1. مقایسه
  2. مقایسه کالای دیجیتال
  3. مقایسه کامپیوتر و لوازم جانبی
  4. مقایسه تجهیزات ذخیره‌سازی اطلاعات
  5. مقایسه حافظه SSD
  6. مقایسه SSD اینترنال
  7. صفحه 3

صفحه 3 از مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
VS
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVOبا تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ VS ام جی
ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND TLC Toshiba 64-Layer 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۶۰۰ 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
اندازه و ابعاد ۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm) 12.9 * 23.4 * 80.1 میلی‌متر
مجوزها و تاییدیه‌ها Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Phison E12
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 300,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
وزن محصول - 45 گرم
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO با وسترن دیجیتال Black SN770 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
VS
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO با وسترن دیجیتال Black SN770 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVOبا وسترن دیجیتال Black SN770 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ VS وسترن دیجیتال
ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

وسترن دیجیتال Black SN770 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND TLC TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 5150 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه 4850 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۶۰۰ 600 (TBW) ترابایت
اندازه و ابعاد ۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm) 2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
مجوزها و تاییدیه‌ها Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 650,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 800,000IOPS
حافظه DRAM - false
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 80 درجه سانتی‌گراد
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 8.1 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - نرم‌افزار WD Black SSD Dashboard با پشتیبانی از حالت گیمینگ
وزن محصول - 5.5 گرم
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO با سامسونگ PM1735 MZPLJ6T4HALA-00007 ظرفیت 6.4 ترابایت
VS
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO با سامسونگ PM1735 MZPLJ6T4HALA-00007 ظرفیت 6.4 ترابایت

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVOبا سامسونگ PM1735 MZPLJ6T4HALA-00007 ظرفیت 6.4 ترابایت

سامسونگ VS Samsung
ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

سامسونگ PM1735 MZPLJ6T4HALA-00007 ظرفیت 6.4 ترابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 4.0 x8
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 6.4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND TLC -
نرخ خواندن ترتیبی ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 8000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه 3800 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۶۰۰ -
اندازه و ابعاد ۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm) -
مجوزها و تاییدیه‌ها Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA -
طراحی و ابعاد دستگاه - HHHL
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 1,500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 250,000IOPS
حافظه DRAM - false
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه ایسوس ROG Strix SQ7 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO
VS
مقایسه ایسوس ROG Strix SQ7 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

مقایسه ایسوس ROG Strix SQ7 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

ASUS VS سامسونگ
ویژگی

ایسوس ROG Strix SQ7 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND V-NAND TLC
کنترلر (Controller) E18 -
نرخ خواندن ترتیبی 7000 مگابایت بر ثانیه ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 6000 مگابایت بر ثانیه ۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM true -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 256bit Yes
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز 7 و بالاتر ** مک OS نسخه 10.6 و بالاتر ** ان*وید ** کروم OS -
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از کدینگ LPDC ** پشتیبانی از SLC Cache -
مجوزها و تاییدیه‌ها IEEE 1667 Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر ۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm)
وزن محصول 7.7 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -
طول عمر متوسط - ۶۰۰
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه گیگابایت GP-GSM2NE8512GNTD NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت با اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO
VS
مقایسه گیگابایت GP-GSM2NE8512GNTD NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت با اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

مقایسه گیگابایت GP-GSM2NE8512GNTD NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

GIGABYTE VS سامسونگ
ویژگی

گیگابایت GP-GSM2NE8512GNTD NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x2 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) NAND Flash V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی 1200 مگابایت بر ثانیه ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 800 مگابایت بر ثانیه ۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 80,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 150,000IOPS -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت / 1 آمپر -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW) ۶۰۰
میزان توان مصرفی 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.1 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش ** قابلیت نمایش دمای حافظه ** قابلیت Secure Erase به منظور پاکسازی غیرقابل بازگشت داده‌ها ** نرم‌افزار SSD Tool Box -
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر ۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm)
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes
مجوزها و تاییدیه‌ها - Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اینتل SSD D3-S4510 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت با اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO
VS
مقایسه اینتل SSD D3-S4510 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت با اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

مقایسه اینتل SSD D3-S4510 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

Intel VS سامسونگ
ویژگی

اینتل SSD D3-S4510 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ -
میزان ظرفیت حافظه 480 MB ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Intel 64-Layer 3D TLC NAND V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 490 مگابایت بر ثانیه ۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 95,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 18,000IOPS -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1.2 پتابایت (PBW) ۶۰۰
میزان توان مصرفی 3 وات * حالت فعال ** 1 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit Yes
اندازه و ابعاد ضخامت 7 میلی‌متر ۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm)
نشانگر وضعیت LED false -
مجوزها و تاییدیه‌ها - Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO با تیم گروپ L3 EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت
VS
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO با تیم گروپ L3 EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVOبا تیم گروپ L3 EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

سامسونگ VS ام جی
ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

تیم گروپ L3 EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes SATA 6Gb/s
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ SATA
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 240 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND TLC TLC
نرخ خواندن ترتیبی ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه 470 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۶۰۰ 1,000,000 ساعت (MTBF) ** 60 ترابایت (TBW)
اندازه و ابعاد ۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm) 7 * 69.9 * 100 میلی‌متر
مجوزها و تاییدیه‌ها Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2.5 اینچ
حافظه DRAM - false
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** مک OS نسخه 10.4 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد و دمای 0 تا 55 *جه
وزن محصول - 115 گرم
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO با وسترن دیجیتال Green WDS120G2G0B SATA M.2 ظرفیت 120 گیگابایت
VS
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO با وسترن دیجیتال Green WDS120G2G0B SATA M.2 ظرفیت 120 گیگابایت

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVOبا وسترن دیجیتال Green WDS120G2G0B SATA M.2 ظرفیت 120 گیگابایت

سامسونگ VS خودروسازی دی اس
ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

وسترن دیجیتال Green WDS120G2G0B SATA M.2 ظرفیت 120 گیگابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes SATA 6Gb/s
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ SATA
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 120 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND TLC -
نرخ خواندن ترتیبی ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 545 گیگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه 435 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۶۰۰ 1,000,000 (MTTF) ساعت
اندازه و ابعاد ۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm) 1.5 * 22 * 80 میلی‌متر
مجوزها و تاییدیه‌ها Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA FCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCI, CE, Morocco, RCM, CAN ICES-3(B)/NMB-3(B)
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 37,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 63,000IOPS
حافظه DRAM - false
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی - 0.08 وات * حالت میانگین ** 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 0.01 وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت‌های جانبی - پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** مقاوم * برابر حداکثر 5G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 4.9G لرزش * حالت غیرفعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
وزن محصول - 6.46 گرم
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO با وسترن دیجیتال Green WDS240G2G0B SATA M.2 ظرفیت 240 گیگابایت
VS
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO با وسترن دیجیتال Green WDS240G2G0B SATA M.2 ظرفیت 240 گیگابایت

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVOبا وسترن دیجیتال Green WDS240G2G0B SATA M.2 ظرفیت 240 گیگابایت

سامسونگ VS خودروسازی دی اس
ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

وسترن دیجیتال Green WDS240G2G0B SATA M.2 ظرفیت 240 گیگابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes SATA 6Gb/s
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ SATA
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 240 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND TLC -
نرخ خواندن ترتیبی ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 540 گیگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه 465 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۶۰۰ 1,000,000 (MTTF) ساعت
اندازه و ابعاد ۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm) 1.5 * 22 * 80 میلی‌متر
مجوزها و تاییدیه‌ها Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA FCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCI, CE, Morocco, RCM, CAN ICES-3(B)/NMB-3(B)
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 37,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 68,000IOPS
حافظه DRAM - false
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی - 0.08 وات * حالت میانگین ** 2.8 وات * حالت خواندن ** 2.8 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 0.01 وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت‌های جانبی - پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** مقاوم * برابر حداکثر 5G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 4.9G لرزش * حالت غیرفعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
وزن محصول - 6.51 گرم
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه او سی پی سی SSD SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت با اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO
VS
مقایسه او سی پی سی SSD SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت با اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

مقایسه او سی پی سی SSD SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

OCPC VS سامسونگ
ویژگی

او سی پی سی SSD SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ -
میزان ظرفیت حافظه 256 MB ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND V-NAND TLC
کنترلر (Controller) SM2258XT -
نرخ خواندن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 450 مگابایت بر ثانیه ۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
طول عمر متوسط 2,500,000 (MTBF) ساعت ۶۰۰
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** مک ** لینوکس -
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, RCM, KCC, RoHS Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA
اندازه و ابعاد 6.7 * 69.8 * 100 میلی‌متر ۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm)
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO با سامسونگ PM1643 SAS 2.5 Inch ظرفیت 3.84 ترابایت
VS
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO با سامسونگ PM1643 SAS 2.5 Inch ظرفیت 3.84 ترابایت

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVOبا سامسونگ PM1643 SAS 2.5 Inch ظرفیت 3.84 ترابایت

سامسونگ VS Samsung
ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

سامسونگ PM1643 SAS 2.5 Inch ظرفیت 3.84 ترابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes SAS 12Gb/s
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ SAS
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 3.84 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND TLC Samsung 64-Layer TLC V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۶۰۰ 2,000,000 (MTBF) ساعت
اندازه و ابعاد ۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm) 14.8 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر
مجوزها و تاییدیه‌ها Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2.5 اینچ
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 58,000IOPS
حافظه DRAM - false
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ** 12 ولت
میزان توان مصرفی - 13.5 وات * حالت فعال ** 5 وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت‌های جانبی - مناسب تجهیزات شبکه ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC)
وزن محصول - 160 گرم
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO با وسترن دیجیتال Blue WDS400T2B0A SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت
VS
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO با وسترن دیجیتال Blue WDS400T2B0A SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVOبا وسترن دیجیتال Blue WDS400T2B0A SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

سامسونگ VS بلو
ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

وسترن دیجیتال Blue WDS400T2B0A SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes SATA 6Gb/s
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ SATA
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND TLC 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۶۰۰ 1,750,000 (MTTF) ساعت
اندازه و ابعاد ۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm) 7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر
مجوزها و تاییدیه‌ها Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA FCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCI, Morocco
طراحی و ابعاد دستگاه - 2.5 اینچ
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 95,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 82,000IOPS
حافظه DRAM - false
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی - 60 میلی‌وات به صورت میانگین ** 3 وات * حالت خواندن ** 3.8 وات * حالت نوشتن ** 56 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 تا 12 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر حداکثر 5.0G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 4.9G لرزش * حالت غیرفعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Western Digital SSD Dashboard ** نرم‌افزار Acronis True Image WD Edition
وزن محصول - 57.9 گرم
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه