مقایسه سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

$مقایسه ای دیتا Swordfish NVMe M.2 ظرفیت 1 تربایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت$

مقایسه ای دیتا Swordfish NVMe M.2 ظرفیت 1 تربایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ای دیتا VS Samsung

ویژگی	ای دیتا Swordfish NVMe M.2 ظرفیت 1 تربایت	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	SanDisk BiCS4 96L 3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller)	Realtek RTS5763DL	Samsung Polaris
نرخ خواندن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1200 مگابایت بر ثانیه	1500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	180,000IOPS	330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	180,000IOPS	300,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 480 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS, CE, FCC, BSMI, KC	-
اندازه و ابعاد	3.85 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	10.5 گرم	7.7 گرم
نوع حافظه DRAM	-	512MB LP DDR3
میزان توان مصرفی	-	5.3 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه ای دیتا Ultimate SU800 SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت$

مقایسه ای دیتا Ultimate SU800 SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ای دیتا VS Samsung

ویژگی	ای دیتا Ultimate SU800 SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller)	SMI	Samsung Polaris
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	1500 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	true	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTTF) ** 400 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache پشتیبانی از DevSlp برای کاهش مصرف انرژی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC نرم‌افزار SSD ToolBox ** نرم‌افزار Acronis True image HD, Disk Migration Utility	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC	-
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	7.7 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	300,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	512MB LP DDR3
میزان توان مصرفی	-	5.3 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD$

مقایسه سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

Samsung VS Sandisk

ویژگی	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت	WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD
نوع کاربری حافظه	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller)	Samsung Polaris	-
نرخ خواندن ترتیبی	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	330,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	300,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	512MB LP DDR3	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	5.3 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	7.7 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	-
شیوه اتصال	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	-
قابلیت‌های جانبی	-

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه ال جی 32 اینچ مدل 32GN600 {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت$

مقایسه ال جی 32 اینچ مدل 32GN600با سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ال جی VS Samsung

ویژگی	ال جی 32 اینچ مدل 32GN600	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
اندازه بدون پایه	77.5 * 428 * 714.7 میلی‌متر	-
وزن خالص بدون پایه	5.2 کیلوگرم	-
اندازه با پایه	224.8 * 515.1 * 714.7 میلی‌متر	-
وزن کلی با پایه	5.9 کیلوگرم	-
قابلیت تنظیم ارتفاع پایه	false	-
قابلیت تنظیم چرخش عمودی (Tilt)	true	-
قابلیت تنظیم چرخش افقی (Swivel)	false	-
قابلیت چرخش ۳۶۰ درجه (Pivot)	false	-
اندازه نمایشگر	32 اینچ	-
فناوری پنل	VA	-
سیستم نوردهی پس‌زمینه	W-LED	-
عمق بیت پنل (bit-depth)	8 بیت	-
تعداد رنگ‌های پشتیبانی‌شده	16 میلیون رنگ	-
رزولوشن (Resolution) تصویر پنل	1440 × 2560	-
تراکم پیکسل در نمایشگر	93 پیکسل در هر اینچ	-
نسبت تصویر صفحه‌نمایش	16:9	-
اندازه و رزولوشن تصویر پنل	QHD / 1440p	-
درصد پوشش فضای رنگ sRGB	95 درصد	-
نسبت کنتراست استاتیک	3000 : 1	-
محدوده زاویه دید افقی	178 درجه	-
زاویه دید عمودی به درجه	178 درجه	-
حداکثر نرخ نوسازی (Refresh Rate)	165 هرتز	-
حداقل نرخ نوسازی (Refresh Rate)	48 هرتز	-
حداقل زمان پاسخ‌گویی (Response Time)	5 میلی‌ثانیه	-
نوع پوشش صفحه‌نمایش	مات	-
قابلیت پخش سه‌بعدی	false	-
زمان تاخیر ورودی	4.5 میلی‌ثانیه	-
نوع بلندگو	false	-
پشتیبانی از خروجی صدای دیجیتال	false	-
پشتیبانی از ورودی 3.5 میلی‌متری	false	-
پورت خروجی هدفون	true	-
مصرف برق در حالت استندبای	0.3 W	-
ماکزیمم توان مصرفی	63 W	-
محدوده دمای کاری	0 تا 40 درجه سانتی‌‌گراد	-
نصب و اتصال به دیوار	true	-
توضیحات نصب روی دیوار	استاندارد VESA از نوع 100 × 100 میلی‌متر	-
سال ساخت و تولید	2020	-
محتویات جعبه	کابل HDMI	-
نام معادل	LG UltraGear 32GN600 ** LG 32GN600-B	-
نوع کاربری حافظه	-	اینترنال
پورت اتصال حافظه	-	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	-	250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung Polaris
نرخ خواندن ترتیبی	-	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	1500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	300,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	512MB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	5.3 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
اندازه و ابعاد	-	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	-	7.7 گرم
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه لکسار NM700 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت$

