مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 EVO

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه SSD اینترنال لنوو مدل 00XK739با اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 EVO

ویژگی

SSD اینترنال لنوو مدل 00XK739

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 EVO

میزان ظرفیت حافظه ۱۲۸ گیگابایت ۴ ترابایت
اندازه و ابعاد 2.5" (ضخامت ۷ میلی‌متر) 2.5" (۱۰۰.۱ * ۶.۹ * ۶۹.۹ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه Serial ATA III Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No No
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری - Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
مشخصات حافظه فلش (Flash) - V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی - ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط - ۲۴۰۰
وزن محصول - ۸۶.۲ گرم

مقایسه SSD اینترنال لنوو مدل 00KT015با اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 EVO

ویژگی

SSD اینترنال لنوو مدل 00KT015

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 EVO

میزان ظرفیت حافظه ۱۲۸ گیگابایت ۴ ترابایت
اندازه و ابعاد 2.5" (ضخامت ۷ میلی‌متر) 2.5" (۱۰۰.۱ * ۶.۹ * ۶۹.۹ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه Serial ATA III Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No No
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری - Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
مشخصات حافظه فلش (Flash) - V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی - ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط - ۲۴۰۰
وزن محصول - ۸۶.۲ گرم

مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828با اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 EVO

برند نامشخص VS سامسونگ
ویژگی

SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 EVO

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes No
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ Serial ATA III
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت ۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۷۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰ ۲۴۰۰
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۵ میلی‌متر) 2.5" (۱۰۰.۱ * ۶.۹ * ۶۹.۹ میلی‌متر)
وزن محصول ۷.۵ گرم ۸۶.۲ گرم
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS -
فناوری رمزنگاری - Yes

مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI818با اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 EVO

برند نامشخص VS سامسونگ
ویژگی

اس اس دی اینترنال AGI Technology AI818

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 EVO

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes No
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ Serial ATA III
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت ۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۲۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۷۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۲۰۰ ۲۴۰۰
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۱ میلی‌متر) 2.5" (۱۰۰.۱ * ۶.۹ * ۶۹.۹ میلی‌متر)
وزن محصول ۷.۵ گرم ۸۶.۲ گرم
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS -
فناوری رمزنگاری - Yes

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1D04758با اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 EVO

ویژگی

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1D04758

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 EVO

میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت ۴ ترابایت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۶ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰ * ۲۲ * ۲.۳۸ میلی‌متر) 2.5" (۱۰۰.۱ * ۶.۹ * ۶۹.۹ میلی‌متر)
وزن محصول ۹ گرم ۸۶.۲ گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes No
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری - Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
مشخصات حافظه فلش (Flash) - V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی - ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط - ۲۴۰۰

مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 EVOبا WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

ویژگی

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 EVO

WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
میزان ظرفیت حافظه ۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۲۴۰۰ -
اندازه و ابعاد 2.5" (۱۰۰.۱ * ۶.۹ * ۶۹.۹ میلی‌متر)
وزن محصول ۸۶.۲ گرم -
پورت اتصال حافظه Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No
نوع کاربری حافظه اینترنال
شیوه اتصال -
سیستم‌عامل‌های سازگار -
قابلیت‌های جانبی -
طراحی و ابعاد دستگاه -

مقایسه با اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 EVO

ویژگی

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 EVO

نوع کاربری حافظه درایو حالت جامد داخلی اینترنال
پورت اتصال حافظه M.2 2280 Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی NVMe Gen3x4 No
شیوه اتصال NVMe Gen3x4 -
میزان ظرفیت حافظه 512 گیگابایت ۴ ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی تا 2400 مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
مشخصات حافظه فلش (Flash) حافظه فلش سه‌بعدی NAND (TLC/QLC) V-NAND
کنترلر (Controller) کنترلر اصلی با کیفیت بالا -
قابلیت پشتیبانی از TRIM بله true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T بله true
سیستم‌عامل‌های سازگار Windows 7-10، RHEL، CentOS، Linux، Ubuntu -
قابلیت‌های جانبی تسطیح فرسودگی، LDPC ECC، حفاظت داده سرتاسری -
اندازه و ابعاد M.2 2280 2.5" (۱۰۰.۱ * ۶.۹ * ۶۹.۹ میلی‌متر)
محتویات جعبه SSD، مستندات -
طراحی و ابعاد دستگاه فرم فاکتور M.2 2280 -
فناوری رمزنگاری - Yes
نرخ نوشتن ترتیبی - ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط - ۲۴۰۰
وزن محصول - ۸۶.۲ گرم

مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 EVOبا

ویژگی

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 EVO

فناوری رمزنگاری Yes رمزگذاری AES 256 بیتی
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true بله
قابلیت پشتیبانی از TRIM true بله
میزان ظرفیت حافظه ۴ ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND Samsung V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه تا 7,450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه تا 6,900 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۲۴۰۰ نامشخص (TBW در ویژگی‌های خام مشخص نشده است)
اندازه و ابعاد 2.5" (۱۰۰.۱ * ۶.۹ * ۶۹.۹ میلی‌متر) M.2 2280 (80 میلی‌متر × 22 میلی‌متر × 2.38 میلی‌متر)
وزن محصول ۸۶.۲ گرم تقریباً 8.0 گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III M.2 2280
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No PCIe 4.0 x4 NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال SSD داخلی
شیوه اتصال - M.2 NVMe PCIe 4.0
حافظه DRAM - بله
محدوده دمای عملیاتی - 0 درجه سانتیگراد تا 70 درجه سانتیگراد
کنترلر (Controller) - Samsung Elpis Controller
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - تا 1,400 هزار عملیات ورودی/خروجی در ثانیه
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - تا 1,550 هزار عملیات ورودی/خروجی در ثانیه
قابلیت پشتیبانی از NCQ - بله
سیستم‌عامل‌های سازگار - Windows، macOS، Linux (با پشتیبانی NVMe)
قابلیت‌های جانبی - نرم‌افزار Samsung Magician، کنترل حرارتی هوشمند، سازگار با PS5
رنگ‌بندی - سیاه
محتویات جعبه - SSD، راهنمای نصب، راهنمای گارانتی
طراحی و ابعاد دستگاه - فرم فاکتور M.2 2280
میزان توان مصرفی - عملکرد بهبود یافته به ازای هر وات نسبت به 980 PRO

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A87526با اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 EVO

ویژگی

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A87526

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 EVO

میزان ظرفیت حافظه ۱.۹۲ ترابایت ۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND TLC V-NAND
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۹۷۰۰۰ IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۳۱۰۰۰ IOPS -
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت ۲۴۰۰
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر) 2.5" (۱۰۰.۱ * ۶.۹ * ۶۹.۹ میلی‌متر)
وزن محصول ۷۰ گرم ۸۶.۲ گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III Serial ATA III
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
نرخ خواندن ترتیبی - ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - No

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90886با اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 EVO

ویژگی

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90886

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 EVO

میزان ظرفیت حافظه ۱.۹۲ ترابایت ۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND TLC V-NAND
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۸۲۰۰۰ IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۴۷۵۰۰ IOPS -
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت ۲۴۰۰
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر) 2.5" (۱۰۰.۱ * ۶.۹ * ۶۹.۹ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه Serial ATA III Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No No
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری No Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
نرخ خواندن ترتیبی - ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
وزن محصول - ۸۶.۲ گرم

مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 EVOبا اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000

ویژگی

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 EVO

اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000

فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
میزان ظرفیت حافظه ۴ ترابایت ۱.۹۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND ۳D cMLC
نرخ خواندن ترتیبی ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه -
طول عمر متوسط ۲۴۰۰ ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
اندازه و ابعاد 2.5" (۱۰۰.۱ * ۶.۹ * ۶۹.۹ میلی‌متر) M.2 (۲۲ * ۱۱۰ * ۲ میلی‌متر)
وزن محصول ۸۶.۲ گرم ۱۴ گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCI Express ۳.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No Yes
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۲۴۵۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۲۸۰۰۰ IOPS
رنگ‌بندی - Black, Green

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90875با اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 EVO

ویژگی

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90875

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 EVO

میزان ظرفیت حافظه ۱.۹۲ ترابایت ۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND TLC V-NAND
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۸۲۰۰۰ IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۲۸۰۰۰ IOPS -
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت ۲۴۰۰
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر) 2.5" (۱۰۰.۱ * ۶.۹ * ۶۹.۹ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه Serial ATA III Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No No
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری - Yes
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
نرخ خواندن ترتیبی - ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
وزن محصول - ۸۶.۲ گرم