صفحه 3 از مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1D04758با اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0

ویژگی	اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1D04758	اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	۸ ترابایت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۶ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	M.2 (۸۰ * ۲۲ * ۲.۳۸ میلی‌متر)	2.5" (۱۰۰ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	۹ گرم	۵۷ گرم
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	Serial ATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	No
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	-	Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	-	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۸۸۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	-	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۵ V

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال فیلیپس FM24SS120B/00با اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0

فیلیپس VS سامسونگ

ویژگی	اس اس دی اینترنال فیلیپس FM24SS120B/00	اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0
میزان ظرفیت حافظه	۲۴۰ گیگابایت	۸ ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	۴۵۰ مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۳۶۰ مگابایت بر ثانیه	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۵ V	۵ V
اندازه و ابعاد	2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۷۰ میلی‌متر)	2.5" (۱۰۰ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	۳۸.۲ گرم	۵۷ گرم
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	Serial ATA
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	-	Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	V-NAND MLC
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۸۸۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	-	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	No

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVOبا اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0

سامسونگ VS سامسونگ

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO	اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0
فناوری رمزنگاری	Yes	Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
میزان ظرفیت حافظه	۲۵۰ گیگابایت	۸ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND MLC	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)	2.5" (۱۰۰ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	۸ گرم	۵۷ گرم
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	Serial ATA
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۸۸۰۰۰ IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۵ V
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	No

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0با SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120

سامسونگ VS سی‌گیت

ویژگی	اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0	SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120
فناوری رمزنگاری	Yes	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
میزان ظرفیت حافظه	۸ ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND MLC	۳D TLC
نرخ خواندن ترتیبی	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه	۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۹۸۰۰۰ IOPS	۱۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۸۸۰۰۰ IOPS	۹۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت	۱۴۰۰
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۵ V	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2.5" (۱۰۰ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)	2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۳ * ۷.۱ میلی‌متر)
وزن محصول	۵۷ گرم	۵۰ گرم
پورت اتصال حافظه	Serial ATA	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	No	No
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه SSD اینترنال ای دیتا SMAR-980B-2TCSبا اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0

ای‌دیتا VS سامسونگ

ویژگی	SSD اینترنال ای دیتا SMAR-980B-2TCS	اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	No
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۵.۰	Serial ATA
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	Yes	Yes
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	۸ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D NAND	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۱۳۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۲۰۰۰۰۰۰ IOPS	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۱۶۵۰۰۰۰ IOPS	۸۸۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	۱۴۸۰	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۴.۵ میلی‌متر)	2.5" (۱۰۰ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	۱۲ گرم	۵۷ گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), KC, RCM, RoHS, UKCA	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۵ V

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0با اس اس دی اینترنال سامسونگ PM981 NVMe

سامسونگ VS سامسونگ

ویژگی	اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0	اس اس دی اینترنال سامسونگ PM981 NVMe
فناوری رمزنگاری	Yes	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
میزان ظرفیت حافظه	۸ ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND MLC	TLC
نرخ خواندن ترتیبی	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه	۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه	۲۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۹۸۰۰۰ IOPS	۳۸۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۸۸۰۰۰ IOPS	۴۴۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۵ V	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2.5" (۱۰۰ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)	M.۲
وزن محصول	۵۷ گرم	۹ گرم
پورت اتصال حافظه	Serial ATA	PCI Express ۳.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	No	Yes
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
رنگ‌بندی	-	Black, Green

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300با اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0

گیگابایت VS سامسونگ

ویژگی	SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300	اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	No
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	Serial ATA
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	Yes	Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	۸ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D TLC NAND	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۷۳۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۷۰۰	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر)	2.5" (۱۰۰ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۸۸۰۰۰ IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۵ V
وزن محصول	-	۵۷ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPNبا اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0

دِل VS سامسونگ

ویژگی	اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPN	اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0
میزان ظرفیت حافظه	۱.۶ ترابایت	۸ ترابایت
اندازه و ابعاد	۲.۵"	2.5" (۱۰۰ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه	SAS	Serial ATA
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	Yes	Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	-	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۸۸۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	-	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۵ V
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
وزن محصول	-	۵۷ گرم
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	No

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910Gبا اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0

کلیو VS سامسونگ

ویژگی	اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910G	اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0
فناوری رمزنگاری	Yes	Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	۸ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D TLC NAND	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۵۲۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۴۸۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۵۶۰۰۰۰ IOPS	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۶۱۵۰۰۰ IOPS	۸۸۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	۱۴۰۰	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۸ میلی‌متر)	2.5" (۱۰۰ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	۱۰ گرم	۵۷ گرم
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	Serial ATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	No
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
مجوزها و تاییدیه‌ها	UKCA, Federal Communications Commission (FCC), CE	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۵ V
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI298با اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0

برند نامشخص VS سامسونگ

ویژگی	اس اس دی اینترنال AGI Technology AI298	اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	No
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۳.۰	Serial ATA
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	۸ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D NAND	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۱۷۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۶۰۰	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۳.۳ V	۵ V
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۵ میلی‌متر)	2.5" (۱۰۰ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	۶ گرم	۵۷ گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS, VCCI	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۸۸۰۰۰ IOPS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kitبا اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0

اچ پی VS سامسونگ

ویژگی	اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit	اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0
وزن محصول	۱۶۴ گرم	۵۷ گرم
اندازه و ابعاد	۸۲ * ۳۰ * ۱۲ میلی‌متر	2.5" (۱۰۰ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
محتویات جعبه	Z Turbo ۴TB ۲۲۸۰ PCIe-۴x۴ SED OPAL۲ TLC M.۲ Z۴/Z۶ Kit SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	-	Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
میزان ظرفیت حافظه	-	۸ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	-	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۸۸۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	-	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۵ V
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
پورت اتصال حافظه	-	Serial ATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	No

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)با اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0

سامسونگ VS سامسونگ

ویژگی	اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)	اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0
فناوری رمزنگاری	Yes	Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	۸ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	QLC	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۹۸۰۰۰ IOPS	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۸۸۰۰۰ IOPS	۸۸۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۵ V	۵ V
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)	2.5" (۱۰۰ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	۴۶ گرم	۵۷ گرم
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	Serial ATA
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	No

مشاهده جزئیات مقایسه