1. مقایسه
  2. مقایسه کالای دیجیتال
  3. مقایسه کامپیوتر و لوازم جانبی
  4. مقایسه تجهیزات ذخیره‌سازی اطلاعات
  5. مقایسه حافظه SSD
  6. مقایسه SSD اینترنال

مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0
VS
مقایسه {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0

مقایسه با اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0

Crucial VS سامسونگ
ویژگی

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه M.2 Serial ATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی NVMe PCIe Gen4 x4 No
شیوه اتصال PCIe Gen4 NVMe -
نرخ خواندن ترتیبی تا 7,100 مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی تا 6,000 مگابایت بر ثانیه ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron G8 NAND V-NAND MLC
سیستم‌عامل‌های سازگار Windows، لپ‌تاپ‌ها، دسک‌تاپ‌ها، کنسول‌های بازی دستی منتخب (ROG Ally X، Lenovo Legion Go، AYANEO Kun) -
قابلیت‌های جانبی نرم‌افزار بازیابی اطلاعات Acronis، کنترل حرارتی -
اندازه و ابعاد M.2 2280 2.5" (۱۰۰ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
محتویات جعبه مجوز/کلید نرم‌افزار بازیابی اطلاعات Acronis -
طراحی و ابعاد دستگاه فرم فاکتور M.2 2280 -
فناوری رمزنگاری - Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
میزان ظرفیت حافظه - ۸ ترابایت
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۸۸۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط - ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
وزن محصول - ۵۷ گرم
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0
VS
مقایسه {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0

مقایسه با اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0

Samsung VS سامسونگ
ویژگی

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0

نوع کاربری حافظه SSD داخلی اینترنال
پورت اتصال حافظه M.2 2280 Serial ATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 NVMe No
شیوه اتصال M.2 NVMe PCIe 4.0 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۸ ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی تا 7,450 مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی تا 6,900 مگابایت بر ثانیه ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM بله -
محدوده دمای عملیاتی 0 درجه سانتیگراد تا 70 درجه سانتیگراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND V-NAND MLC
کنترلر (Controller) Samsung Elpis Controller -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها تا 1,400 هزار عملیات ورودی/خروجی در ثانیه ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها تا 1,550 هزار عملیات ورودی/خروجی در ثانیه ۸۸۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط نامشخص (TBW در ویژگی‌های خام مشخص نشده است) ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ بله -
قابلیت پشتیبانی از TRIM بله true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T بله true
سیستم‌عامل‌های سازگار Windows، macOS، Linux (با پشتیبانی NVMe) -
قابلیت‌های جانبی نرم‌افزار Samsung Magician، کنترل حرارتی هوشمند، سازگار با PS5 -
فناوری رمزنگاری رمزگذاری AES 256 بیتی Yes
رنگ‌بندی سیاه -
اندازه و ابعاد M.2 2280 (80 میلی‌متر × 22 میلی‌متر × 2.38 میلی‌متر) 2.5" (۱۰۰ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول تقریباً 8.0 گرم ۵۷ گرم
محتویات جعبه SSD، راهنمای نصب، راهنمای گارانتی -
طراحی و ابعاد دستگاه فرم فاکتور M.2 2280 -
میزان توان مصرفی عملکرد بهبود یافته به ازای هر وات نسبت به 980 PRO -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0
VS
مقایسه ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0

مقایسه ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0

msi VS سامسونگ
ویژگی

ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4 No
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۸ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND V-NAND MLC
کنترلر (Controller) PHISON E18 -
نرخ خواندن ترتیبی 7000 مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 6800 مگابایت بر ثانیه ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 650,000IOPS ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 700,000IOPS ۸۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 2 MB DDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW) ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی حداکثر 8.2 وات هنگام استفاده ** 22 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256bit Yes
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
اندازه و ابعاد 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر 2.5" (۱۰۰ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول 9.7 گرم ۵۷ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0
VS
مقایسه ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0

مقایسه ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0

msi VS سامسونگ
ویژگی

ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4 No
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۸ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND V-NAND MLC
کنترلر (Controller) PHISON E21T -
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4500 مگابایت بر ثانیه ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 550,000IOPS ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 950,000IOPS ۸۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 4.3 وات * حالت استفاده ** 50 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی کدینگ LPDC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها -
اندازه و ابعاد 2.15 × 22 × 80 ميلی‌متر 2.5" (۱۰۰ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V
وزن محصول - ۵۷ گرم
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0
VS
مقایسه سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0

مقایسه سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0

Samsung VS سامسونگ
ویژگی

سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0 No
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 4 ترابایت ۸ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC V-NAND MLC
کنترلر (Controller) Samsung in-house Controller -
نرخ خواندن ترتیبی 7450 مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 6900 مگابایت بر ثانیه ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 1,400,000IOPS ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 1,550,000IOPS ۸۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician -
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 2.5" (۱۰۰ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول 9 گرم ۵۷ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0
VS
مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0

مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0

GIGABYTE VS سامسونگ
ویژگی

گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 No
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 256 MB ۸ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) NAND Flash V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی 1700 مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1100 مگابایت بر ثانیه ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 250,000IOPS ۸۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 2.6 وات * حالت خواندن ** 2.4 وات * حالت نوشتن ** 1.9 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از HMB (Host Memory Buffer) ** نرم‌افزار SSD Tool box -
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 2.5" (۱۰۰ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V
وزن محصول - ۵۷ گرم
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0
VS
مقایسه ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0

مقایسه ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0

msi VS سامسونگ
ویژگی

ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4 No
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 500 MB ۸ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND V-NAND MLC
کنترلر (Controller) PHISON E19T -
نرخ خواندن ترتیبی 3600 مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2300 مگابایت بر ثانیه ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 300,000IOPS ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 550,000IOPS ۸۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW) ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی حداکثر 3.4 وات هنگام استفاده ** 40 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
اندازه و ابعاد 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر 2.5" (۱۰۰ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V
وزن محصول - ۵۷ گرم
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه ام اس آی SPATIUM M480 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0
VS
مقایسه ام اس آی SPATIUM M480 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0

مقایسه ام اس آی SPATIUM M480 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0

msi VS سامسونگ
ویژگی

ام اس آی SPATIUM M480 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4 No
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۸ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND V-NAND MLC
کنترلر (Controller) PHISON E18 -
نرخ خواندن ترتیبی 7400 مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 7000 مگابایت بر ثانیه ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 1000,000IOPS ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 1000,000IOPS ۸۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM DDR4 با 2 گیگابایت حافظه کش -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW) ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی حداکثر 10.5 وات هنگام استفاده ** 45 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256bit Yes
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
اندازه و ابعاد 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر 2.5" (۱۰۰ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول 9.7 گرم ۵۷ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0
VS
مقایسه ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0

مقایسه ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0

msi VS سامسونگ
ویژگی

ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen5x4 / NVMe 2.0 No
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۸ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND V-NAND MLC
کنترلر (Controller) PHISON E26 -
نرخ خواندن ترتیبی 10000 مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 10000 مگابایت بر ثانیه ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 1,400,000IOPS ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 1,500,000IOPS ۸۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM DDR4 با 4 گیگابایت حافظه کش -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW) ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی حداکثر 11 وات هنگام استفاده -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک 2.5" (۱۰۰ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V
وزن محصول - ۵۷ گرم
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0
VS
مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0

مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0

GIGABYTE VS سامسونگ
ویژگی

گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 No
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 128 MB ۸ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) NAND Flash V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی 1100 مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1700 مگابایت بر ثانیه ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 250,000IOPS ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS ۸۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی 2.6 وات * حالت خواندن ** 2.4 وات * حالت نوشتن ** 1.9 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از HMB (Host Memory Buffer) ** نرم‌افزار SSD Tool box -
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 2.5" (۱۰۰ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes
طول عمر متوسط - ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V
وزن محصول - ۵۷ گرم
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0
VS
مقایسه کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0

مقایسه کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0

کینگ مکس VS سامسونگ
ویژگی

کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 No
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB ۸ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND V-NAND MLC
کنترلر (Controller) Phison PS5012-E12 -
نرخ خواندن ترتیبی 1950 مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1550 مگابایت بر ثانیه ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 130,000IOPS ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 230,000IOPS ۸۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت ۵ V
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW) ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 3.5 وات در حالت فعال -
قابلیت پشتیبانی از NCQ true -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه -
اندازه و ابعاد 22 * 80 میلی‌متر 2.5" (۱۰۰ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول 10 گرم ۵۷ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0 {request()->input('language_config')['common']['with']} توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0 {request()->input('language_config')['common']['with']} توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0با توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سامسونگ VS توین موس
ویژگی

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0

توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
میزان ظرفیت حافظه ۸ ترابایت 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND MLC Micron 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه 2455 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه 1832 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۹۸۰۰۰ IOPS 260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۸۸۰۰۰ IOPS 270,000IOPS
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1000 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۵ V 3.3 ولت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۱۰۰ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر) -
وزن محصول ۵۷ گرم -
پورت اتصال حافظه Serial ATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - SMI
حافظه DRAM - false
قابلیت پشتیبانی از NCQ - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 2000 و بالاتر ** مک نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, cTUVus, RoHS
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه