مقایسه Samsung 870 EVO

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

$مقایسه Klevv CRAS C910G {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 870 EVO$

مقایسه Klevv CRAS C910Gبا Samsung 870 EVO

ویژگی	Klevv CRAS C910G	Samsung 870 EVO
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۸ میلی‌متر)	2.5" (۱۰۰.۱ * ۶.۹ * ۶۹.۹ میلی‌متر)
وزن محصول	۱۰ گرم	۸۶.۲ گرم
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	No
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3‎D TLC NAND	V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۵۲۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۴۸۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۵۶۰۰۰۰ IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۶۱۵۰۰۰ IOPS	-
طول عمر متوسط	۱۴۰۰	۲۴۰۰
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	Yes	Yes
مجوزها و تاییدیه‌ها	UKCA, Federal Communications Commission (FCC), CE	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه Samsung 870 EVO {request()->input('language_config')['common']['with']} Seagate BarraCuda Q1$

مقایسه Samsung 870 EVOبا Seagate BarraCuda Q1

سامسونگ VS سی‌گیت

ویژگی	Samsung 870 EVO	Seagate BarraCuda Q1
اندازه و ابعاد	2.5" (۱۰۰.۱ * ۶.۹ * ۶۹.۹ میلی‌متر)	2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۷.۱ میلی‌متر)
وزن محصول	۸۶.۲ گرم	۴۰ گرم
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	No	-
میزان ظرفیت حافظه	۴ ترابایت	۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND	QLC ۳D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه	۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۲۴۰۰	۱۸۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	Yes	-
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه Samsung 870 EVO {request()->input('language_config')['common']['with']} Seagate FireCuda 120$

مقایسه Samsung 870 EVOبا Seagate FireCuda 120

سامسونگ VS سی‌گیت

ویژگی	Samsung 870 EVO	Seagate FireCuda 120
اندازه و ابعاد	2.5" (۱۰۰.۱ * ۶.۹ * ۶۹.۹ میلی‌متر)	2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۳ * ۷.۱ میلی‌متر)
وزن محصول	۸۶.۲ گرم	۵۰ گرم
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	No	No
میزان ظرفیت حافظه	۴ ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND	۳D TLC
نرخ خواندن ترتیبی	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه	۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۲۴۰۰	۱۴۰۰
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	Yes	-
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۱۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۹۰۰۰۰ IOPS
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه Samsung 870 EVO {request()->input('language_config')['common']['with']} Seagate BarraCuda Q1$

مقایسه Samsung 870 EVOبا Seagate BarraCuda Q1

سامسونگ VS سی‌گیت

ویژگی	Samsung 870 EVO	Seagate BarraCuda Q1
اندازه و ابعاد	2.5" (۱۰۰.۱ * ۶.۹ * ۶۹.۹ میلی‌متر)	2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۷.۱ میلی‌متر)
وزن محصول	۸۶.۲ گرم	۴۰ گرم
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	No	-
میزان ظرفیت حافظه	۴ ترابایت	۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND	QLC ۳D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه	۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۲۴۰۰	۱۸۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	Yes	-
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه DELL 345-BGPN internal solid state drive {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 870 EVO$

مقایسه DELL 345-BGPN internal solid state driveبا Samsung 870 EVO

دِل VS سامسونگ

ویژگی	DELL 345-BGPN internal solid state drive	Samsung 870 EVO
اندازه و ابعاد	۲.۵"	2.5" (۱۰۰.۱ * ۶.۹ * ۶۹.۹ میلی‌متر)
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	Serial ATA III
میزان ظرفیت حافظه	۱.۶ ترابایت	۴ ترابایت
فناوری رمزنگاری	Yes	Yes
وزن محصول	-	۸۶.۲ گرم
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	No
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی	-	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	-	۲۴۰۰
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه Kingston Technology 3.84TB DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe TCG Opal Enterprise SSD {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 870 EVO$

مقایسه Kingston Technology 3.84TB DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe TCG Opal Enterprise SSDبا Samsung 870 EVO

کینگستون VS سامسونگ

ویژگی	Kingston Technology 3.84TB DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe TCG Opal Enterprise SSD	Samsung 870 EVO
اندازه و ابعاد	U.2 (۶۹.۸ * ۱۰۰.۵ * ۱۴.۸ میلی‌متر)	2.5" (۱۰۰.۱ * ۶.۹ * ۶۹.۹ میلی‌متر)
وزن محصول	۱۴۶.۲ گرم	۸۶.۲ گرم
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۵.۰	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	No
میزان ظرفیت حافظه	۳.۸۴ ترابایت	۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D eTLC	V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۸۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۲۷۰۰۰۰۰ IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۳۰۰۰۰۰ IOPS	-
طول عمر متوسط	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت	۲۴۰۰
فناوری رمزنگاری	Yes	Yes
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه iStorage Kanguru Defender SED30™ M.2 NVMe 1TB Internal Self-Encrypting Solid State Drive| Internal NVMe PCIe M.2 {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 870 EVO$

