صفحه 2 از مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)با وسترن دیجیتال Green WDS240G2G0B SATA M.2 ظرفیت 240 گیگابایت

ویژگی	اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)	وسترن دیجیتال Green WDS240G2G0B SATA M.2 ظرفیت 240 گیگابایت
فناوری رمزنگاری	Yes	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
میزان ظرفیت حافظه	۴ ترابایت	240 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND MLC	-
نرخ خواندن ترتیبی	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه	540 گیگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه	465 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۹۸۰۰۰ IOPS	37,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۸۸۰۰۰ IOPS	68,000IOPS
طول عمر متوسط	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت	1,000,000 (MTTF) ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۵ V	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)	1.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۴۶ گرم	6.51 گرم
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	SATA
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
حافظه DRAM	-	false
میزان توان مصرفی	-	0.08 وات * حالت میانگین ** 2.8 وات * حالت خواندن ** 2.8 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 0.01 وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** مقاوم * برابر حداکثر 5G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 4.9G لرزش * حالت غیرفعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	FCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCI, CE, Morocco, RCM, CAN ICES-3(B)/NMB-3(B)
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینتل SSD D3-S4510 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

Intel VS سامسونگ

ویژگی	اینتل SSD D3-S4510 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت	اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	-
میزان ظرفیت حافظه	480 MB	۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Intel 64-Layer 3D TLC NAND	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	490 مگابایت بر ثانیه	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	95,000IOPS	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	18,000IOPS	۸۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1.2 پتابایت (PBW)	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	3 وات * حالت فعال ** 1 وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	Yes
اندازه و ابعاد	ضخامت 7 میلی‌متر	2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED	false	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۵ V
وزن محصول	-	۴۶ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه او سی پی سی SSD SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

OCPC VS سامسونگ

ویژگی	او سی پی سی SSD SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت	اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	-
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	V-NAND MLC
کنترلر (Controller)	SM2258XT	-
نرخ خواندن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	450 مگابایت بر ثانیه	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	۵ V
طول عمر متوسط	2,500,000 (MTBF) ساعت	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز نسخه 7 و بالاتر مک لینوکس	-
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, RCM, KCC, RoHS	-
اندازه و ابعاد	6.7 * 69.8 * 100 میلی‌متر	2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۸۸۰۰۰ IOPS
وزن محصول	-	۴۶ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی Z Turbo Drive (Z8 G4) TLC NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

اچ پی VS سامسونگ

ویژگی	اچ پی Z Turbo Drive (Z8 G4) TLC NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 (NVMe)	-
طراحی و ابعاد دستگاه	M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1700 مگابایت بر ثانیه	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	360,000IOPS	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	3300,000IOPS	۸۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت / 1 آمپر	۵ V
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
اندازه و ابعاد	-	2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	-	۴۶ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پاتریوت Viper VP4300 Lite NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

پاتریوت VS سامسونگ

ویژگی	پاتریوت Viper VP4300 Lite NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	TLC	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	7400 مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	6400 مگابایت بر ثانیه	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	1,000,000IOPS	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	700,000IOPS	۸۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1600 (TBW) ترابایت	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۵ V
اندازه و ابعاد	-	2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	-	۴۶ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)با وسترن دیجیتال Blue WDS500G1B0A SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

سامسونگ VS بلو

ویژگی	اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)	وسترن دیجیتال Blue WDS500G1B0A SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت
فناوری رمزنگاری	Yes	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
میزان ظرفیت حافظه	۴ ترابایت	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND MLC	TLC
نرخ خواندن ترتیبی	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه	545 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه	525 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۹۸۰۰۰ IOPS	100,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۸۸۰۰۰ IOPS	80,000IOPS
طول عمر متوسط	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت	1,750,000 ساعت (MTTF) ** 200 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۵ V	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)	7 × 69.85 × 100.5 ميلی‌متر
وزن محصول	۴۶ گرم	37.4 گرم
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	SATA
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2.5 اینچ
حافظه DRAM	-	true
میزان توان مصرفی	-	0.07 وات به صورت میانگین ** 2.85 وات * حالت خواندن ** 4 وات * حالت نوشتن ** 42 تا 46 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 6 تا 7.7 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 5.0G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 4.9G لرزش * حالت غیرفعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	FCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCI
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)با وسترن دیجیتال Blue WDS200T2B0A SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ VS بلو

