نوع کاربری حافظه | اینترنال | اینترنال |
---|---|---|
پورت اتصال حافظه | PCIe NVMe | PCIe NVMe |
جزئیات اتصال ذخیرهسازی | PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4 | PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2 |
طراحی و ابعاد دستگاه | 2280 M.2 | 2280 M.2 |
---|
میزان ظرفیت حافظه | 512 MB | 2 ترابایت |
---|---|---|
مشخصات حافظه فلش (Flash) | Micron 96L 3D TLC NAND | Samsung 48-Layer MLC V-NAND |
کنترلر (Controller) | Silicon Motion SM2267EN | Samsung Polaris |
نرخ خواندن ترتیبی | 3800 مگابایت بر ثانیه | 3500 مگابایت بر ثانیه |
نرخ نوشتن ترتیبی | 2800 مگابایت بر ثانیه | 2100 مگابایت بر ثانیه |
سرعت خواندن تصادفی دادهها | 191,000IOPS | 440,000IOPS |
سرعت نوشتن تصادفی دادهها | 510,000IOPS | 360,000IOPS |
حافظه DRAM | دارد | دارد |
نوع حافظه DRAM | DDR4 | 2GB LP DDR3 |
محدوده دمای عملیاتی | 0 تا 70 درجه سانتیگراد | 0 تا 70 درجه سانتیگراد |
طول عمر متوسط | 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 370 ترابایت (TBW) | 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW) |
میزان توان مصرفی | 0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت Slumber | 5.8 وات * حالت خواندن ** 5.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلیوات * حالت آماده باش ** 8 میلیوات * حالت DevSlp |
---|
قابلیت پشتیبانی از NCQ | ندارد | ندارد |
---|---|---|
قابلیت پشتیبانی از TRIM | دارد | دارد |
قابلیت پشتیبانی از RAID | دارد | ندارد |
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T | دارد | دارد |
فناوری رمزنگاری | AES 256-bit | AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667 |
مجوزها و تاییدیهها | CE, FCC, BSMI, KC, RCM, Morocco, EAC | - |
---|
اندازه و ابعاد | 4.3 * 22 * 80 میلیمتر (با هیتسینک) ** 3.3 * 22 * 80 میلیمتر (بدون هیتسینک) | 2.38 * 22.15 * 80.15 میلیمتر |
---|---|---|
وزن محصول | 10 گرم (با هیتسینک) ** 6 گرم (بدون هیتسینک) | 9 گرم |
نشانگر وضعیت LED | ندارد | ندارد |
---|
هنوز پرسشی درباره این مقایسه ثبت نشده است.
اولین نفری باشید که پرسش خود را مطرح میکند!
نظرات برگزیده