مقایسه iStorage Kanguru Defender SED30™ M.2 NVMe 1TB Internal Self-Encrypting Solid State Drive| Internal NVMe PCIe M.2با Samsung 870 EVO

آی‌استوریج VS سامسونگ

ویژگی	iStorage Kanguru Defender SED30™ M.2 NVMe 1TB Internal Self-Encrypting Solid State Drive\| Internal NVMe PCIe M.2	Samsung 870 EVO
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ میلی‌متر * ۸۰ میلی‌متر)	2.5" (۱۰۰.۱ * ۶.۹ * ۶۹.۹ میلی‌متر)
وزن محصول	۱۴ گرم	۸۶.۲ گرم
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	No
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D TLC	V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۷۲۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۶۵۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۱۰۰۰۰۰۰ IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۱۰۰۰۰۰۰ IOPS	-
فناوری رمزنگاری	Yes	Yes
طول عمر متوسط	-	۲۴۰۰
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه Kingston Technology 2000G NV3 M.2 2230 NVMe SSD {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 870 EVO$

مقایسه Kingston Technology 2000G NV3 M.2 2230 NVMe SSDبا Samsung 870 EVO

کینگستون VS سامسونگ

ویژگی	Kingston Technology 2000G NV3 M.2 2230 NVMe SSD	Samsung 870 EVO
اندازه و ابعاد	2230 (22 x 30 mm) (۳۰ * ۲۲ * ۲.۳ میلی‌متر)	2.5" (۱۰۰.۱ * ۶.۹ * ۶۹.۹ میلی‌متر)
وزن محصول	۲.۸ گرم	۸۶.۲ گرم
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	No
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D NAND	V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	۶۴۰	۲۴۰۰
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
فناوری رمزنگاری	-	Yes

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 870 EVO$

مقایسه ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا Samsung 870 EVO

msi VS سامسونگ

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	Samsung 870 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4	No
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	V-NAND
کنترلر (Controller)	PHISON E19T	-
نرخ خواندن ترتیبی	3600 مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2300 مگابایت بر ثانیه	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	300,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	550,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)	۲۴۰۰
میزان توان مصرفی	حداکثر 3.4 وات هنگام استفاده ** 40 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	-
اندازه و ابعاد	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر	2.5" (۱۰۰.۱ * ۶.۹ * ۶۹.۹ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED	false	-
وزن محصول	-	۸۶.۲ گرم
فناوری رمزنگاری	-	Yes

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 870 EVO$

مقایسه ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا Samsung 870 EVO

msi VS سامسونگ

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	Samsung 870 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	No
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	V-NAND
کنترلر (Controller)	PHISON E21T	-
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4500 مگابایت بر ثانیه	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	550,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	950,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)	۲۴۰۰
میزان توان مصرفی	4.3 وات * حالت استفاده ** 50 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	کدینگ LPDC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها	-
اندازه و ابعاد	2.15 × 22 × 80 ميلی‌متر	2.5" (۱۰۰.۱ * ۶.۹ * ۶۹.۹ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED	false	-
وزن محصول	-	۸۶.۲ گرم
فناوری رمزنگاری	-	Yes

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه DELL NPOS - to be sold with Server only - 960GB SSD SAS Mixed Use 12Gbps 512e 2.5in Hot-plug PM5-V Drive 3 DWPD 5256 TBW {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 870 EVO$

مقایسه DELL NPOS - to be sold with Server only - 960GB SSD SAS Mixed Use 12Gbps 512e 2.5in Hot-plug PM5-V Drive 3 DWPD 5256 TBWبا Samsung 870 EVO

دِل VS سامسونگ

ویژگی	DELL NPOS - to be sold with Server only - 960GB SSD SAS Mixed Use 12Gbps 512e 2.5in Hot-plug PM5-V Drive 3 DWPD 5256 TBW	Samsung 870 EVO
اندازه و ابعاد	۲.۵"	2.5" (۱۰۰.۱ * ۶.۹ * ۶۹.۹ میلی‌متر)
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	Serial ATA III
میزان ظرفیت حافظه	۹۶۰ گیگابایت	۴ ترابایت
وزن محصول	-	۸۶.۲ گرم
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	No
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی	-	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	-	۲۴۰۰
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
فناوری رمزنگاری	-	Yes

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه Kingston Technology 500G NV3 M.2 2230 NVMe SSD {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 870 EVO$

مقایسه Kingston Technology 500G NV3 M.2 2230 NVMe SSDبا Samsung 870 EVO

کینگستون VS سامسونگ

ویژگی	Kingston Technology 500G NV3 M.2 2230 NVMe SSD	Samsung 870 EVO
اندازه و ابعاد	2230 (22 x 30 mm) (۳۰ * ۲۲ * ۲.۳ میلی‌متر)	2.5" (۱۰۰.۱ * ۶.۹ * ۶۹.۹ میلی‌متر)
وزن محصول	۲.۶ گرم	۸۶.۲ گرم
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	No
میزان ظرفیت حافظه	۵۰۰ گیگابایت	۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D NAND	V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۳۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	۱۶۰	۲۴۰۰
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
فناوری رمزنگاری	-	Yes

مشاهده جزئیات مقایسه