مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

$مقایسه گیگابایت AORUS Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)$

مقایسه گیگابایت AORUS Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

GIGABYTE VS سامسونگ

ویژگی	گیگابایت AORUS Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba BiCS4 96-Layers 3‎D TLC NAND	V-NAND MLC
کنترلر (Controller)	Phison PS5016-E16	-
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4400 مگابایت بر ثانیه	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	750,000IOPS	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	700,000IOPS	۸۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	1 MB DDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,770,000 ساعت (MTBF) ** 1800 ترابایت (TBW)	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	6.6 وات * حالت خواندن ** 6.4 وات * حالت نوشتن ** 18.8 میلی‌وات * حالت آماده باش	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	دارای هیت‌سینک از جنس مس الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان نرم‌افزار SSD Tool Box	-
اندازه و ابعاد	11.25 * 23.5 * 80.5 میلی‌متر	2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۵ V
وزن محصول	-	۴۶ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه ای دیتا Ultimate SU800 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)$

مقایسه ای دیتا Ultimate SU800 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

ای دیتا VS سامسونگ

ویژگی	ای دیتا Ultimate SU800 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت	اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	-
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	V-NAND MLC
کنترلر (Controller)	SMI	-
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	80,000IOPS	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	85,000IOPS	۸۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	true	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTTF) ** 200 ترابایت (TBW)	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache پشتیبانی از DevSlp برای کاهش مصرف انرژی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC نرم‌افزار SSD ToolBox ** نرم‌افزار Acronis True image HD, Disk Migration Utility	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC	-
اندازه و ابعاد	7 * 69.85 * 100.45 میلی‌متر	2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	47.5 گرم	۴۶ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۵ V

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه پایونیر APS-SL3N SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)$

مقایسه پایونیر APS-SL3N SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

پایونیر VS سامسونگ

ویژگی	پایونیر APS-SL3N SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت	اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	-
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	V-NAND MLC
کنترلر (Controller)	Phison	-
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	88,000IOPS	۹۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	390 (TBW) ترابایت	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه	-
اندازه و ابعاد	7 * 70 * 100 میلی‌متر	2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	45 گرم	۴۶ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۸۸۰۰۰ IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۵ V

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0) {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال سامسونگ PM1735$

مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)با اس اس دی اینترنال سامسونگ PM1735

سامسونگ VS سامسونگ

ویژگی	اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)	اس اس دی اینترنال سامسونگ PM1735
فناوری رمزنگاری	Yes	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
میزان ظرفیت حافظه	۴ ترابایت	۱.۶ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND MLC	-
نرخ خواندن ترتیبی	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه	۷۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه	۲۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۹۸۰۰۰ IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۸۸۰۰۰ IOPS	-
طول عمر متوسط	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۵ V	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	-
اندازه و ابعاد	2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)	Half-Height/Half-Length (HH/HL)
وزن محصول	۴۶ گرم	-
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCI Express ۴.۰
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	Yes

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)$

مقایسه پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

PNY VS سامسونگ

ویژگی	پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 1 ترابایت	اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	V-NAND MLC
کنترلر (Controller)	Phison E19T	-
نرخ خواندن ترتیبی	3600 مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3200 مگابایت بر ثانیه	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
اندازه و ابعاد	4 * 22 * 80 میلی‌متر	2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۸۸۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	-	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۵ V
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
وزن محصول	-	۴۶ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه ادلینک S70 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)$

مقایسه ادلینک S70 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

ادلینک VS سامسونگ

ویژگی	ادلینک S70 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	3200 مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2600 مگابایت بر ثانیه	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,800,000 (MTBF) ساعت	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز 10به بعد	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته ECC ** پشتیبانی از SLC Cache	-
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۸۸۰۰۰ IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۵ V
وزن محصول	-	۴۶ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه SSD اینترنال لنوو 4XB7A17179 {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)$

مقایسه SSD اینترنال لنوو 4XB7A17179با اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

