نوع کاربری حافظه | اینترنال | اینترنال |
---|---|---|
پورت اتصال حافظه | PCIe NVMe | SATA |
جزئیات اتصال ذخیرهسازی | PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c | - |
طراحی و ابعاد دستگاه | 2280 M.2 | 2280 M.2 |
---|
میزان ظرفیت حافظه | 250 گیگابایت | 250 گیگابایت |
---|---|---|
مشخصات حافظه فلش (Flash) | Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND | Samsung V-NAND 3-bit MLC |
کنترلر (Controller) | Samsung Elpis | Samsung MJX |
نرخ خواندن ترتیبی | 6400 مگابایت بر ثانیه | 550 مگابایت بر ثانیه |
نرخ نوشتن ترتیبی | 2700 مگابایت بر ثانیه | 520 مگابایت بر ثانیه |
سرعت خواندن تصادفی دادهها | 500,000IOPS | 97000IOPS |
سرعت نوشتن تصادفی دادهها | 600,000IOPS | 88000IOPS |
حافظه DRAM | دارد | دارد |
نوع حافظه DRAM | 512 مگابایت LPDDR4 | 512MB LPDDR4 |
محدوده دمای عملیاتی | 0 تا 70 درجه سانتیگراد | 0 تا 70 درجه سانتیگراد |
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) | 3.3 ولت | - |
طول عمر متوسط | - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 150 ترابایت (TBW) | - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 150 ترابایت (TBW) |
میزان توان مصرفی | - 5 وات در حالت خواندن - 3.9 وات در حالت نوشتن - 35 میلیوات در حالت آماده باش | - 2.2 وات در حالت خواندن - 2.2 وات در حالت نوشتن - 50 میلیوات در حالت آماده باش - 2 میلیوات در حالت DevSlp |
---|
قابلیت پشتیبانی از NCQ | ندارد | ندارد |
---|---|---|
قابلیت پشتیبانی از TRIM | دارد | دارد |
قابلیت پشتیبانی از RAID | ندارد | ندارد |
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T | دارد | دارد |
فناوری رمزنگاری | AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 | AES 256-bit |
اندازه و ابعاد | 2.38 × 22.15 × 80.15 میلیمتر | 2.38 × 22.15 × 80.15 میلیمتر |
---|---|---|
وزن محصول | 9 گرم | 8 گرم |
نشانگر وضعیت LED | ندارد | ندارد |
---|
شما چه امتیازی می دهید؟