صفحه 2 از مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0

ویژگی	کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	No
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	۸ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	V-NAND MLC
کنترلر (Controller)	Phison PS5012-E12	-
نرخ خواندن ترتیبی	1950 مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1550 مگابایت بر ثانیه	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	130,000IOPS	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	230,000IOPS	۸۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	۵ V
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	3.5 وات در حالت فعال	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه	-
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	2.5" (۱۰۰ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	10 گرم	۵۷ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0با توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سامسونگ VS توین موس

ویژگی	اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0	توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
فناوری رمزنگاری	Yes	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
میزان ظرفیت حافظه	۸ ترابایت	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND MLC	Micron 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه	2455 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه	1832 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۹۸۰۰۰ IOPS	260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۸۸۰۰۰ IOPS	270,000IOPS
طول عمر متوسط	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1000 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۵ V	3.3 ولت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2.5" (۱۰۰ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)	-
وزن محصول	۵۷ گرم	-
پورت اتصال حافظه	Serial ATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	No	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	SMI
حافظه DRAM	-	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 2000 و بالاتر مک نسخه 10.1 و بالاتر لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, cTUVus, RoHS
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)با اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0

سامسونگ VS سامسونگ

ویژگی	اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)	اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0
فناوری رمزنگاری	Yes	Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
میزان ظرفیت حافظه	۴ ترابایت	۸ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND MLC	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۹۸۰۰۰ IOPS	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۸۸۰۰۰ IOPS	۸۸۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۵ V	۵ V
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)	2.5" (۱۰۰ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	۴۶ گرم	۵۷ گرم
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	Serial ATA
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	No

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-Vبا اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0

دِل VS سامسونگ

ویژگی	اس اس دی اینترنال DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-V	اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0
میزان ظرفیت حافظه	۹۶۰ گیگابایت	۸ ترابایت
اندازه و ابعاد	۲.۵"	2.5" (۱۰۰ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه	SAS	Serial ATA
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	-	Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	-	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۸۸۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	-	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۵ V
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
وزن محصول	-	۵۷ گرم
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	No

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 رمزگذاری خودکار 1 ترابایت iStorage Kanguru Defender SED30با اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0

آی‌استوریج VS سامسونگ

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 رمزگذاری خودکار 1 ترابایت iStorage Kanguru Defender SED30	اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0
فناوری رمزنگاری	Yes	Yes
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	۸ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D TLC	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۷۲۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۶۵۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۱۰۰۰۰۰۰ IOPS	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۱۰۰۰۰۰۰ IOPS	۸۸۰۰۰ IOPS
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ میلی‌متر * ۸۰ میلی‌متر)	2.5" (۱۰۰ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	۱۴ گرم	۵۷ گرم
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	Serial ATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	No
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
طول عمر متوسط	-	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۵ V

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 2 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0

کینگستون VS سامسونگ

ویژگی	SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 2 ترابایت	اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	۸ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D NAND	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۶۴۰	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2230 (22 x 30 mm) (۳۰ * ۲۲ * ۲.۳ میلی‌متر)	2.5" (۱۰۰ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	۲.۸ گرم	۵۷ گرم
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	Serial ATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	No
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	-	Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۸۸۰۰۰ IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۵ V

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90886با اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0

لنوو VS سامسونگ

ویژگی	اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90886	اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0
میزان ظرفیت حافظه	۱.۹۲ ترابایت	۸ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND TLC	V-NAND MLC
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۸۲۰۰۰ IOPS	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۴۷۵۰۰ IOPS	۸۸۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر)	2.5" (۱۰۰ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	Serial ATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	No	No
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	No	Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
نرخ خواندن ترتیبی	-	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۵ V
وزن محصول	-	۵۷ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVOبا اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0

سامسونگ VS سامسونگ

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO	اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0
فناوری رمزنگاری	Yes	Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
میزان ظرفیت حافظه	۲۵۰ گیگابایت	۸ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND MLC	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)	2.5" (۱۰۰ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	۸ گرم	۵۷ گرم
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	Serial ATA
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۸۸۰۰۰ IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۵ V
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	No

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی سازمانی کینگستون 3.84 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMeبا اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0

کینگستون VS سامسونگ

ویژگی	اس اس دی سازمانی کینگستون 3.84 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe	اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0
فناوری رمزنگاری	Yes	Yes
میزان ظرفیت حافظه	۳.۸۴ ترابایت	۸ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D eTLC	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۸۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۲۷۰۰۰۰۰ IOPS	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۳۰۰۰۰۰ IOPS	۸۸۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	U.2 (۶۹.۸ * ۱۰۰.۵ * ۱۴.۸ میلی‌متر)	2.5" (۱۰۰ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	۱۴۶.۲ گرم	۵۷ گرم
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۵.۰	Serial ATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	No
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۵ V

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0با SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120

سامسونگ VS سی‌گیت

ویژگی	اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0	SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120
فناوری رمزنگاری	Yes	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
میزان ظرفیت حافظه	۸ ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND MLC	۳D TLC
نرخ خواندن ترتیبی	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه	۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۹۸۰۰۰ IOPS	۱۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۸۸۰۰۰ IOPS	۹۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت	۱۴۰۰
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۵ V	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2.5" (۱۰۰ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)	2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۳ * ۷.۱ میلی‌متر)
وزن محصول	۵۷ گرم	۵۰ گرم
پورت اتصال حافظه	Serial ATA	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	No	No
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0

کینگستون VS سامسونگ

ویژگی	SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 1 ترابایت	اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	۸ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D NAND	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۳۲۰	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2230 (22 x 30 mm) (۳۰ * ۲۲ * ۲.۳ میلی‌متر)	2.5" (۱۰۰ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	۲.۸ گرم	۵۷ گرم
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	Serial ATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	No
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	-	Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۸۸۰۰۰ IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۵ V

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1D04758با اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0

لنوو VS سامسونگ

ویژگی	اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1D04758	اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل MZ-77Q8T0
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	۸ ترابایت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۶ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	M.2 (۸۰ * ۲۲ * ۲.۳۸ میلی‌متر)	2.5" (۱۰۰ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	۹ گرم	۵۷ گرم
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	Serial ATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	No
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	-	Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	-	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۸۸۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	-	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۵ V

مشاهده جزئیات مقایسه