ویژگی	اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)	وسترن دیجیتال Blue WDS200T2B0A SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت
فناوری رمزنگاری	Yes	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
میزان ظرفیت حافظه	۴ ترابایت	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND MLC	3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۹۸۰۰۰ IOPS	95,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۸۸۰۰۰ IOPS	84,000IOPS
طول عمر متوسط	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت	1,750,000 (MTTF) ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۵ V	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)	7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر
وزن محصول	۴۶ گرم	57.9 گرم
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	SATA
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2.5 اینچ
حافظه DRAM	-	false
میزان توان مصرفی	-	60 میلی‌وات به صورت میانگین ** 3 وات * حالت خواندن ** 3.8 وات * حالت نوشتن ** 56 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 تا 12 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر حداکثر 5.0G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 4.9G لرزش * حالت غیرفعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه نرم‌افزار Western Digital SSD Dashboard نرم‌افزار Acronis True Image WD Edition
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	FCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCI, Morocco
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 870QVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

Samsung VS سامسونگ

ویژگی	سامسونگ 870QVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت	اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 4-bit MLC	V-NAND MLC
کنترلر (Controller)	Samsung MKX	-
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	530 مگابایت بر ثانیه	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	98,000IOPS	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	88,000IOPS	۸۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	1 MB LPDDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	۵ V
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	Yes
اندازه و ابعاد	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر	2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	46 گرم	۴۶ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی S700 SATA M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

اچ پی VS سامسونگ

ویژگی	اچ پی S700 SATA M.2 ظرفیت 250 گیگابایت	اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	510 مگابایت بر ثانیه	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	50,000IOPS	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	80,000IOPS	۸۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	۵ V
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTTF) ** 145 ترابایت (TBW)	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	1.58 وات * حالت فعال ** 0.33 وات * حالت Idle ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
فناوری رمزنگاری	CE, CB, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM	Yes
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز نسخه 7 و بالاتر	-
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6ms الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC نرم‌افزار HP Storage Data Migration Utilities	-
اندازه و ابعاد	3.35 * 22 * 80 میلی‌متر	2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	5 گرم	۴۶ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)با سیلیکون پاور Ace A55 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ VS سیلیکون پاور

ویژگی	اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)	سیلیکون پاور Ace A55 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت
فناوری رمزنگاری	Yes	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
میزان ظرفیت حافظه	۴ ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND MLC	3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۹۸۰۰۰ IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۸۸۰۰۰ IOPS	-
طول عمر متوسط	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت	1,500,000 (MTBF) ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۵ V	5 ولت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	-
اندازه و ابعاد	2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)	7 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	۴۶ گرم	63 گرم
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	SATA
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2.5 اینچ
حافظه DRAM	-	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	true
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم اصلاح خطا (ECC) مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی نرم‌افزار SP Toolbox
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)با تیم گروپ T-Force CARDEA Zero Z340 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ VS ام جی

ویژگی	اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)	تیم گروپ T-Force CARDEA Zero Z340 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
فناوری رمزنگاری	Yes	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
میزان ظرفیت حافظه	۴ ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND MLC	Micron 96L TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۹۸۰۰۰ IOPS	350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۸۸۰۰۰ IOPS	300,000IOPS
طول عمر متوسط	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۵ V	3.3 ولت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)	3.7 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۴۶ گرم	9 گرم
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Phison E12S
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	DDR3L
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)با سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ VS سیلیکون پاور

ویژگی	اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)	سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
فناوری رمزنگاری	Yes	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
میزان ظرفیت حافظه	۴ ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND MLC	Toshiba BiCS3 64L TLC
نرخ خواندن ترتیبی	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۹۸۰۰۰ IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۸۸۰۰۰ IOPS	600,000IOPS
طول عمر متوسط	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت	1655 (TBW) ترابایت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۵ V	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۴۶ گرم	8 گرم
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Phison E12
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	DDR4
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 8.1 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه