صفحه 6 از مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه بایواستار S100 SATA 2.5 ظرفیت 240 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

ویژگی	بایواستار S100 SATA 2.5 ظرفیت 240 گیگابایت	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	-
میزان ظرفیت حافظه	240 MB	۱ ترابایت
کنترلر (Controller)	Marvell	-
نرخ خواندن ترتیبی	530 مگابایت بر ثانیه	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	410 مگابایت بر ثانیه	۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز لینوکس مک	-
اندازه و ابعاد	120 * 80 * 7 میلی‌متر	۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm)
وزن محصول	36 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	V-NAND TLC
طول عمر متوسط	-	۶۰۰
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ادلینک S20 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

ادلینک VS سامسونگ

ویژگی	ادلینک S20 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	V-NAND TLC
کنترلر (Controller)	Phison S11	-
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	0.9 تا 3.6 ولت	-
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 500 ترابایت (TBW)	۶۰۰
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز مک OS X لینوکس	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC)	-
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
اندازه و ابعاد	-	۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm)
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کیوکسیا EXCERIA NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

کیوکسیا VS سامسونگ

ویژگی	کیوکسیا EXCERIA NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D BiCS TLC	V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی	1700 مگابایت بر ثانیه	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1600 مگابایت بر ثانیه	۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	350,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 85 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)	۶۰۰
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1000G/0.5 میلی‌ثانیه ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه	-
اندازه و ابعاد	2.23 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm)
وزن محصول	6 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه او سی پی سی MHP-300 HEATSINK ظرفیت 128 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

اچ پی VS سامسونگ

ویژگی	او سی پی سی MHP-300 HEATSINK ظرفیت 128 گیگابایت	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	128 MB	۱ ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	700 مگابایت بر ثانیه	۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	100,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	100,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز مک لینوکس	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC)	-
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	V-NAND TLC
طول عمر متوسط	-	۶۰۰
اندازه و ابعاد	-	۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm)
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVOبا وسترن دیجیتال Black SN750 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ VS وسترن دیجیتال

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO	وسترن دیجیتال Black SN750 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	Yes	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND TLC	SanDisk 64-Layer 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه	2900 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۶۰۰	1,750,000 ساعت (MTTF) ** 1200 ترابایت (TBW)
اندازه و ابعاد	۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm)	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
مجوزها و تاییدیه‌ها	Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA	UL, TUV, CE, BSMI, FCC, KCC, RCM, Morocco, VCCI
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	WD NVMe Architecture
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	480,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	540,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	SK Hynix DDR4
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی	-	100 میلی‌وات به صورت میانگین ** 2.8 میلی‌وات * حالت استندبای
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	نرم‌افزار WD Black SSD Dashboard با پشتیبانی از حالت گیمینگ
وزن محصول	-	7.5 گرم
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVOبا توین موس Hyper H2 Ultra SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ VS توین موس

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO	توین موس Hyper H2 Ultra SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	SATA 6Gb/s
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	SATA
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	Yes	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND TLC	TLC 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	580 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۶۰۰	-
اندازه و ابعاد	۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm)	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2.5 اینچ
کنترلر (Controller)	-	SMI
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	120 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	155 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	-	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز مک OS نسخه 10.1 و بالاتر لینوکس هسته 2.4 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی
رنگ‌بندی	-	خاکستری، رزگلد

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVOبا سیلیکون پاور Ace A56 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت

سامسونگ VS سیلیکون پاور

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO	سیلیکون پاور Ace A56 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	SATA 6Gb/s
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	SATA
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	Yes	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND TLC	3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	460 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه	450 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۶۰۰	1,500,000 (MTBF) ساعت
اندازه و ابعاد	۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm)	7 * 69.85 * 100 میلی‌متر
مجوزها و تاییدیه‌ها	Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2.5 اینچ
حافظه DRAM	-	true
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	true
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم اصلاح خطا (ECC) فناوری Smart Response اینتل نرم‌افزار SP Toolbox مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای فاکس AFSN8HBW480G SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

اچ بی VS سامسونگ

ویژگی	ای فاکس AFSN8HBW480G SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	-
میزان ظرفیت حافظه	480 MB	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	400 مگابایت بر ثانیه	۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	75,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	70,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز XP و بالاتر مک OS لینوکس	-
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از DevSleep ** پشتیبانی از ATA/ATAPI-8	-
اندازه و ابعاد	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر	۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm)
فناوری رمزنگاری	-	Yes
طول عمر متوسط	-	۶۰۰
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVOبا سیلیکون پاور Ace A58 SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

سامسونگ VS سیلیکون پاور

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO	سیلیکون پاور Ace A58 SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	SATA 6Gb/s
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	SATA
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	Yes	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND TLC	3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	460 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه	360 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۶۰۰	1,500,000 (MTBF) ساعت
اندازه و ابعاد	۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm)	7 * 69.9 * 100 میلی‌متر
مجوزها و تاییدیه‌ها	Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA	CE / FCC / ROHS / BSMI / C-TICK / KC / EAC
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2.5 اینچ
حافظه DRAM	-	true
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	true
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم اصلاح خطا (ECC) فناوری Smart Response اینتل ** نرم‌افزار SP Toolbox
وزن محصول	-	63 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVOبا سیلیکون پاور P34A60 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ VS سیلیکون پاور

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO	سیلیکون پاور P34A60 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	Yes	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND TLC	Intel 64-Layer TLC
نرخ خواندن ترتیبی	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	2200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه	1600 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۶۰۰	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
اندازه و ابعاد	۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm)	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
مجوزها و تاییدیه‌ها	Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA	CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Silicon Motion SM2263XT
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	240,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	250,000IOPS
حافظه DRAM	-	false
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 8.1 و بالاتر
وزن محصول	-	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه لکسار NM610 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

لکسار VS سامسونگ

ویژگی	لکسار NM610 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1200 مگابایت بر ثانیه	۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	110,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	151,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 125 ترابایت (TBW)	۶۰۰
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC	-
اندازه و ابعاد	2.25 * 22 * 80 میلی‌متر	۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm)
وزن محصول	9 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کروشیال MX500 SATA M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

Crucial VS سامسونگ

ویژگی	کروشیال MX500 SATA M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 64-Layer 3D TLC NAND	V-NAND TLC
کنترلر (Controller)	SMI SM2260	-
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	510 مگابایت بر ثانیه	۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	95,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 180 ترابایت (TBW)	۶۰۰
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, Microsoft eDrive, IEEE1667, TCG Opal 2.0	Yes
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, BSMI, C-Tick, VCCI, KCC RRL, RoHS, China RoHS, WEEE, TUV, UL, IC, Morocco, SATA-IO	Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA
اندازه و ابعاد	7 * 22 * 80 میلی‌متر	۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm)
وزن محصول	5.3 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	-

مشاهده جزئیات مقایسه