3 ولت
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت 1,750,000 (MTTF) ساعت
میزان توان مصرفی 3.44 وات در حالت فعال -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, BSMI -
اندازه و ابعاد 3.8 * 30 * 50.95 میلی‌متر 2.3 * 22 * 42 میلی‌متر
وزن محصول 10 گرم 3.9 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتیگراد

مقایسه کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ MZMTD512HAGL mSATA ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ MZMTD512HAGL mSATA ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه mSATA 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه 1950 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 330 مگابایت بر ثانیه 1550 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت / 1.9 آمپر 3.3 ولت
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 3.44 وات در حالت فعال 3.5 وات در حالت فعال
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, BSMI -
اندازه و ابعاد 3.8 * 30 * 50.95 میلی‌متر 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 10 گرم 10 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Phison PS5012-E12
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 130,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 230,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
قابلیت‌های جانبی - پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه