1. مقایسه
  2. مقایسه کالای دیجیتال
  3. مقایسه کامپیوتر و لوازم جانبی
  4. مقایسه تجهیزات ذخیره‌سازی اطلاعات
  5. مقایسه حافظه SSD
  6. مقایسه SSD اینترنال
  7. صفحه 2

صفحه 2 از مقایسه سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1L68661 با سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1L68661 با سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1L68661با سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

لنوو VS Samsung
ویژگی

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1L68661

سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

میزان ظرفیت حافظه ۵۱۲ گیگابایت 960 MB
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۸۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۲.۳۸ میلی‌متر) 38 × 22 × 110.2 ميلی‌متر
وزن محصول ۶.۵ گرم 20 گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe Gen 3.0 x4 / NVMe 1.2b
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - M.2 22110
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) - Phoenix
نرخ خواندن ترتیبی - 3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 1200 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 38,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - Samsung 1.5 GB LPDDR4
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1366 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 8 وات * حالت فعال ** 2.6 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
مجوزها و تاییدیه‌ها - پشتیبانی از WWN ** پشتیبانی از Garbage Collection ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت با اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)
VS
مقایسه سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت با اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

مقایسه سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

Samsung VS سامسونگ
ویژگی

سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen 3.0 x4 / NVMe 1.2b -
طراحی و ابعاد دستگاه M.2 22110 -
میزان ظرفیت حافظه 960 MB ۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC V-NAND MLC
کنترلر (Controller) Phoenix -
نرخ خواندن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1200 مگابایت بر ثانیه ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 400,000IOPS ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 38,000IOPS ۸۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM Samsung 1.5 GB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1366 ترابایت (TBW) ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 8 وات * حالت فعال ** 2.6 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit Yes
مجوزها و تاییدیه‌ها پشتیبانی از WWN ** پشتیبانی از Garbage Collection ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه -
اندازه و ابعاد 38 × 22 × 110.2 ميلی‌متر 2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول 20 گرم ۴۶ گرم
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال فیلیپس FM24SS120B/00 با سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال فیلیپس FM24SS120B/00 با سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال فیلیپس FM24SS120B/00با سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

فیلیپس VS Samsung
ویژگی

اس اس دی اینترنال فیلیپس FM24SS120B/00

سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

میزان ظرفیت حافظه ۲۴۰ گیگابایت 960 MB
نرخ خواندن ترتیبی ۴۵۰ مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۳۶۰ مگابایت بر ثانیه 1200 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۵ V -
اندازه و ابعاد 2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۷۰ میلی‌متر) 38 × 22 × 110.2 ميلی‌متر
وزن محصول ۳۸.۲ گرم 20 گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe Gen 3.0 x4 / NVMe 1.2b
طراحی و ابعاد دستگاه - M.2 22110
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) - Phoenix
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 38,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - Samsung 1.5 GB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1366 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 8 وات * حالت فعال ** 2.6 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
مجوزها و تاییدیه‌ها - پشتیبانی از WWN ** پشتیبانی از Garbage Collection ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت با اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S
VS
مقایسه سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت با اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S

مقایسه سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S

Samsung VS سی‌گیت
ویژگی

سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen 3.0 x4 / NVMe 1.2b Yes
طراحی و ابعاد دستگاه M.2 22110 -
میزان ظرفیت حافظه 960 MB ۱۵ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC ۳D eTLC
کنترلر (Controller) Phoenix -
نرخ خواندن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1200 مگابایت بر ثانیه ۷۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 400,000IOPS ۱۷۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 38,000IOPS ۱۹۵۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM Samsung 1.5 GB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1366 ترابایت (TBW) ۲۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 8 وات * حالت فعال ** 2.6 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
مجوزها و تاییدیه‌ها پشتیبانی از WWN ** پشتیبانی از Garbage Collection ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه -
اندازه و ابعاد 38 × 22 × 110.2 ميلی‌متر 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۱۴.۹ میلی‌متر)
وزن محصول 20 گرم ۲۰۵ گرم
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۱۲ V
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVO با سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت
VS
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVO با سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVOبا سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

سامسونگ VS Samsung
ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVO

سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe Gen 3.0 x4 / NVMe 1.2b
پورت اتصال حافظه PCI Express ۳.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 960 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND MLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی ۳۴۰۰ مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۲۵۰۰ مگابایت بر ثانیه 1200 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1366 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر) 38 × 22 × 110.2 ميلی‌متر
وزن محصول ۸ گرم 20 گرم
رنگ‌بندی مشکی -
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS پشتیبانی از WWN ** پشتیبانی از Garbage Collection ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
طراحی و ابعاد دستگاه - M.2 22110
کنترلر (Controller) - Phoenix
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 38,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - Samsung 1.5 GB LPDDR4
میزان توان مصرفی - 8 وات * حالت فعال ** 2.6 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 4 ترابایت با سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت
VS
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 4 ترابایت با سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 4 ترابایتبا سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

کینگستون VS Samsung
ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 4 ترابایت

سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

میزان ظرفیت حافظه ۴ ترابایت 960 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی ۱۴۸۰۰ مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 1200 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۲۲۰۰۰۰۰ IOPS 400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۲۲۰۰۰۰۰ IOPS 38,000IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1366 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر) 38 × 22 × 110.2 ميلی‌متر
وزن محصول ۷.۷ گرم 20 گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۵.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe Gen 3.0 x4 / NVMe 1.2b
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - M.2 22110
کنترلر (Controller) - Phoenix
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - Samsung 1.5 GB LPDDR4
میزان توان مصرفی - 8 وات * حالت فعال ** 2.6 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
مجوزها و تاییدیه‌ها - پشتیبانی از WWN ** پشتیبانی از Garbage Collection ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی سازمانی کینگستون 3.84 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe با سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت
VS
مقایسه اس اس دی سازمانی کینگستون 3.84 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe با سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

مقایسه اس اس دی سازمانی کینگستون 3.84 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMeبا سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

کینگستون VS Samsung
ویژگی

اس اس دی سازمانی کینگستون 3.84 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe

سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

فناوری رمزنگاری Yes AES 256-bit
میزان ظرفیت حافظه ۳.۸۴ ترابایت 960 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D eTLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی ۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۸۰۰ مگابایت بر ثانیه 1200 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۲۷۰۰۰۰۰ IOPS 400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۳۰۰۰۰۰ IOPS 38,000IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1366 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد U.2 (۶۹.۸ * ۱۰۰.۵ * ۱۴.۸ میلی‌متر) 38 × 22 × 110.2 ميلی‌متر
وزن محصول ۱۴۶.۲ گرم 20 گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۵.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe Gen 3.0 x4 / NVMe 1.2b
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - M.2 22110
کنترلر (Controller) - Phoenix
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - Samsung 1.5 GB LPDDR4
میزان توان مصرفی - 8 وات * حالت فعال ** 2.6 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
مجوزها و تاییدیه‌ها - پشتیبانی از WWN ** پشتیبانی از Garbage Collection ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 1 ترابایت با سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت
VS
مقایسه SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 1 ترابایت با سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

مقایسه SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

کینگستون VS Samsung
ویژگی

SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 960 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی ۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 1200 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۳۲۰ 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1366 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2230 (22 x 30 mm) (۳۰ * ۲۲ * ۲.۳ میلی‌متر) 38 × 22 × 110.2 ميلی‌متر
وزن محصول ۲.۸ گرم 20 گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe Gen 3.0 x4 / NVMe 1.2b
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - M.2 22110
کنترلر (Controller) - Phoenix
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 38,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - Samsung 1.5 GB LPDDR4
میزان توان مصرفی - 8 وات * حالت فعال ** 2.6 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
مجوزها و تاییدیه‌ها - پشتیبانی از WWN ** پشتیبانی از Garbage Collection ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90875 با سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90875 با سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90875با سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

لنوو VS Samsung
ویژگی

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90875

سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱.۹۲ ترابایت 960 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND TLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۸۲۰۰۰ IOPS 400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۲۸۰۰۰ IOPS 38,000IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1366 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر) 38 × 22 × 110.2 ميلی‌متر
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No PCIe Gen 3.0 x4 / NVMe 1.2b
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
طراحی و ابعاد دستگاه - M.2 22110
کنترلر (Controller) - Phoenix
نرخ خواندن ترتیبی - 3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 1200 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - Samsung 1.5 GB LPDDR4
میزان توان مصرفی - 8 وات * حالت فعال ** 2.6 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
مجوزها و تاییدیه‌ها - پشتیبانی از WWN ** پشتیبانی از Garbage Collection ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
وزن محصول - 20 گرم
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1D04758 با سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1D04758 با سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1D04758با سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

لنوو VS Samsung
ویژگی

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1D04758

سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 960 MB
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۶ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰ * ۲۲ * ۲.۳۸ میلی‌متر) 38 × 22 × 110.2 ميلی‌متر
وزن محصول ۹ گرم 20 گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe Gen 3.0 x4 / NVMe 1.2b
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - M.2 22110
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) - Phoenix
نرخ خواندن ترتیبی - 3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 1200 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 38,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - Samsung 1.5 GB LPDDR4
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1366 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 8 وات * حالت فعال ** 2.6 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
مجوزها و تاییدیه‌ها - پشتیبانی از WWN ** پشتیبانی از Garbage Collection ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت با اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000
VS
مقایسه سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت با اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000

مقایسه سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000

Samsung VS سی‌گیت
ویژگی

سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۳.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen 3.0 x4 / NVMe 1.2b Yes
طراحی و ابعاد دستگاه M.2 22110 -
میزان ظرفیت حافظه 960 MB ۱.۹۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC ۳D cMLC
کنترلر (Controller) Phoenix -
نرخ خواندن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 1200 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 400,000IOPS ۲۴۵۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 38,000IOPS ۲۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM Samsung 1.5 GB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1366 ترابایت (TBW) ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 8 وات * حالت فعال ** 2.6 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
مجوزها و تاییدیه‌ها پشتیبانی از WWN ** پشتیبانی از Garbage Collection ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه -
اندازه و ابعاد 38 × 22 × 110.2 ميلی‌متر M.2 (۲۲ * ۱۱۰ * ۲ میلی‌متر)
وزن محصول 20 گرم ۱۴ گرم
رنگ‌بندی - Black, Green
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 1 ترابایت با سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت
VS
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 1 ترابایت با سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 1 ترابایتبا سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

کینگستون VS Samsung
ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 1 ترابایت

سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 960 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی ۱۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۱۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 1200 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۲۲۰۰۰۰۰ IOPS 400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۲۱۵۰۰۰۰ IOPS 38,000IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1366 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر) 38 × 22 × 110.2 ميلی‌متر
وزن محصول ۷.۳ گرم 20 گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۵.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe Gen 3.0 x4 / NVMe 1.2b
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - M.2 22110
کنترلر (Controller) - Phoenix
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - Samsung 1.5 GB LPDDR4
میزان توان مصرفی - 8 وات * حالت فعال ** 2.6 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
مجوزها و تاییدیه‌ها - پشتیبانی از WWN ** پشتیبانی از Garbage Collection ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مشاهده جزئیات مقایسه