صفحه 2 از مقایسه سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اس‌اس‌دی اکسترنال iStorage Kanguru UltraLock M.2 NVMe 4 ترابایت USB-C - امن، با محافظت از نوشتنبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی

اس‌اس‌دی اکسترنال iStorage Kanguru UltraLock M.2 NVMe 4 ترابایت USB-C - امن، با محافظت از نوشتن

سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

میزان ظرفیت حافظه ۴ ترابایت 250 MB
نرخ خواندن ترتیبی ۶۷۵ مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۷۵ مگابایت بر ثانیه 1500 مگابایت بر ثانیه
محدوده دمای عملیاتی ۵ تا ۵۵ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
پورت اتصال حافظه ۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲) PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
مواد بدنه Aluminium, Rubber -
رنگ‌بندی مشکی -
وزن محصول ۸۵ گرم 7.7 گرم
اندازه و ابعاد ۴۰ * ۱۰۵ * ۱۵ میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
مجوزها و تاییدیه‌ها Trade Agreements Act (TAA) -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller) - Samsung Polaris
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 300,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 512MB LP DDR3
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 5.3 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس‌اس‌دی اکسترنال AGI Technology مدل EDM38با سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

برند نامشخص VS Samsung
ویژگی

اس‌اس‌دی اکسترنال AGI Technology مدل EDM38

سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 250 MB
نرخ خواندن ترتیبی ۲۰۵۰ مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۸۰۰ مگابایت بر ثانیه 1500 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۵ V -
طول عمر متوسط ۴۸۰ 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
پورت اتصال حافظه ۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲) PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
مواد بدنه Plastic -
رنگ‌بندی سفید -
وزن محصول ۵۶ گرم 7.7 گرم
اندازه و ابعاد ۶۲ * ۶۲ * ۱۱.۵ میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller) - Samsung Polaris
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 300,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 512MB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی - 5.3 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس‌اس‌دی امن iStorage diskAshur² 256 گیگابایت مشکی - رمزگذاری AES 256 بیتی، محافظت با پین، مقاوم در برابر آب و گرد و غباربا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی

اس‌اس‌دی امن iStorage diskAshur² 256 گیگابایت مشکی - رمزگذاری AES 256 بیتی، محافظت با پین، مقاوم در برابر آب و گرد و غبار

سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

اندازه و ابعاد 2.5" (۸۴ * ۱۹ * ۱۲۴ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
رنگ‌بندی مشکی -
وزن محصول ۱۸۰ گرم 7.7 گرم
میزان ظرفیت حافظه ۲۵۶ گیگابایت 250 MB
نرخ خواندن ترتیبی ۳۶۲ مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۳۵۸ مگابایت بر ثانیه 1500 مگابایت بر ثانیه
پورت اتصال حافظه ۳.۲ Gen ۱ (۳.۱ Gen ۱) PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
مواد بدنه Rubber, Silicone -
مجوزها و تاییدیه‌ها Federal Communications Commission (FCC), CE, WEEE, C-TICK, RoHS, REACH, Trade Agreements Act (TAA) -
فناوری رمزنگاری ۲۵۶-bit AES-XTS AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller) - Samsung Polaris
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 300,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 512MB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 5.3 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس‌اس‌دی اکسترنال iStorage diskAshur PRO3 4 ترابایت | FIPS 140-3 L3 | AES 256 بیتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی

اس‌اس‌دی اکسترنال iStorage diskAshur PRO3 4 ترابایت | FIPS 140-3 L3 | AES 256 بیت

سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

اندازه و ابعاد 2.5" (۸۳ * ۲۰.۸ * ۱۳۱ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
رنگ‌بندی مشکی -
وزن محصول ۲۵۷ گرم 7.7 گرم
میزان ظرفیت حافظه ۴ ترابایت 250 MB
نرخ خواندن ترتیبی ۴۴۸ مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۴۴ مگابایت بر ثانیه 1500 مگابایت بر ثانیه
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۴۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
پورت اتصال حافظه ۳.۲ Gen ۱ (۳.۱ Gen ۱) PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
مواد بدنه Metal -
مجوزها و تاییدیه‌ها C-TICK, CE, Federal Communications Commission (FCC), REACH, RoHS, Trade Agreements Act (TAA), UKCA, WEEE -
فناوری رمزنگاری ۲۵۶-bit AES-XTS, ۲۵۶-bit AES-ECB, ۲۵۶-bit AES-CBC AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller) - Samsung Polaris
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 300,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 512MB LP DDR3
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 5.3 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اکسترنال سامسونگ MU-PH4T0S 4TB

ویژگی

سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

اس‌اس‌دی اکسترنال سامسونگ MU-PH4T0S 4TB

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe ۳.۲ Gen ۱ (۳.۱ Gen ۱)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 250 MB ۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3- bit MLC -
کنترلر (Controller) Samsung Polaris -
نرخ خواندن ترتیبی 3200 مگابایت بر ثانیه ۴۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه ۴۶۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 330,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 300,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 512MB LP DDR3 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۶۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 5.3 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667 ۲۵۶-bit AES
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر ۹۴ * ۱۷.۷ * ۷۹.۷ میلی‌متر
وزن محصول 7.7 گرم ۱۰۲ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
رنگ‌بندی - مشکی
مجوزها و تاییدیه‌ها - Industry Canada (IC), BSMI, CB, CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), KC, RCM, RoHS, cTUVus, UKCA, VCCI

مقایسه سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا حافظه SSD اکسترنال سامسونگ T5

ویژگی

سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

حافظه SSD اکسترنال سامسونگ T5

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe ۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 250 MB ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3- bit MLC -
کنترلر (Controller) Samsung Polaris -
نرخ خواندن ترتیبی 3200 مگابایت بر ثانیه ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 330,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 300,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 512MB LP DDR3 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 5.3 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667 ۲۵۶-bit AES
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر ۷۳.۹ * ۵۷.۴ * ۱۰.۴ میلی‌متر
وزن محصول 7.7 گرم ۲۸.۳۵ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
رنگ‌بندی - مشکی
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه اس اس دی اکسترنال امن iStorage diskAshur² 1 ترابایت سبز - با رمزگذاری سخت‌افزاری 256 بیتی AES-XTS، محافظت با پین، مقاوم در برابر آب و گرد و غباربا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی

اس اس دی اکسترنال امن iStorage diskAshur² 1 ترابایت سبز - با رمزگذاری سخت‌افزاری 256 بیتی AES-XTS، محافظت با پین، مقاوم در برابر آب و گرد و غبار

سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

اندازه و ابعاد 2.5" (۸۴ * ۱۹ * ۱۲۴ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
رنگ‌بندی Green -
وزن محصول ۱۸۰ گرم 7.7 گرم
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 250 MB
نرخ خواندن ترتیبی ۳۶۲ مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۳۵۸ مگابایت بر ثانیه 1500 مگابایت بر ثانیه
پورت اتصال حافظه ۳.۲ Gen ۱ (۳.۱ Gen ۱) PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
مجوزها و تاییدیه‌ها C-TICK, CE, Federal Communications Commission (FCC), REACH, RoHS, Trade Agreements Act (TAA), UKCA, WEEE -
فناوری رمزنگاری ۲۵۶-bit AES-XTS AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller) - Samsung Polaris
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 300,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 512MB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 5.3 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا حافظه SSD اکسترنال سامسونگ T5

ویژگی

سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

حافظه SSD اکسترنال سامسونگ T5

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe ۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 250 MB ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3- bit MLC -
کنترلر (Controller) Samsung Polaris -
نرخ خواندن ترتیبی 3200 مگابایت بر ثانیه ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 330,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 300,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 512MB LP DDR3 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 5.3 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667 ۲۵۶-bit AES
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر ۷۳.۹ * ۵۷.۴ * ۱۰.۴ میلی‌متر
وزن محصول 7.7 گرم ۲۸.۳۵ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
رنگ‌بندی - مشکی
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اکسترنال قابل حمل ورباتیم Pocket SSD USB 3.2 Gen 2 2TB سفید/آبی روشن با دو روکش محافظ

ویژگی

سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

اس‌اس‌دی اکسترنال قابل حمل ورباتیم Pocket SSD USB 3.2 Gen 2 2TB سفید/آبی روشن با دو روکش محافظ

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe ۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2 No
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 250 MB ۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3- bit MLC -
کنترلر (Controller) Samsung Polaris -
نرخ خواندن ترتیبی 3200 مگابایت بر ثانیه ۱۰۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه ۱۰۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 330,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 300,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 512MB LP DDR3 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد تا۱۰ تا ۵۹ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 5.3 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667 No
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر M.2 (۴۵.۱ * ۹۶.۱ * ۱۰ میلی‌متر)
وزن محصول 7.7 گرم ۵۸ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
رنگ‌بندی - Blue, White
مواد بدنه - Polycarbonate (PC)

مقایسه اس‌اس‌دی اکسترنال ایسوس TUF Gaming AS1000 PLUSبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی

اس‌اس‌دی اکسترنال ایسوس TUF Gaming AS1000 PLUS

سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

اندازه و ابعاد M.2 (۵۵.۶ * ۱۱۶.۲ * ۱۵.۳ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
رنگ‌بندی مشکی -
وزن محصول ۱۵۵ گرم 7.7 گرم
پورت اتصال حافظه USB ۳.۲ Gen ۲x۲ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 250 MB
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۵ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۴۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مواد بدنه Aluminium, Silicone -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller) - Samsung Polaris
نرخ خواندن ترتیبی - 3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 1500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 300,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 512MB LP DDR3
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 5.3 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اکسترنال سامسونگ MU-PG1T0B 1TB

ویژگی

سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

اس‌اس‌دی اکسترنال سامسونگ MU-PG1T0B 1TB

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe ۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 250 MB ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3- bit MLC -
کنترلر (Controller) Samsung Polaris -
نرخ خواندن ترتیبی 3200 مگابایت بر ثانیه ۲۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه ۱۹۵۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 330,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 300,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 512MB LP DDR3 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 5.3 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667 Yes
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر ۸۸ * ۱۴ * ۶۰ میلی‌متر
وزن محصول 7.7 گرم ۱۲۲ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
رنگ‌بندی - مشکی
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا اس اس دی اکسترنال Verbatim Store 'n' Go Mini Diamond 1 ترابایت مشکی - USB-C

ویژگی

سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

اس اس دی اکسترنال Verbatim Store 'n' Go Mini Diamond 1 ترابایت مشکی - USB-C

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe ۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2 No
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 250 MB ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3- bit MLC -
کنترلر (Controller) Samsung Polaris -
نرخ خواندن ترتیبی 3200 مگابایت بر ثانیه ۱۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه ۱۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 330,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 300,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 512MB LP DDR3 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۴۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 5.3 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667 No
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر ۵۴ * ۷۴.۸ * ۱۲.۵ میلی‌متر
وزن محصول 7.7 گرم ۳۵ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
مواد بدنه - Plastic
رنگ‌بندی - مشکی