| نوع کاربری حافظه | اینترنال | اینترنال |
|---|---|---|
| پورت اتصال حافظه | PCIe NVMe | PCIe NVMe |
| جزئیات اتصال ذخیرهسازی | PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c | PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 |
| طراحی و ابعاد دستگاه | 2280 M.2 | 2280 M.2 |
|---|
| میزان ظرفیت حافظه | 1 ترابایت | 512 MB |
|---|---|---|
| مشخصات حافظه فلش (Flash) | Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND | 3D NAND |
| کنترلر (Controller) | Samsung Elpis | Phison PS5012-E12 |
| نرخ خواندن ترتیبی | 7000 مگابایت بر ثانیه | 1950 مگابایت بر ثانیه |
| نرخ نوشتن ترتیبی | 5000 مگابایت بر ثانیه | 1550 مگابایت بر ثانیه |
| سرعت خواندن تصادفی دادهها | 1,000,000IOPS | 130,000IOPS |
| سرعت نوشتن تصادفی دادهها | 1,000,000IOPS | 230,000IOPS |
| حافظه DRAM | دارد | ندارد |
| نوع حافظه DRAM | 1 MB LPDDR4 | - |
| محدوده دمای عملیاتی | 0 تا 70 درجه سانتیگراد | 0 تا 70 درجه سانتیگراد |
| ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) | 3.3 ولت | 3.3 ولت |
| طول عمر متوسط | 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) | 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW) |
| میزان توان مصرفی | 6.2 وات * حالت خواندن ** 5.7 وات * حالت نوشتن ** 35 میلیوات * حالت آماده باش | 3.5 وات در حالت فعال |
|---|
| قابلیت پشتیبانی از NCQ | ندارد | دارد |
|---|---|---|
| قابلیت پشتیبانی از TRIM | دارد | دارد |
| قابلیت پشتیبانی از RAID | ندارد | ندارد |
| قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T | دارد | دارد |
| فناوری رمزنگاری | AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 | - |
| قابلیتهای جانبی | - | پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه |
| اندازه و ابعاد | 2.38 * 22.15 * 80.15 میلیمتر | 22 * 80 میلیمتر |
|---|---|---|
| وزن محصول | 9 گرم | 10 گرم |
| نشانگر وضعیت LED | ندارد | ندارد |
|---|
هنوز پرسشی درباره این مقایسه ثبت نشده است.
اولین نفری باشید که پرسش خود را مطرح میکند!
نظرات برگزیده