نوع کاربری حافظه | اینترنال | اینترنال |
---|---|---|
پورت اتصال حافظه | PCIe NVMe | PCIe NVMe |
جزئیات اتصال ذخیرهسازی | PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4 | PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 |
طراحی و ابعاد دستگاه | 2280 M.2 | 2280 M.2 |
---|
میزان ظرفیت حافظه | 512 گیگابایت | 250 گیگابایت |
---|---|---|
مشخصات حافظه فلش (Flash) | 3D NAND | Samsung V-NAND 3-bit MLC |
نرخ خواندن ترتیبی | 7400 مگابایت بر ثانیه | 2900 مگابایت بر ثانیه |
نرخ نوشتن ترتیبی | 6800 مگابایت بر ثانیه | 1300 مگابایت بر ثانیه |
سرعت خواندن تصادفی دادهها | 750,000IOPS | 230,000IOPS |
سرعت نوشتن تصادفی دادهها | 750,000IOPS | 320,000IOPS |
حافظه DRAM | ندارد | ندارد |
محدوده دمای عملیاتی | 0 تا 70 درجه سانتیگراد | 0 تا 70 درجه سانتیگراد |
طول عمر متوسط | - 2,000,000 ساعت (MTBF) - 1480 ترابایت (TBW) | - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 150 ترابایت (TBW) |
کنترلر (Controller) | - | Samsung In-House Controller |
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) | - | 3.3 ولت |
قابلیت پشتیبانی از NCQ | ندارد | ندارد |
---|---|---|
قابلیت پشتیبانی از TRIM | ندارد | دارد |
قابلیت پشتیبانی از RAID | ندارد | ندارد |
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T | دارد | دارد |
فناوری رمزنگاری | AES 256-bit | AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 |
مجوزها و تاییدیهها | CE, FCC, BSMI, KC, Morocco, EAC | FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI |
---|
اندازه و ابعاد | - 3.3 × 22 × 80 میلیمتر (بدون هیتسینک) - 4.3 × 22 × 80 میلیمتر (با هیتسینک) | 2.38 × 22.15 × 80.15 میلیمتر |
---|---|---|
وزن محصول | - 7 گرم (بدون هیتسینک) - 10 گرم (با هیتسینک) | 8 گرم |
میزان توان مصرفی | - | - 3.7 وات در حالت خواندن - 3.2 وات در حالت نوشتن - 45 میلیوات در حالت Idle |
---|
شما چه امتیازی می دهید؟