نوع کاربری حافظه | اینترنال | اینترنال |
---|---|---|
پورت اتصال حافظه | PCIe NVMe | PCIe NVMe |
جزئیات اتصال ذخیرهسازی | PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c | PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 |
طراحی و ابعاد دستگاه | 2280 M.2 | 2280 M.2 |
---|
میزان ظرفیت حافظه | 1 ترابایت | 120 گیگابایت |
---|---|---|
مشخصات حافظه فلش (Flash) | Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND | Micron 64L 3D TLC NAND |
کنترلر (Controller) | Samsung Elpis | HP Custom SMI SM2263XT |
نرخ خواندن ترتیبی | 7000 مگابایت بر ثانیه | 1900 مگابایت بر ثانیه |
نرخ نوشتن ترتیبی | 5000 مگابایت بر ثانیه | 650 مگابایت بر ثانیه |
سرعت خواندن تصادفی دادهها | 1,000,000IOPS | 100,000IOPS |
سرعت نوشتن تصادفی دادهها | 1,000,000IOPS | 80,000IOPS |
حافظه DRAM | دارد | ندارد |
نوع حافظه DRAM | 1 گیگابایت LPDDR4 | - |
محدوده دمای عملیاتی | 0 تا 70 درجه سانتیگراد | 0 تا 70 درجه سانتیگراد |
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) | 3.3 ولت | - |
طول عمر متوسط | - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW) | - 2,000,000 ساعت (MTBF) - 70 ترابایت (TBW) |
میزان توان مصرفی | - 6.2 وات در حالت خواندن - 5.7 وات در حالت نوشتن - 35 میلیوات در حالت آماده باش | - 2.46 وات در حالت فعال - 0.68 وات در حالت آماده باش - 5 میلیوات در حالت DevSlp |
---|
قابلیت پشتیبانی از NCQ | ندارد | دارد |
---|---|---|
قابلیت پشتیبانی از TRIM | دارد | دارد |
قابلیت پشتیبانی از RAID | ندارد | ندارد |
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T | دارد | ندارد |
فناوری رمزنگاری | AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 | - |
سیستمعاملهای سازگار | - | ویندوز نسخه 7 و بالاتر |
قابلیتهای جانبی | - | - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) - مقاوم در برابر حداکثر 3.1G لرزش - مقاوم در برابر ضربه تا 100G/6 میلیثانیه - محافظت از دادهها در مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) |
اندازه و ابعاد | 2.38 × 22.15 × 80.15 میلیمتر | 2.4 × 22 × 80 میلیمتر |
---|---|---|
وزن محصول | 9 گرم | 5.4 گرم |
نشانگر وضعیت LED | ندارد | ندارد |
---|
مجوزها و تاییدیهها | - | CE, CB, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM |
---|
شما چه امتیازی می دهید؟