صفحه 2 از مقایسه سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه لنوو 4XB7A17081 SSD اینترنالبا سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی	لنوو 4XB7A17081 SSD اینترنال	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت
فناوری رمزنگاری	Yes	-
میزان ظرفیت حافظه	۲۴۰ گیگابایت	4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۵۴۰ مگابایت بر ثانیه	7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۳۱۰ مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۶۷ IOPS	1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۴۰ IOPS	1,550,000IOPS
طول عمر متوسط	۳۰۰۰۰۰۰ ساعت	1,500,000 (MTBF) ساعت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	۳.۵"	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۷۰ گرم	9 گرم
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	No	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Samsung in-house Controller
حافظه DRAM	-	true
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال MSI Spatium M470 PRO PCIe 4.0 NVMe M.2 1TBبا سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

ام‌اس‌آی VS Samsung

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال MSI Spatium M470 PRO PCIe 4.0 NVMe M.2 1TB	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۹۵۰۰۰۰ IOPS	1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۹۵۰۰۰۰ IOPS	1,550,000IOPS
طول عمر متوسط	۶۴۰	1,500,000 (MTBF) ساعت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	M.2 (۲۲ * ۸۰ * ۲.۱۵ میلی‌متر)	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
فناوری رمزنگاری	Yes	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Samsung in-house Controller
نرخ خواندن ترتیبی	-	7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	6900 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	-	true
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
وزن محصول	-	9 گرم
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه حافظه SSD اینترنال MSI Spatium M450 PCIe 4.0 NVMe M.2 500GBبا سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

ام‌اس‌آی VS Samsung

ویژگی	حافظه SSD اینترنال MSI Spatium M450 PCIe 4.0 NVMe M.2 500GB	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
میزان ظرفیت حافظه	۵۰۰ گیگابایت	4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۳۶۰۰ مگابایت بر ثانیه	7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۲۳۰۰ مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۳۰۰ IOPS	1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۵۵۰ IOPS	1,550,000IOPS
اندازه و ابعاد	M.2 (۲۲ * ۲.۱۵ * ۸۰ میلی‌متر)	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Samsung in-house Controller
حافظه DRAM	-	true
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	1,500,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
وزن محصول	-	9 گرم
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال کیونپ SSD-M2080-256GB-A01با سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

کیونپ VS Samsung

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال کیونپ SSD-M2080-256GB-A01	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت
میزان ظرفیت حافظه	۲۵۶ گیگابایت	4 ترابایت
اندازه و ابعاد	M.۲	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
رنگ‌بندی	آبی	-
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung in-house Controller
نرخ خواندن ترتیبی	-	7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	1,550,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	1,500,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
وزن محصول	-	9 گرم
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال هایپر ایکس SH103S3/240Gبا سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

هایپرایکس VS Samsung

ویژگی	اس اس دی اینترنال هایپر ایکس SH103S3/240G	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت
میزان ظرفیت حافظه	۲۴۰ گیگابایت	4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۵۵۵ مگابایت بر ثانیه	7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۱۰ مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۴۰۰۰۰ IOPS	1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۵۷۰۰۰ IOPS	1,550,000IOPS
طول عمر متوسط	۱۰۰۰۰۰۰ ساعت	1,500,000 (MTBF) ساعت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2.5" (۶۹.۸ * ۹.۵ * ۱۰۰ میلی‌متر)	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۹۷ گرم	9 گرم
رنگ‌بندی	مشکی	-
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
مواد بدنه	Aluminium	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Samsung in-house Controller
حافظه DRAM	-	true
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال گودرام مدل IRDM PROبا سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

گودرم VS Samsung

ویژگی	اس اس دی اینترنال گودرام مدل IRDM PRO	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D TLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۷۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۵۰۰ مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۳۵۰۰۰۰ IOPS	1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۷۰۰۰۰۰ IOPS	1,550,000IOPS
طول عمر متوسط	۷۰۰	1,500,000 (MTBF) ساعت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	M.۲	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
فناوری رمزنگاری	No	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Samsung in-house Controller
حافظه DRAM	-	true
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
وزن محصول	-	9 گرم
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال هایپر ایکس SH103S3/120Gبا سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

هایپرایکس VS Samsung

ویژگی	اس اس دی اینترنال هایپر ایکس SH103S3/120G	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت
میزان ظرفیت حافظه	۱۲۰ گیگابایت	4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۵۵۵ مگابایت بر ثانیه	7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۱۰ مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۲۰۰۰۰ IOPS	1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۶۰۰۰۰ IOPS	1,550,000IOPS
طول عمر متوسط	۱۰۰۰۰۰۰ ساعت	1,500,000 (MTBF) ساعت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2.5" (۶۹.۸ * ۹.۵ * ۱۰۰ میلی‌متر)	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۹۷ گرم	9 گرم
رنگ‌بندی	مشکی	-
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
مواد بدنه	Aluminium	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Samsung in-house Controller
حافظه DRAM	-	true
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال هایپر ایکس SH103S3B/120Gبا سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