مقایسه لکسار NM700 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

لکسار VS Samsung

ویژگی	لکسار NM700 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller)	Marvell 88SS1092	Samsung Polaris
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	1500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	293,000IOPS	330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	272,000IOPS	300,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	1 MB LPDDR3	512MB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه	-
اندازه و ابعاد	2.25 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	9 گرم	7.7 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
میزان توان مصرفی	-	5.3 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه هایک ویژن C100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت$

مقایسه هایک ویژن C100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

هایک ویژن VS Samsung

ویژگی	هایک ویژن C100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	120 MB	250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3- bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	435 مگابایت بر ثانیه	1500 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 (MTBF) ساعت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	1.25 وات * حالت خواندن ** 1.28 وات * حالت نوشتن ** 0.3 میلی‌وات * حالت آماده باش	5.3 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
اندازه و ابعاد	7 * 69.9 * 100.1 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	59 گرم	7.7 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Samsung Polaris
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	300,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	512MB LP DDR3
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ VULCAN G SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت$

مقایسه سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا تیم گروپ VULCAN G SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

Samsung VS ام جی

ویژگی	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت	تیم گروپ VULCAN G SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3- bit MLC	3D NAND
کنترلر (Controller)	Samsung Polaris	-
نرخ خواندن ترتیبی	3200 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	330,000IOPS	70,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	300,000IOPS	60,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	512MB LP DDR3	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)	1,000,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی	5.3 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	7 * 69.9 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	7.7 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 7 و بالاتر مک OS نسخه 10.4 و بالاتر لینوکس هسته 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال پشتیبانی از کدینگ LPDC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس‌اس‌دی امن iStorage diskAshur M² 500 گیگابایت - FIPS 140-3 L3، مستقل از سیستم‌عامل {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت$

مقایسه اس‌اس‌دی امن iStorage diskAshur M² 500 گیگابایت - FIPS 140-3 L3، مستقل از سیستم‌عاملبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

آی‌استوریج VS Samsung

ویژگی	اس‌اس‌دی امن iStorage diskAshur M² 500 گیگابایت - FIPS 140-3 L3، مستقل از سیستم‌عامل	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
اندازه و ابعاد	M.2 (۴۵ * ۱۲ * ۱۱۱ میلی‌متر)	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
رنگ‌بندی	مشکی	-
وزن محصول	۸۶ گرم	7.7 گرم
میزان ظرفیت حافظه	۵۰۰ گیگابایت	250 MB
نرخ خواندن ترتیبی	۳۷۰ مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۳۷۰ مگابایت بر ثانیه	1500 مگابایت بر ثانیه
پورت اتصال حافظه	۳.۲ Gen ۱ (۳.۱ Gen ۱)	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
مواد بدنه	Zinc	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	C-TICK, CE, Federal Communications Commission (FCC), REACH, RoHS, Trade Agreements Act (TAA), UKCA, WEEE	-
فناوری رمزنگاری	۲۵۶-bit AES-XTS	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung Polaris
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	300,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	512MB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	5.3 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس اس دی اکسترنال MSI DATAMAG 1 ترابایت - سرعت بالا 20 گیگابیت بر ثانیه {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت$

