صفحه 2 از مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه گیل Zenith Z3 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

ویژگی

گیل Zenith Z3 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 470 مگابایت بر ثانیه ۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت ۶۰۰
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش -
اندازه و ابعاد 7 * 69.85 * 100 میلی‌متر ۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm)
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes
مجوزها و تاییدیه‌ها - Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA

مقایسه سابرنت Rocket Q4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

ویژگی

سابرنت Rocket Q4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L QLC NAND V-NAND TLC
کنترلر (Controller) Phison PS5016-E16 -
نرخ خواندن ترتیبی 4700 مگابایت بر ثانیه ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه ۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 450,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM DDR4 -
طول عمر متوسط 200 (TBW) ترابایت ۶۰۰
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
اندازه و ابعاد 12.7 * 72.13 * 101.85 میلی‌متر ۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm)
وزن محصول 68 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes
مجوزها و تاییدیه‌ها - Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVOبا توین موس Hyper H2 Ultra SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

توین موس Hyper H2 Ultra SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes SATA 6Gb/s
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ SATA
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND TLC TLC 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 580 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۶۰۰ -
اندازه و ابعاد ۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm) -
مجوزها و تاییدیه‌ها Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2.5 اینچ
کنترلر (Controller) - SMI
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 120 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 155 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM - false
قابلیت پشتیبانی از NCQ - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - true
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز ** مک OS نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس هسته 2.4 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی
رنگ‌بندی - خاکستری، رزگلد

مقایسه کیوکسیا EXCERIA SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

ویژگی

کیوکسیا EXCERIA SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ -
میزان ظرفیت حافظه 240 MB ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D BiCS TLC V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی 555 مگابایت بر ثانیه ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه ۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 79,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 87,000IOPS -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 65 درجه سانتی‌گراد -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 60 ترابایت (TBW) ۶۰۰
میزان توان مصرفی 1.6 وات * حالت فعال ** 100 میلی‌وات * حالت Idle ** 10 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه -
اندازه و ابعاد 7.20 * 70.10 * 100.45 میلی‌متر ۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm)
وزن محصول 45.5 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes
مجوزها و تاییدیه‌ها - Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA

مقایسه کورسیر MP700 PRO Heatsink NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

ویژگی

کورسیر MP700 PRO Heatsink NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 5.0 x4 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی 12400 مگابایت بر ثانیه ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 11800 مگابایت بر ثانیه ۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 1,500,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 1,600,000IOPS -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW) ۶۰۰
میزان توان مصرفی 11.5 W -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit Encryption Yes
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز 10، 11 ** مک OS X -
قابلیت‌های جانبی مقاوم در برابر ضربه تا 1500G -
وزن محصول 11 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -
اندازه و ابعاد - ۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm)
مجوزها و تاییدیه‌ها - Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVOبا تیم گروپ T-Force VULCAN SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

تیم گروپ T-Force VULCAN SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes SATA 6Gb/s
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ SATA
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND TLC Micron 64L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه 500 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۶۰۰ 1,000,000 ساعت (MTBF) ** 120 ترابایت (TBW)
اندازه و ابعاد ۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm) 7 * 69.9 * 100 میلی‌متر
مجوزها و تاییدیه‌ها Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2.5 اینچ
کنترلر (Controller) - Silicon Motion SM2258
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 90,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 75,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR3
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
قابلیت پشتیبانی از NCQ - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** مک OS نسخه 10.4 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVOبا تیم گروپ VULCAN Z SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

تیم گروپ VULCAN Z SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes SATA 6 Gb/s
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ SATA
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND TLC 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه 470 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۶۰۰ 1,000,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TWB)
اندازه و ابعاد ۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm) 7 * 69.9 * 100 میلی‌متر
مجوزها و تاییدیه‌ها Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2.5 اینچ
حافظه DRAM - false
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 7 و بالاتر ** مک OS نسخه 10.4 و بالاتر ** لینوکس هسته 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** پشتیبانی از کدینگ LPDC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
وزن محصول - 45 گرم
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه پاتریوت Viper VP4300 Lite NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

ویژگی

پاتریوت Viper VP4300 Lite NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی 7400 مگابایت بر ثانیه ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 6400 مگابایت بر ثانیه ۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 1,000,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 700,000IOPS -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 800 (TBW) ترابایت ۶۰۰
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes
اندازه و ابعاد - ۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm)
مجوزها و تاییدیه‌ها - Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVOبا تیم گروپ T-Force VULCAN SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

تیم گروپ T-Force VULCAN SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes SATA 6Gb/s
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ SATA
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND TLC Micron 64L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه 510 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۶۰۰ 1,000,000 ساعت (MTBF) ** 240 ترابایت (TBW)
اندازه و ابعاد ۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm) 7 * 69.9 * 100 میلی‌متر
مجوزها و تاییدیه‌ها Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2.5 اینچ
کنترلر (Controller) - Silicon Motion SM2258
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 90,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 80,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR3
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** مک OS نسخه 10.4 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه گیگابایت GP-GSM2NE3100TNTD SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

ویژگی

گیگابایت GP-GSM2NE3100TNTD SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) NAND V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی 2500 مگابایت بر ثانیه ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه ۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 295,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 430,000IOPS -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1,600 ترابایت (TBW) ۶۰۰
میزان توان مصرفی 3.5 وات * حالت خواندن ** 3.3 وات * حالت نوشتن ** 2.1 میلی‌وات * حالت آماده باش -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از Host Memory Buffer ** قابلیت نمایش دمای حافظه ** نرم‌افزار SSD Tool Box -
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر ۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm)
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes
مجوزها و تاییدیه‌ها - Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA

مقایسه کیوکسیا EXCERIA SATA 2.5 Inch ظرفیت 960 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

ویژگی

کیوکسیا EXCERIA SATA 2.5 Inch ظرفیت 960 گیگابایت

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ -
میزان ظرفیت حافظه 960 MB ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D BiCS TLC V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی 555 مگابایت بر ثانیه ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه ۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 81,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 65 درجه سانتی‌گراد -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 240 ترابایت (TBW) ۶۰۰
میزان توان مصرفی 1.7 وات * حالت فعال ** 100 میلی‌وات * حالت Idle ** 10 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه -
اندازه و ابعاد 7.20 * 70.10 * 100.45 میلی‌متر ۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm)
وزن محصول 45.7 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes
مجوزها و تاییدیه‌ها - Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVOبا تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND TLC Toshiba 64-Layer 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۶۰۰ 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
اندازه و ابعاد ۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm) 12.9 * 23.4 * 80.1 میلی‌متر
مجوزها و تاییدیه‌ها Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Phison E12
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 300,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
وزن محصول - 45 گرم
نشانگر وضعیت LED - false