مقایسه سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه SSD اینترنال Integral 250GB 2.5 اینچ SATA 3 (سری V2)با سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی	SSD اینترنال Integral 250GB 2.5 اینچ SATA 3 (سری V2)	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت
میزان ظرفیت حافظه	۲۵۰ گیگابایت	4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	TLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۴۵۰ مگابایت بر ثانیه	7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۴۰۰ مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۸۰	1,500,000 (MTBF) ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۵ V	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰.۲ * ۷ میلی‌متر)	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۴۵ گرم	9 گرم
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	No	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	No	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Samsung in-house Controller
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	1,550,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال Integral 500GB M.2 NVMe PCIe Gen3 x4 (سرعت خواندن 3450 و نوشتن 2400 مگابایت بر ثانیه)با سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

اینتگرال VS Samsung

ویژگی	اس اس دی اینترنال Integral 500GB M.2 NVMe PCIe Gen3 x4 (سرعت خواندن 3450 و نوشتن 2400 مگابایت بر ثانیه)	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت
میزان ظرفیت حافظه	۵۰۰ گیگابایت	4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D TLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۳۴۵۰ مگابایت بر ثانیه	7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۲۴۰۰ مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۱۸۸۰۰۰ IOPS	1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۱۵۶۰۰۰ IOPS	1,550,000IOPS
طول عمر متوسط	۲۵۶	1,500,000 (MTBF) ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۳.۳ V	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	M.2 (۲۲ * ۸۰ * ۲.۲۵ میلی‌متر)	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۱۰ گرم	9 گرم
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۳.۱	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	No	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Samsung in-house Controller
حافظه DRAM	-	true
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه SSD اینترنال Integral 4TB ADVANTAGE PRO-2 M.2 PCIe Gen4 NVMeبا سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

اینتگرال VS Samsung

ویژگی	SSD اینترنال Integral 4TB ADVANTAGE PRO-2 M.2 PCIe Gen4 NVMe	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت
میزان ظرفیت حافظه	۴ ترابایت	4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	TLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۷۲۰۰ مگابایت بر ثانیه	7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۶۲۰۰ مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۲۴۰۰	1,500,000 (MTBF) ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۳.۴۷ V	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	M.2 (۲۲ * ۲ * ۸۰ میلی‌متر)	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۶ گرم	9 گرم
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	No	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Samsung in-house Controller
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	1,550,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB1R33424با سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

لنوو VS Samsung

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB1R33424	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت
میزان ظرفیت حافظه	۱۵ ترابایت	4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۶۸۰۰ مگابایت بر ثانیه	7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۶۰۰ مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۳۵ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	U.3 (۱۰۰.۵ * ۱۵ * ۷۰.۱ میلی‌متر)	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۴۰۰ گرم	9 گرم
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Samsung in-house Controller
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	1,550,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
طول عمر متوسط	-	1,500,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A82290با سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

لنوو VS Samsung

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A82290	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت
میزان ظرفیت حافظه	۹۶۰ گیگابایت	4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۹۵۰۰۰ IOPS	1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۶۵۰۰۰ IOPS	1,550,000IOPS
طول عمر متوسط	۳۰۰۰۰۰۰ ساعت	1,500,000 (MTBF) ساعت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر)	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۷۰ گرم	9 گرم
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Samsung in-house Controller
نرخ خواندن ترتیبی	-	7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	6900 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	-	true
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه SSD اینترنال لنوو 4XB7A10244با سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

لنوو VS Samsung

ویژگی	SSD اینترنال لنوو 4XB7A10244	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت
میزان ظرفیت حافظه	۹۶۰ گیگابایت	4 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	۵۴۰ مگابایت بر ثانیه	7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۳۰۰۰۰۰۰ ساعت	1,500,000 (MTBF) ساعت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	3.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر)	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۷۰ گرم	9 گرم
رنگ‌بندی	مشکی	-
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung in-house Controller
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	1,550,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه SSD اینترنال لنوو مدل 4XB7A13625با سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