مقایسه اس اس دی اکسترنال MSI DATAMAG 1 ترابایت - سرعت بالا 20 گیگابیت بر ثانیهبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ام‌اس‌آی VS Samsung

ویژگی	اس اس دی اکسترنال MSI DATAMAG 1 ترابایت - سرعت بالا 20 گیگابیت بر ثانیه	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D NAND	Samsung V-NAND 3- bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	250 MB
نرخ خواندن ترتیبی	۱۶۰۰ مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۱۵۰۰ مگابایت بر ثانیه	1500 مگابایت بر ثانیه
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
پورت اتصال حافظه	USB ۳.۲ Gen ۲x۲	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
مواد بدنه	Aluminium	-
رنگ‌بندی	مشکی	-
وزن محصول	۸۱ گرم	7.7 گرم
اندازه و ابعاد	۶۶ * ۶۶ * ۱۳ میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Samsung Polaris
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	300,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	512MB LP DDR3
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	5.3 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس‌اس‌دی اکسترنال iStorage Kanguru UltraLock M.2 NVMe 1 ترابایت USB-C - امن، با محافظت از نوشتن {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت$

مقایسه اس‌اس‌دی اکسترنال iStorage Kanguru UltraLock M.2 NVMe 1 ترابایت USB-C - امن، با محافظت از نوشتنبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

آی‌استوریج VS Samsung

ویژگی	اس‌اس‌دی اکسترنال iStorage Kanguru UltraLock M.2 NVMe 1 ترابایت USB-C - امن، با محافظت از نوشتن	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	250 MB
نرخ خواندن ترتیبی	۶۷۵ مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۷۵ مگابایت بر ثانیه	1500 مگابایت بر ثانیه
محدوده دمای عملیاتی	۵ تا ۳۵ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
پورت اتصال حافظه	۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲)	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
مواد بدنه	Aluminium, Rubber	-
رنگ‌بندی	مشکی	-
وزن محصول	۸۵ گرم	7.7 گرم
اندازه و ابعاد	۴ * ۱۰.۵ * ۱.۵ میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
مجوزها و تاییدیه‌ها	Trade Agreements Act (TAA)	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung Polaris
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	300,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	512MB LP DDR3
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	5.3 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اکسترنال ورباتیم Vx500$

مقایسه سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اکسترنال ورباتیم Vx500

Samsung VS ورباتیم

ویژگی	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت	اس‌اس‌دی اکسترنال ورباتیم Vx500
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3- bit MLC	-
کنترلر (Controller)	Samsung Polaris	-
نرخ خواندن ترتیبی	3200 مگابایت بر ثانیه	۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	۴۴۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	330,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	300,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	512MB LP DDR3	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۸۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	5.3 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	۲۹ * ۹۲ * ۹ میلی‌متر
وزن محصول	7.7 گرم	۲۹ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
مواد بدنه	-	Aluminium
رنگ‌بندی	-	نقره‌ای

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس‌اس‌دی اکسترنال AGI Technology مدل EDM38 {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت$

مقایسه اس‌اس‌دی اکسترنال AGI Technology مدل EDM38با سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

برند نامشخص VS Samsung

ویژگی	اس‌اس‌دی اکسترنال AGI Technology مدل EDM38	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	250 MB
نرخ خواندن ترتیبی	۲۰۵۰ مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۱۸۰۰ مگابایت بر ثانیه	1500 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۵ V	-
طول عمر متوسط	۴۸۰	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
پورت اتصال حافظه	۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲)	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
مواد بدنه	Plastic	-
رنگ‌بندی	سفید	-
وزن محصول	۵۶ گرم	7.7 گرم
اندازه و ابعاد	۶۲ * ۶۲ * ۱۱.۵ میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung Polaris
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	300,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	512MB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی	-	5.3 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه