1. مقایسه
  2. مقایسه کالای دیجیتال
  3. مقایسه کامپیوتر و لوازم جانبی
  4. مقایسه تجهیزات ذخیره‌سازی اطلاعات
  5. مقایسه حافظه SSD
  6. صفحه 2

صفحه 2 از مقایسه حافظه SSD

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

VS
مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

بایواستار VS سامسونگ
ویژگی

بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED false false
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** لینوکس ** مک -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت‌های جانبی محافظت از داده‌ها در مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 25 گرم 9 گرم
میزان توان مصرفی - 6.2 وات * حالت خواندن ** 5.7 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 1,000,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 3.3 ولت
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263XT Samsung Elpis
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه داهوا C800A SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه داهوا C800A SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه داهوا C800A SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایتبا سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

داهوا VS سامسونگ
ویژگی

داهوا C800A SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر حداکثر 0.5G لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد ** پشتیبانی از SLC Cache -
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 7 * 69.9 * 100.2 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 40 گرم 9 گرم
میزان توان مصرفی حداکثر 1.2 وات هنگام استفاده ** 370 میلی‌وات * حالت استندبای 6.2 وات * حالت خواندن ** 5.7 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 1,000,000IOPS
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 240 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 450 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung Elpis
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه هایک ویژن C100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه هایک ویژن C100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه هایک ویژن C100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایتبا سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

هایک ویژن VS سامسونگ
ویژگی

هایک ویژن C100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت

سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 7 * 69.9 * 100.1 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 59 گرم 9 گرم
میزان توان مصرفی 1.25 وات * حالت خواندن ** 1.28 وات * حالت نوشتن ** 0.3 میلی‌وات * حالت آماده باش 6.2 وات * حالت خواندن ** 5.7 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 1,000,000IOPS
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 120 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 435 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung Elpis
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ VS سامسونگ
ویژگی

سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED - false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 2.38 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول - 9 گرم
میزان توان مصرفی - 6.2 وات * حالت خواندن ** 5.7 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM true true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 500,000IOPS 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 600,000IOPS 1,000,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung TLC V-NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 6400 مگابایت بر ثانیه 7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2700 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM LPDDR4 1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) S4LV003 Samsung Elpis
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه سامسونگ T5 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه سامسونگ T5 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه سامسونگ T5 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ VS سامسونگ
ویژگی

سامسونگ T5 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

محتویات جعبه کابل USB نوع C به USB نوع A ** کابل USB نوع C به USB نوع C ** دفترچه راهنما -
نشانگر وضعیت LED false false
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** مک OS X نسخه 10.9 و بالاتر ** ان*وید 4.4 و بالاتر -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از UASP ** نرم‌افزار Samsung Portable SSD -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, BSMI, KC, VCCI, C-tick, FCC, IC, UL, TUV, CB, RoHS2 -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه - PCIe NVMe
شیوه اتصال Type-C به Type-C از نوع USB 3.1 Gen 2 -
اندازه و ابعاد 10.5 * 57.3 * 74 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
رنگ‌بندی آبی، قرمز، طلایی، مشکی -
مواد بدنه پلاستیک -
وزن محصول 51 گرم 9 گرم
میزان توان مصرفی - 6.2 وات * حالت خواندن ** 5.7 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 1,000,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 60 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung 64L TLC V-NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه 7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 5000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) Samsung MGX Samsung Elpis
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اینتل VS سامسونگ
ویژگی

اینتل SSD 660p Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED - false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 10 گرم 9 گرم
میزان توان مصرفی 0.1 وات * حالت فعال ** 40 میلی‌وات * حالت Idle 6.2 وات * حالت خواندن ** 5.7 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM true true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 220,000IOPS 1,000,000IOPS
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) IMFT 64L 3D QLC Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه 7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM NANYA DDR3L 1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) SMI 2263 Samsung Elpis
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه وسترن دیجیتال Green WDS480G1G0B SATA M.2 ظرفیت 480 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه وسترن دیجیتال Green WDS480G1G0B SATA M.2 ظرفیت 480 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه وسترن دیجیتال Green WDS480G1G0B SATA M.2 ظرفیت 480 گیگابایتبا سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

خودروسازی دی اس VS سامسونگ
ویژگی

وسترن دیجیتال Green WDS480G1G0B SATA M.2 ظرفیت 480 گیگابایت

سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 5G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 4.9G لرزش * حالت غیرفعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 1.5 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 6.51 گرم 9 گرم
میزان توان مصرفی - 6.2 وات * حالت خواندن ** 5.7 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 1,000,000IOPS
طول عمر متوسط 1,750,000 (MTBF) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 480 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه 7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 465 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung Elpis
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه لکسار NM610 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه لکسار NM610 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه لکسار NM610 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

لکسار VS سامسونگ
ویژگی

لکسار NM610 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 2.25 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 9 گرم 9 گرم
میزان توان مصرفی - 6.2 وات * حالت خواندن ** 5.7 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 110,000IOPS 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 151,000IOPS 1,000,000IOPS
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 125 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 250 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1200 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung Elpis
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه وسترن دیجیتال Blue WDS500G2B0A SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه وسترن دیجیتال Blue WDS500G2B0A SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه وسترن دیجیتال Blue WDS500G2B0A SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

بلو VS سامسونگ
ویژگی

وسترن دیجیتال Blue WDS500G2B0A SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
مجوزها و تاییدیه‌ها FCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCI, Morocco -
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 37.4 گرم 9 گرم
میزان توان مصرفی 2.05 وات * حالت خواندن ** 3.35 وات * حالت نوشتن ** 52 میلی‌وات به صورت میانگین ** 56 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 تا 7 میلی‌وات * حالت DevSlp 6.2 وات * حالت خواندن ** 5.7 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 95,000ّIOPS 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 84,000ّIOPS 1,000,000IOPS
طول عمر متوسط 1,750,000 ساعت (MTTF) ** 200 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه 7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung Elpis
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه دیتاپلاس DP800 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه دیتاپلاس DP800 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه دیتاپلاس DP800 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایتبا سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

داهوا VS سامسونگ
ویژگی

دیتاپلاس DP800 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED - false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
اندازه و ابعاد - 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 35 گرم 9 گرم
میزان توان مصرفی - 6.2 وات * حالت خواندن ** 5.7 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM - true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 1,000,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 240 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 400 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung Elpis
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه گیگابایت AORUS Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه گیگابایت AORUS Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه گیگابایت AORUS Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

گیگابایت VS سامسونگ
ویژگی

گیگابایت AORUS Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان ** نرم‌افزار SSD Tool Box -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول - 9 گرم
میزان توان مصرفی 6.500 وات * حالت خواندن ** 6.600 وات * حالت نوشتن ** 0.211 وات * حالت Idle 6.2 وات * حالت خواندن ** 5.7 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM true true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 750,000IOPS 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 700,000IOPS 1,000,000IOPS
طول عمر متوسط 1,770,000 ساعت (MTBF) ** 3600 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3‎D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه 7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4400 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 2 MB DDR4 1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) Phison PS5016-E16 Samsung Elpis
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ای دیتا VS سامسونگ
ویژگی

ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, BSMI, KC, RCM, Morocco, EAC -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 4.3 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 10 گرم 9 گرم
میزان توان مصرفی 0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت Slumber 6.2 وات * حالت خواندن ** 5.7 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM true true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 380,000IOPS 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 540,000IOPS 1,000,000IOPS
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 740 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 3900 مگابایت بر ثانیه 7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3200 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM DDR4 1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2267EN Samsung Elpis
مشاهده جزئیات مقایسه