هایپرایکس VS Samsung

ویژگی	اس اس دی اینترنال هایپر ایکس SH103S3B/120G	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت
میزان ظرفیت حافظه	۱۲۰ گیگابایت	4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۵۵۵ مگابایت بر ثانیه	7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۱۰ مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۲۰۰۰۰ IOPS	1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۶۰۰۰۰ IOPS	1,550,000IOPS
طول عمر متوسط	۱۰۰۰۰۰۰ ساعت	1,500,000 (MTBF) ساعت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2.5" (۶۹.۸ * ۹.۵ * ۱۰۰ میلی‌متر)	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۹۷ گرم	9 گرم
رنگ‌بندی	مشکی	-
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
مواد بدنه	Aluminium	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Samsung in-house Controller
حافظه DRAM	-	true
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2با سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

گودرم VS Samsung

ویژگی	اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت
میزان ظرفیت حافظه	۲۵۶ گیگابایت	4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه	7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۴۸۰ مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۶۵۰۰۰ IOPS	1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۶۱۴۴۰ IOPS	1,550,000IOPS
طول عمر متوسط	۱۸۰	1,500,000 (MTBF) ساعت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۶۹.۸ میلی‌متر)	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	No	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Samsung in-house Controller
حافظه DRAM	-	true
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
وزن محصول	-	9 گرم
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایتبا SSD اینترنال 135399

KingSpec VS Samsung

ویژگی	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت	SSD اینترنال 135399
نوع کاربری حافظه	درایو حالت جامد داخلی	اینترنال
پورت اتصال حافظه	M.2 2280	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	NVMe Gen3x4	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
شیوه اتصال	NVMe Gen3x4	-
میزان ظرفیت حافظه	512 گیگابایت	4 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	تا 2400 مگابایت بر ثانیه	7450 مگابایت بر ثانیه
مشخصات حافظه فلش (Flash)	حافظه فلش سه‌بعدی NAND (TLC/QLC)	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	کنترلر اصلی با کیفیت بالا	Samsung in-house Controller
قابلیت پشتیبانی از TRIM	بله	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	بله	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	Windows 7-10، RHEL، CentOS، Linux، Ubuntu	-
قابلیت‌های جانبی	تسطیح فرسودگی، LDPC ECC، حفاظت داده سرتاسری	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
اندازه و ابعاد	M.2 2280	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
محتویات جعبه	SSD، مستندات	-
طراحی و ابعاد دستگاه	فرم فاکتور M.2 2280	2280 M.2
نرخ نوشتن ترتیبی	-	6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	1,550,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	1,500,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
وزن محصول	-	9 گرم
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایتبا SSD اینترنال سیگیت مدل BarraCuda Q1

Samsung VS سی‌گیت

ویژگی	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت	SSD اینترنال سیگیت مدل BarraCuda Q1
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	4 ترابایت	۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	QLC ۳D NAND
کنترلر (Controller)	Samsung in-house Controller	-
نرخ خواندن ترتیبی	7450 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	6900 مگابایت بر ثانیه	۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	1,400,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	1,550,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 (MTBF) ساعت	۱۸۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician	-
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۷.۱ میلی‌متر)
وزن محصول	9 گرم	۴۰ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایتبا SSD اینترنال 135398

Samsung VS Samsung

ویژگی	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت	SSD اینترنال 135398
نوع کاربری حافظه	حافظه فلش NAND	اینترنال
پورت اتصال حافظه	M.2 2280	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen 4x4 / PCIe Gen 5x2	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
شیوه اتصال	NVMe	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	4 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	7150 مگابایت بر ثانیه	7450 مگابایت بر ثانیه
مشخصات حافظه فلش (Flash)	آخرین حافظه NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	کنترلر با روکش نیکل	Samsung in-house Controller
سیستم‌عامل‌های سازگار	کامپیوتر شخصی، لپ‌تاپ	-
قابلیت‌های جانبی	فناوری HMB، Intelligent Turbowrite 2.0	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
فناوری رمزنگاری		-
اندازه و ابعاد	M.2 2280	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
محتویات جعبه	SSD (MZ-V9S1T0B/AM)	-
طراحی و ابعاد دستگاه	فرم فاکتور M.2 2280	2280 M.2
میزان توان مصرفی	کارآمد	-
نرخ نوشتن ترتیبی	-	6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	1,550,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	1,500,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	false
وزن محصول	-	9 گرم
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه