مقایسه حافظه SSD

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 480 گیگابایت با سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی	کلو CRAS C700 NVMe M.2 ظرفیت 480 گیگابایت	سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, KCC, BSMI	CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
اندازه و ابعاد	2.2 × 24 × 80 میلی‌متر	6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر
وزن محصول	45 گرم	45 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 2 وات در حالت خواندن - 2.2 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle - 2.5 میلی‌وات در حالت DevSlp
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	88,000IOPS
طول عمر متوسط	200 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	SK Hynix 3D 72-Layer NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	480 گیگابایت	500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1300 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
کنترلر (Controller)	SMI SM2263EN	Samsung MKX

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت با سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

سامسونگ VS سامسونگ

ویژگی	سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت	سامسونگ 860EVO SATA M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED		-
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, KCC, VCCI, RCM	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	SATA
اندازه و ابعاد	6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	45 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	- 2 وات در حالت خواندن - 2.2 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle - 2.5 میلی‌وات در حالت DevSlp	- 2.5 وات در حالت فعال - 50 میلی‌وات در حالت Idle - 2 میلی‌وات در حالت DevSlp
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	98,000IOPS	97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	88,000IOPS	88,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	500 گیگابایت	500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	530 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	512 مگابایت LPDDR4	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	-
کنترلر (Controller)	Samsung MKX	Samsung MJX

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت با سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

کینگ مکس VS سامسونگ

ویژگی	کینگ مکس PQ4480 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- پشتیبانی از SLC Cache - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5ms - قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4x4 / NVMe 1.4	SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
اندازه و ابعاد	22 × 80 میلی‌متر	6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر
وزن محصول	8.5 گرم	45 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 2 وات در حالت خواندن - 2.2 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle - 2.5 میلی‌وات در حالت DevSlp
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	300,000IOPS	98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	88,000IOPS
طول عمر متوسط	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 280 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	500 گیگابایت	500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2400 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	5 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung MKX

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت با سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

سامسونگ VS سامسونگ

ویژگی	سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت	سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, KCC, VCCI, RCM	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	SATA
اندازه و ابعاد	6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر	6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر
وزن محصول	45 گرم	86 گرم
میزان توان مصرفی	- 2 وات در حالت خواندن - 2.2 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle - 2.5 میلی‌وات در حالت DevSlp	- 3 وات در حالت خواندن و نوشتن - 50 میلی‌وات در حالت Idle - 8 میلی‌وات در حالت DevSlp
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	98,000IOPS	98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	88,000IOPS	90,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 2,400 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	500 گیگابایت	4 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	530 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	512 مگابایت LPDDR4	4 گیگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	-
کنترلر (Controller)	Samsung MKX	Samsung MJX

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت با سامسونگ T7 Touch USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ VS سامسونگ

ویژگی	سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت	سامسونگ T7 Touch USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت
محتویات جعبه	-	- کابل USB Type-C به USB Type-C - کابل USB Type-C به USB Type-A - دفترچه راهنما
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	- ویندوز نسخه 7 و بالاتر - مک OS X نسخه 10.10 و بالاتر - اندروید 5.0 و بالاتر - کنسول‌های بازی
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	-	- دارای حسگر اثر انگشت - نرم‌افزار Samsumg Portable SSD Software
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, KCC, VCCI, RCM	CE, BSMI, KC, VCCI, C-tick, FCC, IC, UL, TUV, CB, EAC, RoHS2
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	-
شیوه اتصال	-	Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2
اندازه و ابعاد	6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر	8.0 × 57 × 85 میلی‌متر
رنگ‌بندی	-	مشکی، نقره‌ای
مواد بدنه	-	آلومینیوم
وزن محصول	45 گرم	58 گرم
میزان توان مصرفی	- 2 وات در حالت خواندن - 2.2 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle - 2.5 میلی‌وات در حالت DevSlp	-
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	98,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	88,000IOPS	-
طول عمر متوسط	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	-
میزان ظرفیت حافظه	500 گیگابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	1050 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	530 مگابایت بر ثانیه	1000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	512 مگابایت LPDDR4	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	-
کنترلر (Controller)	Samsung MKX	-

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگ استار G300 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت با سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

کینگ استار VS سامسونگ

ویژگی	کینگ استار G300 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت	سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	- ویندوز XP و بالاتر - مک OS نسخه 10.4 و بالاتر - لینوکس هسته 2.6 و بالاتر	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش - مقاوم در برابر ضربه تا 500G/2 میلی‌ثانیه	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	SATA
اندازه و ابعاد	7 × 69 × 100 میلی‌متر	6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر
وزن محصول	35 گرم	45 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 2 وات در حالت خواندن - 2.2 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle - 2.5 میلی‌وات در حالت DevSlp
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	70,000IOPS	98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	88,000IOPS
طول عمر متوسط	1,000,000 ساعت (MTBF)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND flash MLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	480 گیگابایت	500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	450 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung MKX

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت با سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

هایک ویژن VS سامسونگ

ویژگی	هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- مقاوم در برابر لرزش - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - قابل استفاده در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
اندازه و ابعاد	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر	6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	45 گرم
میزان توان مصرفی	- 7 وات در حالت خواندن - 5 وات در حالت نوشتن	- 2 وات در حالت خواندن - 2.2 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle - 2.5 میلی‌وات در حالت DevSlp
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	85,000IOPS	98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	130,000IOPS	88,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 160 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	256 گیگابایت	500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	1900 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1200 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung MKX

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگستون SSDNow UV400 SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت با سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

کینگستون VS سامسونگ

ویژگی	کینگستون SSDNow UV400 SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت	سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت
محتویات جعبه	- قاب مخصوص برای استفاده از حافظه به صورت اکسترنال - اسپیسر 7 به 9.5 میلی‌متر برای افزایش ارتفاع SSD - براکت 3.5 اینچی برای قرارگیری در کیس - کابل USB - کابل ساتا - کابل دیتا - شماره سریال برای دانلود نرم‌افزار Acronis Data Migration	-
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- مقاوم در برابر حداکثر 2.17G لرزش در حالت فعال - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال - نرم‌افزار Acronis Data Migration	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	SATA
اندازه و ابعاد	7 × 69.9 × 100 میلی‌متر	6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر
وزن محصول	57 گرم	45 گرم
میزان توان مصرفی	- 0.59 وات در حالت خواندن - 2.515 وات در حالت نوشتن - 0.693 وات به صورت میانگین - 0.672 وات در حالت آماده باش	- 2 وات در حالت خواندن - 2.2 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle - 2.5 میلی‌وات در حالت DevSlp
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	15,000IOPS	88,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,000,000 ساعت (MTBF) - 50 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	120 گیگابایت	500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	350 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
کنترلر (Controller)	Marvell 88SS1074	Samsung MKX

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

هایک ویژن VS سامسونگ

ویژگی	هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- مقاوم در برابر لرزش - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - قابل استفاده در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
اندازه و ابعاد	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر	6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	45 گرم
میزان توان مصرفی	- 5.9 وات در حالت خواندن - 6.1 وات در حالت نوشتن	- 2 وات در حالت خواندن - 2.2 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle - 2.5 میلی‌وات در حالت DevSlp
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	135,000IOPS	98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	128,000IOPS	88,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 640 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	2100 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung MKX

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت با سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ VS سامسونگ

ویژگی	سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت	سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, KCC, VCCI, RCM	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	SATA
اندازه و ابعاد	6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر	6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر
وزن محصول	45 گرم	54.4 گرم
میزان توان مصرفی	- 2 وات در حالت خواندن - 2.2 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle - 2.5 میلی‌وات در حالت DevSlp	- 3.1 وات در حالت خواندن - 3.6 وات در حالت نوشتن - 70 میلی‌وات در حالت آماده باش - 5 میلی‌وات در حالت DevSlp
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	98,000IOPS	98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	88,000IOPS	90,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	500 گیگابایت	2 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	530 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	512 مگابایت LPDDR4	2GBLPDDR3
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	-
کنترلر (Controller)	Samsung MKX	Samsung MHX

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه تیم گروپ L3 EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت با سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

ام جی VS سامسونگ

ویژگی	تیم گروپ L3 EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت	سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	- ویندوز نسخه 7 و بالاتر - مک OS نسخه 10.4 و بالاتر - لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد و دمای 0 تا 55 درجه	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	SATA
اندازه و ابعاد	7 × 69.9 × 100 میلی‌متر	6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر
وزن محصول	115 گرم	45 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 2 وات در حالت خواندن - 2.2 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle - 2.5 میلی‌وات در حالت DevSlp
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	88,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,000,000 ساعت (MTBF) - 60 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	TLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	240 گیگابایت	500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	530 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	470 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	5 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung MKX

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پی ان وای CS1030 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت با سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

پی ان وای VS سامسونگ

ویژگی	پی ان وای CS1030 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) - محافظت از داده‌ها در مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, FCC, KCC, VCCI, REACH, RoHS	CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
اندازه و ابعاد	2 × 22 × 80 میلی‌متر	6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر
وزن محصول	6.6 گرم	45 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 2 وات در حالت خواندن - 2.2 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle - 2.5 میلی‌وات در حالت DevSlp
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	88,000IOPS
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	512 گیگابایت	500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	2500 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1900 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung MKX

مشاهده جزئیات مقایسه