لنوو VS سامسونگ

ویژگی	SSD اینترنال لنوو 4XB7A17179	اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)
میزان ظرفیت حافظه	۱.۹۲ ترابایت	۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND	V-NAND MLC
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۹۸۰۰۰ IOPS	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۲۵۰۰۰ IOPS	۸۸۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	۱۳۶۶	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	3.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر)	2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	۵۸ گرم	۴۶ گرم
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	No	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	No	Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
نرخ خواندن ترتیبی	-	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۵ V

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)$

مقایسه کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

Crucial VS سامسونگ

ویژگی	کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 96L TLC	V-NAND MLC
کنترلر (Controller)	Phison E13T	-
نرخ خواندن ترتیبی	2400 مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1900 مگابایت بر ثانیه	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	۵ V
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTTBF) ** 600 ترابایت (TBW)	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, VCCI, KC, RCM, ICES, Morocco, BSMI, Ukraine, UL, TUV, China, RoHS, WEEE	-
اندازه و ابعاد	2.4 * 22 * 80 میلی‌متر	2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	20 گرم	۴۶ گرم
فناوری رمزنگاری	-	Yes
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۸۸۰۰۰ IOPS

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 7N47A00130 {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)$

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 7N47A00130با اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

لنوو VS سامسونگ

ویژگی	اس اس دی اینترنال لنوو مدل 7N47A00130	اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)
میزان ظرفیت حافظه	۱۲۸ گیگابایت	۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	TLC	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۴۷۰ مگابایت بر ثانیه	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۷۲۰۰۰ IOPS	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۳۲۰۰۰ IOPS	۸۸۰۰۰ IOPS
اندازه و ابعاد	M.2 (۸۰ میلی‌متر * ۲۲ میلی‌متر)	2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	۱۰ گرم	۴۶ گرم
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	Serial ATA III
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	-	Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
طول عمر متوسط	-	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۵ V
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0) {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ CX2 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت$

مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)با تیم گروپ CX2 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ VS ام جی

ویژگی	اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)	تیم گروپ CX2 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت
فناوری رمزنگاری	Yes	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
میزان ظرفیت حافظه	۴ ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND MLC	3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه	470 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۹۸۰۰۰ IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۸۸۰۰۰ IOPS	-
طول عمر متوسط	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت	1,000,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۵ V	5 ولت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)	7 * 69.9 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	۴۶ گرم	-
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	SATA
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2.5 اینچ
حافظه DRAM	-	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 7 و بالاتر مک OS نسخه 10.4 و بالاتر لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 صد و دمای 0 تا 55 جه
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	FC, CE, RoHS
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1D04758 {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)$

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1D04758با اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

لنوو VS سامسونگ

ویژگی	اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1D04758	اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	۴ ترابایت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۶ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	M.2 (۸۰ * ۲۲ * ۲.۳۸ میلی‌متر)	2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	۹ گرم	۴۶ گرم
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	-	Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	-	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۸۸۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	-	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۵ V

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اچ پی P700 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)$

مقایسه اچ پی P700 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

اچ پی VS سامسونگ

ویژگی	اچ پی P700 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت	اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
شیوه اتصال	Type-C به Type-A از نوع USB 3.1 Gen 2	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Intel 64L TLC NAND	V-NAND MLC
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2263EN	-
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	73,000IOPS	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	78,000IOPS	۸۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	DDR3	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز نسخه 7 و بالاتر مک ان*وید	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** پشتیبانی از UASP برای افزایش سرعت خواندن و نوشتن * حافظه‌های اکسترنال ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, TUV, KCC, BSMI, VCCI, RoHS	-
مواد بدنه	فلز و پلاستیک	-
اندازه و ابعاد	9.2 * 65 * 92 میلی‌متر	2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	58 گرم	۴۶ گرم
نشانگر وضعیت LED	true	-
محتویات جعبه	کابل USB Type-C به USB Type-A با طول 15.2 سانتی‌متر تبدیل USB Type-A به USB Type-C دفترچه راهنما	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
طول عمر متوسط	-	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۵ V
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد

مشاهده جزئیات مقایسه