صفحه 8 از مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه او سی پی سی SSD SATA 2.5 Inch ظرفیت 128 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

ویژگی	او سی پی سی SSD SATA 2.5 Inch ظرفیت 128 گیگابایت	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	-
میزان ظرفیت حافظه	128 MB	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	V-NAND TLC
کنترلر (Controller)	SM2258XT	-
نرخ خواندن ترتیبی	480 مگابایت بر ثانیه	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	450 مگابایت بر ثانیه	۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	-
طول عمر متوسط	2,500,000 (MTBF) ساعت	۶۰۰
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز نسخه 7 و بالاتر مک لینوکس	-
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, RCM, KCC, RoHS	Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA
اندازه و ابعاد	6.7 * 69.8 * 100 میلی‌متر	۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm)
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگ مکس SME35 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

کینگ مکس VS سامسونگ

ویژگی	کینگ مکس SME35 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	-
میزان ظرفیت حافظه	480 MB	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC NAND	V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	300 مگابایت بر ثانیه	۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	-
طول عمر متوسط	1,200,000 (MTBF) ساعت	۶۰۰
میزان توان مصرفی	حداکثر 3.5 وات هنگام استفاده و 400 میلی‌وات در حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش و ضربه الگوریتم رفع خطای پیشرفته BCH ECC قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه	-
اندازه و ابعاد	7 * 69.85 * 100 میلی‌متر	۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm)
وزن محصول	71 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کورسیر MP600 PRO LPX NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

Corsair VS سامسونگ

ویژگی	کورسیر MP600 PRO LPX NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی	7100 مگابایت بر ثانیه	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	6800 مگابایت بر ثانیه	۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)	۶۰۰
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	Yes
سیستم‌عامل‌های سازگار	سازگار با پلی‌استیشن 5	-
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 93 صد و دمای 40 جه ** نرم‌افزار Corsair SSD Toolbox	-
اندازه و ابعاد	11 * 23 * 80 میلی‌متر	۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm)
وزن محصول	340 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVOبا وسترن دیجیتال Blue WDS250G1B0B SATA M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

سامسونگ VS بلو

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO	وسترن دیجیتال Blue WDS250G1B0B SATA M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	SATA 6Gb/s
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	SATA
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	Yes	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND TLC	TLC
نرخ خواندن ترتیبی	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه	500 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۶۰۰	1,750,000 ساعت (MTTF) ** 100 ترابایت (TBW)
اندازه و ابعاد	۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm)	2.23 * 22 * 80 میلی‌متر
مجوزها و تاییدیه‌ها	Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA	FCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCI
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	79,000IOPS
حافظه DRAM	-	false
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی	-	70 میلی‌وات به صورت میانگین ** 2.35 وات * حالت خواندن ** 3.4 وات * حالت نوشتن ** 42 تا 45 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 4.9 تا 6 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر حداکثر 5.0G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 4.9G لرزش * حالت غیرفعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Western Digital SSD Dashboard
وزن محصول	-	7 گرم
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی EX900 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

اچ پی VS سامسونگ

ویژگی	اچ پی EX900 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 64L TLC NAND	V-NAND TLC
کنترلر (Controller)	HP Custom SMI SM2263XT	-
نرخ خواندن ترتیبی	2100 مگابایت بر ثانیه	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	100,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	80,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)	۶۰۰
میزان توان مصرفی	3.52 وات * حالت فعال ** 0.68 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز نسخه 7 و بالاتر	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, CB, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM	Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA
اندازه و ابعاد	2.4 * 22 * 80 میلی‌متر	۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm)
وزن محصول	5.4 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کروشیال P3 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

Crucial VS سامسونگ

ویژگی	کروشیال P3 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	-
طول عمر متوسط	440 (TBW) ترابایت	۶۰۰
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS	Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
اندازه و ابعاد	-	۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm)

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

سامسونگ VS سامسونگ

ویژگی	سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	-
میزان ظرفیت حافظه	120 MB	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung 3-bit 2D TLC NAND	V-NAND TLC
کنترلر (Controller)	Samsung MGX	-
نرخ خواندن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	94,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	88,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	256MB DDR3	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 35 ترابایت (TBW)	۶۰۰
میزان توان مصرفی	3.7 وات به صورت میانگین ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	Yes
اندازه و ابعاد	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر	۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm)
وزن محصول	45 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی S700 Pro SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

اچ پی VS سامسونگ

ویژگی	اچ پی S700 Pro SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	-
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 384Gbit 32-Layer 3D TLC NAND	V-NAND TLC
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2258	-
نرخ خواندن ترتیبی	565 مگابایت بر ثانیه	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	85,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	512 MB	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTTF) ** 340 ترابایت (TBW)	۶۰۰
میزان توان مصرفی	3.6 وات * حالت فعال ** 0.58 وات * حالت Idle ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز نسخه 7 و بالاتر	-
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار HP Storage Data Migration Utilities	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, CB, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM	Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA
اندازه و ابعاد	6.7 * 69.8 * 100 میلی‌متر	۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm)
وزن محصول	50 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVOبا اس کی هاینیکس BC711 NVMe M.2 2230 ظرفیت 256 گیگابایت

سامسونگ VS اس کی هاینیکس

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO	اس کی هاینیکس BC711 NVMe M.2 2230 ظرفیت 256 گیگابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 3.0 x4 / NVMe
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	SATA
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	Yes	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND TLC	-
نرخ خواندن ترتیبی	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه	3100 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۶۰۰	-
اندازه و ابعاد	۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm)	2.2 * 22 * 31 میلی‌متر
مجوزها و تاییدیه‌ها	Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	M.2 2230
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	520,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	530,000IOPS
حافظه DRAM	-	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVOبا وسترن دیجیتال Green SN350 NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

سامسونگ VS وسترن دیجیتال

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO	وسترن دیجیتال Green SN350 NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	Yes	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	960 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND TLC	3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	1650 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه	2400 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۶۰۰	1,000,000 ساعت (MTTF) ** 60 ترابایت (TBW)
اندازه و ابعاد	۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm)	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
مجوزها و تاییدیه‌ها	Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA	BSMI, CAN ICES-3(B)/NMB-3(B), CE, FCC, KCC, Morocco, RCM, TUV, UL, VCCI
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	170,000IOPS
حافظه DRAM	-	false
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی	-	حداکثر 3.5 وات * حالت فعال ** 5 میلی‌وات * حالت استندبای
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر حداکثر 5G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 4.9G لرزش * حالت غیرفعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** نرم‌افزار Western Digital SSD Dashboard
وزن محصول	-	7.5 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

سامسونگ VS سامسونگ

ویژگی	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	V-NAND TLC
کنترلر (Controller)	Samsung In-House Controller	-
نرخ خواندن ترتیبی	3100 مگابایت بر ثانیه	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2600 مگابایت بر ثانیه	۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	470,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)	۶۰۰
میزان توان مصرفی	4.3 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	Yes
مجوزها و تاییدیه‌ها	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI	Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm)
وزن محصول	8 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	-

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVOبا سامسونگ PM991 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایت

سامسونگ VS سامسونگ

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO	سامسونگ PM991 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	Yes	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND TLC	-
نرخ خواندن ترتیبی	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	2050 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه	1000 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۶۰۰	-
اندازه و ابعاد	۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm)	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	M.2 2242
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	64,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	220,000IOPS
حافظه DRAM	-	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت / 1.6 آمپر
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه