مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVOبا وسترن دیجیتال Black SN850 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO	وسترن دیجیتال Black SN850 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	Yes	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND TLC	BiCS4 96L TLC
نرخ خواندن ترتیبی	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه	5300 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۶۰۰	600 (TBW) ترابایت
اندازه و ابعاد	۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm)	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک) ** 8.8 * 23.4 * 80.2 میلی‌متر (با هیت‌سینک)
مجوزها و تاییدیه‌ها	Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	WD_BLACK G2
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	720,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	DDR4
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی	-	5 میلی‌وات در حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 8.1 و بالاتر
وزن محصول	-	7.5 گرم
نشانگر وضعیت LED	-	true

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کروشیال P3 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

Crucial VS سامسونگ

ویژگی	کروشیال P3 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	-
طول عمر متوسط	220 (TBW) ترابایت	۶۰۰
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS	Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
اندازه و ابعاد	-	۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm)

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVOبا ایکس انرژی FALCON SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

سامسونگ VS ایکس انرژی

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO	ایکس انرژی FALCON SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	SATA 6Gb/s
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	SATA
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	Yes	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	240 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND TLC	TLC
نرخ خواندن ترتیبی	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه	400 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۶۰۰	2,000,000 (MTBF) ساعت
اندازه و ابعاد	۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm)	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA	RoHS, CE, FCC
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2.5 اینچ
حافظه DRAM	-	false
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر حداکثر 16G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVOبا سامسونگ PM1735 MZPLJ1T6HBJR-00007 ظرفیت 1.6 ترابایت

سامسونگ VS Samsung

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO	سامسونگ PM1735 MZPLJ1T6HBJR-00007 ظرفیت 1.6 ترابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 4.0 x8
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	Yes	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	1.6 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND TLC	-
نرخ خواندن ترتیبی	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه	2400 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۶۰۰	-
اندازه و ابعاد	۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm)	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	HHHL
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	200,000IOPS
حافظه DRAM	-	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVOبا ایکس انرژی FALCON SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ VS ایکس انرژی

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO	ایکس انرژی FALCON SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	SATA 6Gb/s
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	SATA
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	Yes	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND TLC	3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه	400 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۶۰۰	2,000,000 (MTBF) ساعت
اندازه و ابعاد	۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm)	7 × 69.85 × 100 میلی‌ متر
مجوزها و تاییدیه‌ها	Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2.5 اینچ
حافظه DRAM	-	false
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر حداکثر 16G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
وزن محصول	-	35 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVOبا توین موس H2 Ultra SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت

سامسونگ VS توین موس

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO	توین موس H2 Ultra SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	SATA 6Gb/s
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	SATA
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	Yes	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND TLC	-
نرخ خواندن ترتیبی	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	580 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۶۰۰	1,500,000 (MTBF) ساعت
اندازه و ابعاد	۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm)	7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر
مجوزها و تاییدیه‌ها	Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2.5 اینچ
حافظه DRAM	-	false
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 98 و بالاتر مک لینوکس کرنل 2.4 و بالاتر

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا SD620 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

ای دیتا VS سامسونگ

ویژگی	ای دیتا SD620 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
شیوه اتصال	Micro-B به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2	-
نرخ خواندن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	460 مگابایت بر ثانیه	۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	5 تا 50 درجه سانتی‌گراد	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز نسخه 8 و بالاتر مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر لینوکس کرنل 2.6 و بالاتر ** ان*وید 8.0 و بالاتر	-
رنگ‌بندی	مشکی، قرمز، آبی	-
اندازه و ابعاد	15.2 * 80 * 80 میلی‌متر	۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm)
وزن محصول	54.9 گرم	-
محتویات جعبه	کابل USB 3.2 ** دفترچه راهنما	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	Yes
پورت اتصال حافظه	-	PCI Express ۴.۰
فناوری رمزنگاری	-	Yes
میزان ظرفیت حافظه	-	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	V-NAND TLC
طول عمر متوسط	-	۶۰۰
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVOبا وسترن دیجیتال Green WDS240G1G0B SATA M.2 ظرفیت 240 گیگابایت

سامسونگ VS خودروسازی دی اس

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO	وسترن دیجیتال Green WDS240G1G0B SATA M.2 ظرفیت 240 گیگابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	SATA 6Gb/s
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	SATA
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	Yes	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	240 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND TLC	-
نرخ خواندن ترتیبی	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه	465 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۶۰۰	1,750,000 (MTBF)
اندازه و ابعاد	۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm)	1.5 * 22 * 80 میلی‌متر
مجوزها و تاییدیه‌ها	Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA	FCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCI
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	37,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	68,000IOPS
حافظه DRAM	-	false
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی	-	0.05 وات * حالت فعال ** 2 وات * حالت خواندن ** 2.5 وات * حالت نوشتن ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 5G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 4.9G لرزش * حالت غیرفعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
وزن محصول	-	6.51 گرم
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه او سی پی سی MHP-300 HEATSINK ظرفیت 256 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

اچ پی VS سامسونگ

ویژگی	او سی پی سی MHP-300 HEATSINK ظرفیت 256 گیگابایت	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	NVMe PCIe Gen3 x4	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	۱ ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1300 مگابایت بر ثانیه	۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	100,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	100,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز مک لینوکس	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC)	-
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	V-NAND TLC
طول عمر متوسط	-	۶۰۰
اندازه و ابعاد	-	۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm)
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پلکستور M8PeG NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

پلکستور VS سامسونگ

ویژگی	پلکستور M8PeG NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	TOSHIBA 15nm Toggle MLC NAND	V-NAND TLC
کنترلر (Controller)	Marvell 88SS1093	-
نرخ خواندن ترتیبی	2500 مگابایت بر ثانیه	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1400 مگابایت بر ثانیه	۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	280,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	240,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	1GB LPDDR3	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت / 2 آمپر	-
طول عمر متوسط	2,400,000 ساعت (MTBF) ** 768 ترابایت (TBW)	۶۰۰
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز نسخه 8.1 و بالاتر ** لینوکس	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	UL, TUV, FCC, CE, BSMI, VCCI, RCM, KCC, EAC, ROHS, WHQL	Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA
اندازه و ابعاد	3.65 * 22 * 80 میلی‌متر	۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm)
وزن محصول	10 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا SC680 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1.92 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

ای دیتا VS سامسونگ

ویژگی	ای دیتا SC680 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1.92 ترابایت	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
شیوه اتصال	Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2	-
میزان ظرفیت حافظه	1.92 ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی	530 مگابایت بر ثانیه	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	460 مگابایت بر ثانیه	۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 35 درجه سانتی‌گراد	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز نسخه 8 و بالاتر مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر لینوکس کرنل 2.6 و بالاتر ** ان*وید 5.0 و بالاتر	-
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر ضربه ** پشتیبانی از کنسول‌های بازی Xbox One و PlayStation 4	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	FCC, CE, KC, EAC, RoHS	Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA
رنگ‌بندی	مشکی، آبی	-
اندازه و ابعاد	10 * 61 * 86.7 میلی‌متر	۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm)
وزن محصول	35 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	true	-
محتویات جعبه	کابل اتصال USB Type-C به USB Type-C کابل اتصال USB Type-C به USB Type-A دفترچه راهنما	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	Yes
پورت اتصال حافظه	-	PCI Express ۴.۰
فناوری رمزنگاری	-	Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
طول عمر متوسط	-	۶۰۰

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیل Zenith Z3 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

گیل VS سامسونگ

ویژگی	گیل Zenith Z3 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	-
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	470 مگابایت بر ثانیه	۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	-
طول عمر متوسط	2,000,000 (MTBF) ساعت	۶۰۰
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش	-
اندازه و ابعاد	7 * 69.85 * 100 میلی‌متر	۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm)
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA

مشاهده جزئیات مقایسه