نوع کاربری حافظه | اینترنال | اینترنال |
---|---|---|
پورت اتصال حافظه | SATA | PCIe NVMe |
جزئیات اتصال ذخیرهسازی | SATA 6Gb/s | PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4 |
طراحی و ابعاد دستگاه | 2.5 اینچ | 2280 M.2 |
---|
میزان ظرفیت حافظه | 500 گیگابایت | 1 ترابایت |
---|---|---|
مشخصات حافظه فلش (Flash) | Samsung V-NAND 3-bit MLC | 3D TLC NAND |
کنترلر (Controller) | Samsung MKX | PS5018-E18 |
نرخ خواندن ترتیبی | 560 مگابایت بر ثانیه | 7000 مگابایت بر ثانیه |
نرخ نوشتن ترتیبی | 530 مگابایت بر ثانیه | 5500 مگابایت بر ثانیه |
سرعت خواندن تصادفی دادهها | 98,000IOPS | 350,000IOPS |
سرعت نوشتن تصادفی دادهها | 88,000IOPS | 700,000IOPS |
حافظه DRAM | دارد | دارد |
نوع حافظه DRAM | 512 مگابایت LPDDR4 | 1 گیگابایت از نوع DDR4 |
محدوده دمای عملیاتی | 0 تا 70 درجه سانتیگراد | 0 تا 70 درجه سانتیگراد |
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) | 5 ولت | - |
طول عمر متوسط | - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW) | 1,600,000 ساعت (MTBF) |
میزان توان مصرفی | - 2 وات در حالت خواندن - 2.2 وات در حالت نوشتن - 30 میلیوات در حالت Idle - 2.5 میلیوات در حالت DevSlp | - 6.6 وات در حالت خواندن - 6.5 وات در حالت نوشتن - 30 میلیوات در حالت Idle |
---|
قابلیت پشتیبانی از NCQ | ندارد | ندارد |
---|---|---|
قابلیت پشتیبانی از TRIM | دارد | ندارد |
قابلیت پشتیبانی از RAID | ندارد | دارد |
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T | دارد | ندارد |
فناوری رمزنگاری | AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 | - |
قابلیتهای جانبی | - | - پشتیبانی از هشت کانال NAND Flash همراه 32 CEs - پشتیبانی از SLC Cache - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) - فناوری Thermal Throttle Protection جهت خنکسازی CPU و GPU |
مجوزها و تاییدیهها | CE, FCC, KCC, VCCI, RCM | - |
---|
اندازه و ابعاد | 6.8 × 69.85 × 100 میلیمتر | - |
---|---|---|
وزن محصول | 45 گرم | - |
نشانگر وضعیت LED | ندارد | ندارد |
---|
مواد بدنه | - | آلومینیوم ، نانوکربن |
---|
شما چه امتیازی می دهید؟