| نوع کاربری حافظه | اینترنال | اینترنال |
|---|---|---|
| پورت اتصال حافظه | PCIe NVMe | PCIe NVMe |
| جزئیات اتصال ذخیرهسازی | PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c | PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c |
| طراحی و ابعاد دستگاه | 2280 M.2 | 2280 M.2 |
|---|
| میزان ظرفیت حافظه | 1 ترابایت | 512 MB |
|---|---|---|
| مشخصات حافظه فلش (Flash) | Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND | Samsung TLC V-NAND |
| کنترلر (Controller) | Samsung Elpis | S4LV003 |
| نرخ خواندن ترتیبی | 7000 مگابایت بر ثانیه | 6900 مگابایت بر ثانیه |
| نرخ نوشتن ترتیبی | 5000 مگابایت بر ثانیه | 5000 مگابایت بر ثانیه |
| سرعت خواندن تصادفی دادهها | 1,000,000IOPS | 800,000IOPS |
| سرعت نوشتن تصادفی دادهها | 1,000,000IOPS | 800,000IOPS |
| حافظه DRAM | دارد | دارد |
| نوع حافظه DRAM | 1 MB LPDDR4 | LPDDR4 |
| محدوده دمای عملیاتی | 0 تا 70 درجه سانتیگراد | - |
| ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) | 3.3 ولت | - |
| طول عمر متوسط | 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) | - |
| میزان توان مصرفی | 6.2 وات * حالت خواندن ** 5.7 وات * حالت نوشتن ** 35 میلیوات * حالت آماده باش | - |
|---|
| قابلیت پشتیبانی از NCQ | ندارد | ندارد |
|---|---|---|
| قابلیت پشتیبانی از TRIM | دارد | دارد |
| قابلیت پشتیبانی از RAID | ندارد | ندارد |
| قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T | دارد | ندارد |
| فناوری رمزنگاری | AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 | - |
| اندازه و ابعاد | 2.38 * 22.15 * 80.15 میلیمتر | 2.38 * 22 * 80 میلیمتر |
|---|---|---|
| وزن محصول | 9 گرم | - |
| نشانگر وضعیت LED | ندارد | - |
|---|
| مجوزها و تاییدیهها | - | RoHS |
|---|
هنوز پرسشی درباره این مقایسه ثبت نشده است.
اولین نفری باشید که پرسش خود را مطرح میکند!
نظرات برگزیده