صفحه 7 از مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه کروشیال P1 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

ویژگی	کروشیال P1 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 3D NAND	V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1700 مگابایت بر ثانیه	۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	250000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	250000IOPS	-
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	1800000 ساعت (MTTF) ** 400 ترابایت (TBW)	۶۰۰
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	- نرم‌افزار Acronis True Image	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	FCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCI, CE, WEEE, RCM, Morocco, ICES, Halogen Free, RoHS, China RoHS, NVM Express	Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
اندازه و ابعاد	-	۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm)

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVOبا وسترن دیجیتال Black WDS250G2X0C NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

سامسونگ VS خودروسازی دی اس

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO	وسترن دیجیتال Black WDS250G2X0C NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	Yes	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND TLC	-
نرخ خواندن ترتیبی	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه	1600 مگابایت ثانیه
طول عمر متوسط	۶۰۰	2,000,000 (MTTF) ساعت
اندازه و ابعاد	۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm)	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
مجوزها و تاییدیه‌ها	Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA	FCC, UL, TUV, KCC, BSMI, VCCI, C-Tick
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	170,000IOPS
حافظه DRAM	-	false
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	2.8 آمپر
میزان توان مصرفی	-	0.11 وات به صورت میانگین ** 2.5 میلی‌وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر حداکثر 5.0G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 4.9G لرزش * حالت غیرفعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه نرم‌افزار Western Digital SSD Dashboard نرم‌افزار Acronis True Image WD Edition
وزن محصول	-	7.5 گرم
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVOبا ای دیتا XPG GAMMIX S5 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سامسونگ VS ایکس پی جی

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO	ای دیتا XPG GAMMIX S5 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	Yes	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND TLC	3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	2100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۶۰۰	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
اندازه و ابعاد	۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm)	3.7 * 22 * 80 میلی‌متر
مجوزها و تاییدیه‌ها	Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	190,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	180,000IOPS
حافظه DRAM	-	false
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی	-	0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه نرم‌افزار SSD ToolBox نرم‌افزار Acronis True image HD, Disk Migration Utility
وزن محصول	-	11.2 گرم
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه فدک B5 SEREIS 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

فدک مموری VS سامسونگ

ویژگی	فدک B5 SEREIS 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر شوک ** مقاوم * برابر لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه	-
اندازه و ابعاد	7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر	۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm)
وزن محصول	34 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
طول عمر متوسط	-	۶۰۰
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

Samsung VS سامسونگ

ویژگی	سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	V-NAND TLC
کنترلر (Controller)	Samsung MHX	-
نرخ خواندن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	98,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	2GBLPDDR3	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)	۶۰۰
میزان توان مصرفی	3.1 وات * حالت خواندن ** 3.6 وات * حالت نوشتن ** 70 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	Yes
اندازه و ابعاد	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر	۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm)
وزن محصول	54.4 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVOبا سامسونگ PM981a NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سامسونگ VS Samsung

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO	سامسونگ PM981a NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	Yes	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND TLC	TLC
نرخ خواندن ترتیبی	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه	2200 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۶۰۰	-
اندازه و ابعاد	۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm)	2.5 * 22.8 * 78.7 میلی‌متر
مجوزها و تاییدیه‌ها	Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	240,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	480,000IOPS
حافظه DRAM	-	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	true
وزن محصول	-	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کداک X300s NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

کداک VS سامسونگ

ویژگی	کداک X300s NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی	3300 مگابایت بر ثانیه	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3100 مگابایت بر ثانیه	۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	220,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	120,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)	۶۰۰
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابلیت Over-Provision برای افزایش عمر حافظه توان مصرفی پایین ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC)	-
اندازه و ابعاد	2 * 22 * 80 میلی‌متر	۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm)
فناوری رمزنگاری	-	Yes
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کروشیال MX500 SATA M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

Crucial VS سامسونگ

ویژگی	کروشیال MX500 SATA M.2 ظرفیت 250 گیگابایت	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCI Express ۴.۰
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 64-Layer 3D TLC NAND	V-NAND TLC
کنترلر (Controller)	SMI SM2260	-
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	510 مگابایت بر ثانیه	۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	95,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)	۶۰۰
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, Microsoft eDrive, IEEE1667, TCG Opal 2.0	Yes
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, BSMI, C-Tick, VCCI, KCC RRL, RoHS, China RoHS, WEEE, TUV, UL, IC, Morocco, SATA-IO	Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA
اندازه و ابعاد	7 * 22 * 80 میلی‌متر	۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm)
وزن محصول	5.3 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	Yes

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

ای دیتا VS سامسونگ

ویژگی	ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 96L 3D TLC NAND	V-NAND TLC
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2267EN	-
نرخ خواندن ترتیبی	3900 مگابایت بر ثانیه	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3200 مگابایت بر ثانیه	۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	490,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	540,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	DDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1,480 ترابایت (TBW)	۶۰۰
میزان توان مصرفی	0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت Slumber	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	Yes
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, BSMI, KC, RCM, Morocco, EAC	Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA
اندازه و ابعاد	4.3 * 22 * 80 میلی‌متر	۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm)
وزن محصول	10 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	-

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ازگارد AN3 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

ازگارد VS سامسونگ

ویژگی	ازگارد AN3 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	TLC	V-NAND TLC
کنترلر (Controller)	MAP1202	-
نرخ خواندن ترتیبی	3300 مگابایت بر ثانیه	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TWB)	۶۰۰
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
اندازه و ابعاد	2.2 * 22 * 80 میلی‌متر	۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm)
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVOبا وسترن دیجیتال Blue SN580 WDS500G3B0E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

سامسونگ VS بلو

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO	وسترن دیجیتال Blue SN580 WDS500G3B0E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe Gen4 x4
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	Yes	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND TLC	3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	4000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه	3600 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۶۰۰	300 (TBW) ترابایت
اندازه و ابعاد	۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm)	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
مجوزها و تاییدیه‌ها	Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA	BSMI, CAN ICES-3(B)/NMB-3(B), CE, FCC, KCC, Morocco, RCM, TUV, UL, VCCI
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	750,000IOPS
حافظه DRAM	-	false
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 85 درجه سانیتگراد
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
وزن محصول	-	5.5 گرم
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی S700 SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

اچ پی VS سامسونگ

ویژگی	اچ پی S700 SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	-
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 384Gbit 32-Layer 3D TLC NAND	V-NAND TLC
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2258XT	-
نرخ خواندن ترتیبی	555 مگابایت بر ثانیه	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	515 مگابایت بر ثانیه	۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	55,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	80,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTTF) ** 145 ترابایت (TBW)	۶۰۰
میزان توان مصرفی	1.27 وات * حالت فعال ** 0.34 وات * حالت Idle ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز نسخه 7 و بالاتر	-
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار HP Storage Data Migration Utilities	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, CB, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM	Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA
اندازه و ابعاد	6.7 * 69.8 * 100 میلی‌متر	۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm)
وزن محصول	50 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes

مشاهده جزئیات مقایسه