لنوو VS Samsung

ویژگی	SSD اینترنال لنوو مدل 4XB7A13625	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت
فناوری رمزنگاری	۲۵۶-bit AES	-
میزان ظرفیت حافظه	۲۴۰ گیگابایت	4 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه	7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۲۹۰ مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت	1,500,000 (MTBF) ساعت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	3.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر)	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۶۳ گرم	9 گرم
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung in-house Controller
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	1,550,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایتبا WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

Samsung VS Sandisk

ویژگی	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت	WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD
نوع کاربری حافظه	اینترنال	بازی؛ لپ‌تاپ
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0	PCIe Gen4 x4؛ NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	فرم فاکتور M.2 2280
میزان ظرفیت حافظه	4 ترابایت	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	TLC 3D NAND
کنترلر (Controller)	Samsung in-house Controller	-
نرخ خواندن ترتیبی	7450 مگابایت بر ثانیه	7,250 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	6900 مگابایت بر ثانیه	6,900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	1,400,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	1,550,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	1,500,000 (MTBF) ساعت	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	-
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician	نرم‌افزار WD_BLACK Dashboard (فقط ویندوز)؛ تا 100% بهره‌وری انرژی بیشتر نسبت به نسل قبل؛ تا 35% عملکرد سریع‌تر نسبت به نسل قبل
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	M.2 2280
وزن محصول	9 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	-
شیوه اتصال	-	M.2 NVMe PCIe Gen4
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	Windows (برای عملکرد داشبورد)

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 7N47A00125با سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

لنوو VS Samsung

ویژگی	اس اس دی اینترنال لنوو مدل 7N47A00125	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت
میزان ظرفیت حافظه	۸۰۰ گیگابایت	4 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	۱۰۷۶ مگابایت بر ثانیه	7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۹۳۲ مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۲۴۰۰۰۰ IOPS	1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۱۶۶۰۰۰ IOPS	1,550,000IOPS
طول عمر متوسط	۲۵۰۰۰۰۰ ساعت	1,500,000 (MTBF) ساعت
اندازه و ابعاد	۲.۵"	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
رنگ‌بندی	طوسی	-
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung in-house Controller
حافظه DRAM	-	true
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
وزن محصول	-	9 گرم
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت AORUS Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

GIGABYTE VS Samsung

ویژگی	گیگابایت AORUS Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3‎D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	Phison PS5016-E16	Samsung in-house Controller
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2500 مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	550,000IOPS	1,550,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	512 MB DDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,770,000 ساعت (MTBF) ** 850 ترابایت (TBW)	1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی	5.900 وات * حالت خواندن ** 4500 وات * حالت نوشتن	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان ** نرم‌افزار SSD Tool Box	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
وزن محصول	-	9 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه آیگو S500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

آیگو VS Samsung

ویژگی	آیگو S500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ نوشتن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	550 مگابایت بر ثانیه	1,400,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 40 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 256 ترابایت (TBW)	1,500,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم اصلاح خطا (ECC) الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
اندازه و ابعاد	6.9 * 70.2 * 100.5 میلی‌متر	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	48 گرم	9 گرم
کنترلر (Controller)	-	Samsung in-house Controller
نرخ خواندن ترتیبی	-	7450 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	1,550,000IOPS
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه حافظه SSD اینترنال لنوو 4XB7A17071با سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

لنوو VS Samsung

ویژگی	حافظه SSD اینترنال لنوو 4XB7A17071	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت
میزان ظرفیت حافظه	۲۴۰ گیگابایت	4 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	۵۴۰ مگابایت بر ثانیه	7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۳۱۰ مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۶۷۰۰۰ IOPS	1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۴۰۰۰۰ IOPS	1,550,000IOPS
طول عمر متوسط	۶۵۷	1,500,000 (MTBF) ساعت
اندازه و ابعاد	M.۲	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۱۰ گرم	9 گرم
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	No	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung in-house Controller
حافظه DRAM	-	true
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه