مقایسه سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه بایواستار S100 SATA 2.5 ظرفیت 256 گیگابایتبا سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

ویژگی

بایواستار S100 SATA 2.5 ظرفیت 256 گیگابایت

سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe Gen 3.0 x4 / NVMe 1.2b
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ M.2 22110
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 960 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) Marvell 88NV1120 Phoenix
نرخ خواندن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 460 مگابایت بر ثانیه 1200 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** لینوکس ** مک -
اندازه و ابعاد ضخامت 7 میلی‌متر 38 × 22 × 110.2 ميلی‌متر
وزن محصول 36 گرم 20 گرم
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 38,000IOPS
نوع حافظه DRAM - Samsung 1.5 GB LPDDR4
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1366 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 8 وات * حالت فعال ** 2.6 وات * حالت Idle
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
مجوزها و تاییدیه‌ها - پشتیبانی از WWN ** پشتیبانی از Garbage Collection ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه

مقایسه کیوکسیا EXCERIA SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایتبا سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

ویژگی

کیوکسیا EXCERIA SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe Gen 3.0 x4 / NVMe 1.2b
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ M.2 22110
میزان ظرفیت حافظه 480 MB 960 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D BiCS TLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی 555 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه 1200 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 82,000IOPS 400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS 38,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 65 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 120 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1366 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 1.6 وات * حالت فعال ** 100 میلی‌وات * حالت Idle ** 10 میلی‌وات * حالت DevSlp 8 وات * حالت فعال ** 2.6 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه -
اندازه و ابعاد 7.20 * 70.10 * 100.45 میلی‌متر 38 × 22 × 110.2 ميلی‌متر
وزن محصول 45.6 گرم 20 گرم
نشانگر وضعیت LED false -
کنترلر (Controller) - Phoenix
نوع حافظه DRAM - Samsung 1.5 GB LPDDR4
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
مجوزها و تاییدیه‌ها - پشتیبانی از WWN ** پشتیبانی از Garbage Collection ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه

مقایسه ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe Gen 3.0 x4 / NVMe 1.2b
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 M.2 22110
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 960 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) PHISON E16 Phoenix
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4400 مگابایت بر ثانیه 1200 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 600,000IOPS 400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 600,000IOPS 38,000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش Samsung 1.5 GB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 1600 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1366 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی حداکثر 6.3 وات هنگام استفاده ** 20 میلی‌وات * حالت Idle 8 وات * حالت فعال ** 2.6 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256bit AES 256-bit
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها -
اندازه و ابعاد 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر 38 × 22 × 110.2 ميلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false -
مجوزها و تاییدیه‌ها - پشتیبانی از WWN ** پشتیبانی از Garbage Collection ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
وزن محصول - 20 گرم

مقایسه سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایتبا سن دیسک X400 SD8SN8U-1122 SATA M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

سن دیسک X400 SD8SN8U-1122 SATA M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen 3.0 x4 / NVMe 1.2b SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه M.2 22110 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 960 MB 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC SLC، TLC
کنترلر (Controller) Phoenix -
نرخ خواندن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه 540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1200 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 400,000IOPS 93,500IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 38,000IOPS 60,000IOPS
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM Samsung 1.5 GB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1366 ترابایت (TBW) 80 (TBW) ترابایت
میزان توان مصرفی 8 وات * حالت فعال ** 2.6 وات * حالت Idle 0.07 وات * حالت فعال ** 2.35 وات * حالت خواندن ** 3.4 وات * حالت نوشتن
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
مجوزها و تاییدیه‌ها پشتیبانی از WWN ** پشتیبانی از Garbage Collection ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه FCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCI
اندازه و ابعاد 38 × 22 × 110.2 ميلی‌متر 1.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 20 گرم 7 گرم
قابلیت‌های جانبی - پشتیبانی از TCG OPAL 2.0 ** فناوری nCache 2.0 ** مقاوم * برابر حداکثر 5G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه

مقایسه سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایتبا ای دیتا XPG SX6000 Lite NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

ای دیتا XPG SX6000 Lite NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen 3.0 x4 / NVMe 1.2b PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه M.2 22110 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 960 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC 3D NAND
کنترلر (Controller) Phoenix -
نرخ خواندن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1200 مگابایت بر ثانیه 1200 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 400,000IOPS 220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 38,000IOPS 200,000IOPS
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM Samsung 1.5 GB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1366 ترابایت (TBW) 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 480 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 8 وات * حالت فعال ** 2.6 وات * حالت Idle 0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 میلی‌وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
مجوزها و تاییدیه‌ها پشتیبانی از WWN ** پشتیبانی از Garbage Collection ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC
اندازه و ابعاد 38 × 22 × 110.2 ميلی‌متر 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 20 گرم 8 گرم
قابلیت‌های جانبی - مناسب لپ‌تاپ و دسکتاپ ** پشتیبانی از SLC Cache و HMB ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** نرم‌افزار SSD ToolBox ** نرم‌افزار Acronis True image HD, Disk Migration Utility
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه آیگو P2000 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

ویژگی

آیگو P2000 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe PCIe Gen 3.0 x4 / NVMe 1.2b
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 M.2 22110
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 960 MB
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1400 مگابایت بر ثانیه 1200 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز 7 و بالاتر ** مک OS نسخه 10.6 و بالاتر -
اندازه و ابعاد 2.1 * 22 * 80 میلی‌متر 38 × 22 × 110.2 ميلی‌متر
وزن محصول 5 گرم 20 گرم
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) - Phoenix
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 38,000IOPS
نوع حافظه DRAM - Samsung 1.5 GB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1366 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 8 وات * حالت فعال ** 2.6 وات * حالت Idle
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
مجوزها و تاییدیه‌ها - پشتیبانی از WWN ** پشتیبانی از Garbage Collection ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه

مقایسه ای دیتا LEGEND 960 MAX NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

ویژگی

ای دیتا LEGEND 960 MAX NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 PCIe Gen 3.0 x4 / NVMe 1.2b
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 M.2 22110
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 960 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی 7400 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 6800 مگابایت بر ثانیه 1200 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 750,000IOPS 400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 630,000IOPS 38,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1366 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ** سازگار با ما*بوردهای اینتل و AMD ** پشتیبانی از نرم‌افزار SSD Toolbox ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه -
اندازه و ابعاد 10.65 * 23.2 * 80.6 میلی‌متر (با هیت سینک) ** 3.3 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت سینک) 38 × 22 × 110.2 ميلی‌متر
وزن محصول 36.6 گرم (با هیت سینک) ** 7.3 گرم (بدون هیت سینک) 20 گرم
نشانگر وضعیت LED false -
کنترلر (Controller) - Phoenix
نوع حافظه DRAM - Samsung 1.5 GB LPDDR4
میزان توان مصرفی - 8 وات * حالت فعال ** 2.6 وات * حالت Idle
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
مجوزها و تاییدیه‌ها - پشتیبانی از WWN ** پشتیبانی از Garbage Collection ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه

مقایسه گیگابایت M30 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

ویژگی

گیگابایت M30 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe Gen 3.0 x4 / NVMe 1.2b
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 M.2 22110
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 960 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2600 مگابایت بر ثانیه 1200 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 350,000IOPS 400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 302,000IOPS 38,000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM 2 MB DDR3L Samsung 1.5 GB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 350 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1366 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 5.9 وات * حالت خواندن ** 5 وات * حالت نوشتن ** 3 میلی‌وات * حالت Idle 8 وات * حالت فعال ** 2.6 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** نرم‌افزار SSD Tool box -
مجوزها و تاییدیه‌ها FCC, CE, UKCA, KC, EAC پشتیبانی از WWN ** پشتیبانی از Garbage Collection ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 38 × 22 × 110.2 ميلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false -
کنترلر (Controller) - Phoenix
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
وزن محصول - 20 گرم

مقایسه لکسار NM800 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

ویژگی

لکسار NM800 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe Gen 3.0 x4 / NVMe 1.2b
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 M.2 22110
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 960 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی 7000 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه 1200 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 400,000IOPS 400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 750,000IOPS 38,000IOPS
حافظه DRAM false true
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1366 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
نشانگر وضعیت LED false -
کنترلر (Controller) - Phoenix
نوع حافظه DRAM - Samsung 1.5 GB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی - 8 وات * حالت فعال ** 2.6 وات * حالت Idle
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
مجوزها و تاییدیه‌ها - پشتیبانی از WWN ** پشتیبانی از Garbage Collection ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد - 38 × 22 × 110.2 ميلی‌متر
وزن محصول - 20 گرم

مقایسه پی ان وای CS900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایتبا سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

ویژگی

پی ان وای CS900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe Gen 3.0 x4 / NVMe 1.2b
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ M.2 22110
میزان ظرفیت حافظه 480 MB 960 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 1200 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1366 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
اندازه و ابعاد 6.3 * 69.85 * 99 میلی‌متر 38 × 22 × 110.2 ميلی‌متر
وزن محصول 45 گرم 20 گرم
نشانگر وضعیت LED false -
کنترلر (Controller) - Phoenix
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 38,000IOPS
نوع حافظه DRAM - Samsung 1.5 GB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی - 8 وات * حالت فعال ** 2.6 وات * حالت Idle
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
مجوزها و تاییدیه‌ها - پشتیبانی از WWN ** پشتیبانی از Garbage Collection ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه

مقایسه سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایتبا ولیوتک SUPERSONIC M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

ولیوتک SUPERSONIC M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen 3.0 x4 / NVMe 1.2b SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه M.2 22110 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 960 MB 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC TLC 3D NAND
کنترلر (Controller) Phoenix SMI 2258XT+INTEL N18
نرخ خواندن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه 461 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1200 مگابایت بر ثانیه 398 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 400,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 38,000IOPS -
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM Samsung 1.5 GB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1366 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 8 وات * حالت فعال ** 2.6 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
مجوزها و تاییدیه‌ها پشتیبانی از WWN ** پشتیبانی از Garbage Collection ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه CE,ROHS,FCC
اندازه و ابعاد 38 × 22 × 110.2 ميلی‌متر 0.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 20 گرم -
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز XP و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایتبا تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen 3.0 x4 / NVMe 1.2b PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه M.2 22110 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 960 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC Micron 96L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) Phoenix Silicon Motion SM2263XT
نرخ خواندن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1200 مگابایت بر ثانیه 1500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 400,000IOPS 220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 38,000IOPS 200,000IOPS
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM Samsung 1.5 GB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1366 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 8 وات * حالت فعال ** 2.6 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
مجوزها و تاییدیه‌ها پشتیبانی از WWN ** پشتیبانی از Garbage Collection ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه -
اندازه و ابعاد 38 × 22 × 110.2 ميلی‌متر 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 20 گرم 6 گرم
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
نشانگر وضعیت LED - false