مقایسه سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

ویژگی

سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

نوع کاربری حافظه اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
کنترلر (Controller) Samsung Elpis -
نرخ خواندن ترتیبی 7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 1,000,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 1,000,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 1 MB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 6.2 وات * حالت خواندن ** 5.7 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 9 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -
شیوه اتصال -
سیستم‌عامل‌های سازگار -
قابلیت‌های جانبی -

مقایسه سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا

ویژگی

سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال SSD داخلی
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe M.2 2280
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c PCIe 4.0 x4 NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 فرم فاکتور M.2 2280
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND Samsung V-NAND
کنترلر (Controller) Samsung Elpis Samsung Elpis Controller
نرخ خواندن ترتیبی 7000 مگابایت بر ثانیه تا 7,450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه تا 6,900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 1,000,000IOPS تا 1,400 هزار عملیات ورودی/خروجی در ثانیه
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 1,000,000IOPS تا 1,550 هزار عملیات ورودی/خروجی در ثانیه
حافظه DRAM true بله
نوع حافظه DRAM 1 MB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 درجه سانتیگراد تا 70 درجه سانتیگراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) نامشخص (TBW در ویژگی‌های خام مشخص نشده است)
میزان توان مصرفی 6.2 وات * حالت خواندن ** 5.7 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش عملکرد بهبود یافته به ازای هر وات نسبت به 980 PRO
قابلیت پشتیبانی از NCQ false بله
قابلیت پشتیبانی از TRIM true بله
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true بله
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 رمزگذاری AES 256 بیتی
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر M.2 2280 (80 میلی‌متر × 22 میلی‌متر × 2.38 میلی‌متر)
وزن محصول 9 گرم تقریباً 8.0 گرم
نشانگر وضعیت LED false -
شیوه اتصال - M.2 NVMe PCIe 4.0
سیستم‌عامل‌های سازگار - Windows، macOS، Linux (با پشتیبانی NVMe)
قابلیت‌های جانبی - نرم‌افزار Samsung Magician، کنترل حرارتی هوشمند، سازگار با PS5
رنگ‌بندی - سیاه
محتویات جعبه - SSD، راهنمای نصب، راهنمای گارانتی

مقایسه با سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه M.2 PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی NVMe PCIe Gen4 x4 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
شیوه اتصال PCIe Gen4 NVMe -
نرخ خواندن ترتیبی تا 7,100 مگابایت بر ثانیه 7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی تا 6,000 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron G8 NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
سیستم‌عامل‌های سازگار Windows، لپ‌تاپ‌ها، دسک‌تاپ‌ها، کنسول‌های بازی دستی منتخب (ROG Ally X، Lenovo Legion Go، AYANEO Kun) -
قابلیت‌های جانبی نرم‌افزار بازیابی اطلاعات Acronis، کنترل حرارتی -
اندازه و ابعاد M.2 2280 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
محتویات جعبه مجوز/کلید نرم‌افزار بازیابی اطلاعات Acronis -
طراحی و ابعاد دستگاه فرم فاکتور M.2 2280 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه - 1 ترابایت
کنترلر (Controller) - Samsung Elpis
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 1,000,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 1 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 6.2 وات * حالت خواندن ** 5.7 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
وزن محصول - 9 گرم
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BBCZبا سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BBCZ

سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۳.۸۴ ترابایت 1 ترابایت
اندازه و ابعاد ۲.۵" 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری No AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
کنترلر (Controller) - Samsung Elpis
نرخ خواندن ترتیبی - 7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 5000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 1,000,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 1 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 6.2 وات * حالت خواندن ** 5.7 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
وزن محصول - 9 گرم
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا

ویژگی

سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال حافظه فلش NAND
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe M.2 2280
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c PCIe Gen 4x4 / PCIe Gen 5x2
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 فرم فاکتور M.2 2280
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND آخرین حافظه NAND
کنترلر (Controller) Samsung Elpis کنترلر با روکش نیکل
نرخ خواندن ترتیبی 7000 مگابایت بر ثانیه 7150 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 1,000,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 1,000,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 1 MB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 6.2 وات * حالت خواندن ** 5.7 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش کارآمد
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر M.2 2280
وزن محصول 9 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -
شیوه اتصال - NVMe
سیستم‌عامل‌های سازگار - کامپیوتر شخصی، لپ‌تاپ
قابلیت‌های جانبی - فناوری HMB، Intelligent Turbowrite 2.0
محتویات جعبه - SSD (MZ-V9S1T0B/AM)

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 2 ترابایتبا سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 2 ترابایت

سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۱۴۷۰۰ مگابایت بر ثانیه 7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۲۲۰۰۰۰۰ IOPS 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۲۲۰۰۰۰۰ IOPS 1,000,000IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول ۷.۷ گرم 9 گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۵.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Samsung Elpis
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
میزان توان مصرفی - 6.2 وات * حالت خواندن ** 5.7 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس اس دی اینترنال DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-Vبا سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

اس اس دی اینترنال DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-V

سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۹۶۰ گیگابایت 1 ترابایت
اندازه و ابعاد ۲.۵" 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه SAS PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
کنترلر (Controller) - Samsung Elpis
نرخ خواندن ترتیبی - 7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 5000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 1,000,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 1 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 6.2 وات * حالت خواندن ** 5.7 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
وزن محصول - 9 گرم
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)

ویژگی

سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND QLC
کنترلر (Controller) Samsung Elpis -
نرخ خواندن ترتیبی 7000 مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 1,000,000IOPS ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 1,000,000IOPS ۸۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 1 MB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت ۵ V
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 6.2 وات * حالت خواندن ** 5.7 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 Yes
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول 9 گرم ۴۶ گرم
نشانگر وضعیت LED false -

مقایسه سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

ویژگی

سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND V-NAND MLC
کنترلر (Controller) Samsung Elpis -
نرخ خواندن ترتیبی 7000 مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 1,000,000IOPS ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 1,000,000IOPS ۸۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 1 MB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت ۵ V
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 6.2 وات * حالت خواندن ** 5.7 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 Yes
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول 9 گرم ۴۶ گرم
نشانگر وضعیت LED false -

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1L68661با سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1L68661

سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۵۱۲ گیگابایت 1 ترابایت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۸۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۲.۳۸ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول ۶.۵ گرم 9 گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
کنترلر (Controller) - Samsung Elpis
نرخ خواندن ترتیبی - 7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 5000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 1,000,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 6.2 وات * حالت خواندن ** 5.7 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه با سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه درایو حالت جامد داخلی اینترنال
پورت اتصال حافظه M.2 2280 PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی NVMe Gen3x4 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
شیوه اتصال NVMe Gen3x4 -
میزان ظرفیت حافظه 512 گیگابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی تا 2400 مگابایت بر ثانیه 7000 مگابایت بر ثانیه
مشخصات حافظه فلش (Flash) حافظه فلش سه‌بعدی NAND (TLC/QLC) Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
کنترلر (Controller) کنترلر اصلی با کیفیت بالا Samsung Elpis
قابلیت پشتیبانی از TRIM بله true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T بله true
سیستم‌عامل‌های سازگار Windows 7-10، RHEL، CentOS، Linux، Ubuntu -
قابلیت‌های جانبی تسطیح فرسودگی، LDPC ECC، حفاظت داده سرتاسری -
اندازه و ابعاد M.2 2280 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
محتویات جعبه SSD، مستندات -
طراحی و ابعاد دستگاه فرم فاکتور M.2 2280 2280 M.2
نرخ نوشتن ترتیبی - 5000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 1,000,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 1 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 6.2 وات * حالت خواندن ** 5.7 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
وزن محصول - 9 گرم
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس اس دی اینترنال کینگستون DC600M 1920G ساتا سازمانی 2.5 اینچ (Mixed-Use)با سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

اس اس دی اینترنال کینگستون DC600M 1920G ساتا سازمانی 2.5 اینچ (Mixed-Use)

سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱.۹۲ ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه 7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۹۴۰۰۰ IOPS 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۷۸۰۰۰ IOPS 1,000,000IOPS
طول عمر متوسط ۳۵۰۴ 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰.۱ * ۷ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول ۶۹ گرم 9 گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری No AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Samsung Elpis
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
میزان توان مصرفی - 6.2 وات * حالت خواندن ** 5.7 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
نشانگر وضعیت LED - false