صفحه 2 از مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 EVO

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 EVOبا SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120

ویژگی

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 EVO

SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120

فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۴ ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND ۳D TLC
نرخ خواندن ترتیبی ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۲۴۰۰ ۱۴۰۰
اندازه و ابعاد 2.5" (۱۰۰.۱ * ۶.۹ * ۶۹.۹ میلی‌متر) 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۳ * ۷.۱ میلی‌متر)
وزن محصول ۸۶.۲ گرم ۵۰ گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No No
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۱۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۹۰۰۰۰ IOPS
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVOبا اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 EVO

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 EVO

فناوری رمزنگاری Yes Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۲۵۰ گیگابایت ۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND MLC V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت ۲۴۰۰
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر) 2.5" (۱۰۰.۱ * ۶.۹ * ۶۹.۹ میلی‌متر)
وزن محصول ۸ گرم ۸۶.۲ گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III Serial ATA III
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - No

مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 EVOبا اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

ویژگی

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 EVO

اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

فناوری رمزنگاری Yes Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۴ ترابایت ۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۲۴۰۰ ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
اندازه و ابعاد 2.5" (۱۰۰.۱ * ۶.۹ * ۶۹.۹ میلی‌متر) 2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول ۸۶.۲ گرم ۴۶ گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No -
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۸۸۰۰۰ IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A14049با اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 EVO

ویژگی

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A14049

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 EVO

میزان ظرفیت حافظه ۲۴۰ گیگابایت ۴ ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۲۵۰ مگابایت بر ثانیه ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۷۸۰۰۰ IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۲۶۰۰۰ IOPS -
اندازه و ابعاد M.۲ 2.5" (۱۰۰.۱ * ۶.۹ * ۶۹.۹ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه PCI Express ۲.۰ Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No No
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری - Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
مشخصات حافظه فلش (Flash) - V-NAND
طول عمر متوسط - ۲۴۰۰
وزن محصول - ۸۶.۲ گرم

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A90874با اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 EVO

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A90874

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 EVO

میزان ظرفیت حافظه ۹۶۰ گیگابایت ۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND TLC V-NAND
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۸۱۰۰۰ IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۲۸۰۰۰ IOPS -
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت ۲۴۰۰
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر) 2.5" (۱۰۰.۱ * ۶.۹ * ۶۹.۹ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه Serial ATA III Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No No
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری - Yes
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
نرخ خواندن ترتیبی - ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
وزن محصول - ۸۶.۲ گرم

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB1M86954با اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 EVO

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB1M86954

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 EVO

میزان ظرفیت حافظه ۵۱۲ گیگابایت ۴ ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی ۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۴۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۸۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۲.۲۳ میلی‌متر) 2.5" (۱۰۰.۱ * ۶.۹ * ۶۹.۹ میلی‌متر)
وزن محصول ۷.۲ گرم ۸۶.۲ گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes No
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری - Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
مشخصات حافظه فلش (Flash) - V-NAND
طول عمر متوسط - ۲۴۰۰

مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 EVOبا اس اس دی اینترنال ای دیتا XPG GAMMIX S60

ویژگی

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 EVO

اس اس دی اینترنال ای دیتا XPG GAMMIX S60

فناوری رمزنگاری Yes Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
میزان ظرفیت حافظه ۴ ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND ۳D NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه ۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۲۴۰۰ ۲۵۰
اندازه و ابعاد 2.5" (۱۰۰.۱ * ۶.۹ * ۶۹.۹ میلی‌متر) 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۱۳ میلی‌متر)
وزن محصول ۸۶.۲ گرم ۸ گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No Yes
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد

مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 EVOبا اس اس دی اینترنال سامسونگ PM981 NVMe

ویژگی

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 EVO

اس اس دی اینترنال سامسونگ PM981 NVMe

فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
میزان ظرفیت حافظه ۴ ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه ۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه ۲۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۲۴۰۰ -
اندازه و ابعاد 2.5" (۱۰۰.۱ * ۶.۹ * ۶۹.۹ میلی‌متر) M.۲
وزن محصول ۸۶.۲ گرم ۹ گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCI Express ۳.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No Yes
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۳۸۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۴۴۰۰۰۰ IOPS
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
رنگ‌بندی - Black, Green

مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 EVOبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVO

ویژگی

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 EVO

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVO

فناوری رمزنگاری Yes Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۴ ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه ۳۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه ۲۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۲۴۰۰ ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
اندازه و ابعاد 2.5" (۱۰۰.۱ * ۶.۹ * ۶۹.۹ میلی‌متر) M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول ۸۶.۲ گرم ۸ گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCI Express ۳.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No Yes
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۳.۳ V
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
رنگ‌بندی - مشکی
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه SSD اینترنال ای دیتا SMAR-980B-2TCSبا اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 EVO

ویژگی

SSD اینترنال ای دیتا SMAR-980B-2TCS

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 EVO

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes No
پورت اتصال حافظه PCI Express ۵.۰ Serial ATA III
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes Yes
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت ۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۳۰۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۲۰۰۰۰۰۰ IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۱۶۵۰۰۰۰ IOPS -
طول عمر متوسط ۱۴۸۰ ۲۴۰۰
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۴.۵ میلی‌متر) 2.5" (۱۰۰.۱ * ۶.۹ * ۶۹.۹ میلی‌متر)
وزن محصول ۱۲ گرم ۸۶.۲ گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), KC, RCM, RoHS, UKCA -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true

مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 EVOبا اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)

ویژگی

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 EVO

اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)

فناوری رمزنگاری Yes Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۴ ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND QLC
نرخ خواندن ترتیبی ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۲۴۰۰ ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
اندازه و ابعاد 2.5" (۱۰۰.۱ * ۶.۹ * ۶۹.۹ میلی‌متر) 2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول ۸۶.۲ گرم ۴۶ گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No -
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۸۸۰۰۰ IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1L68661با اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 EVO

ویژگی

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1L68661

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 EVO

میزان ظرفیت حافظه ۵۱۲ گیگابایت ۴ ترابایت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۸۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۲.۳۸ میلی‌متر) 2.5" (۱۰۰.۱ * ۶.۹ * ۶۹.۹ میلی‌متر)
وزن محصول ۶.۵ گرم ۸۶.۲ گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes No
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری - Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
مشخصات حافظه فلش (Flash) - V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی - ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط - ۲۴۰۰