صفحه 6 از مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اچ پی S650 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایتبا سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی	اچ پی S650 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت	سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	480 MB	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 4-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	490 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	60,000IOPS	97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	71,000IOPS	89,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,000,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 720 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC پشتیبانی از SLC Cache مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6ms	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, RoHS, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RCM	-
مواد بدنه	آلومینیوم	-
اندازه و ابعاد	6.7 * 70 * 100 میلی‌متر	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	50 گرم	62 گرم
کنترلر (Controller)	-	Samsung MJX
نوع حافظه DRAM	-	2GB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
میزان توان مصرفی	-	2.3 وات * حالت خواندن ** 3.1 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا XPG SX900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

ای دیتا VS Samsung

ویژگی	ای دیتا XPG SX900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت	سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC NAND	Samsung V-NAND 4-bit MLC
کنترلر (Controller)	SandForce 2281	Samsung MJX
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	45,000IOPS	89,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,000,000 (MTBF) ساعت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 720 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	0.8 وات * حالت فعال ** 0.4 وات * حالت آماده باش	2.3 وات * حالت خواندن ** 3.1 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز نسخه XP و بالاتر مک لینوکس	-
اندازه و ابعاد	7 * 69.85 * 100.45 میلی‌متر	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	68 گرم	62 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	97,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	2GB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

Samsung VS Samsung

ویژگی	سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 4-bit MLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	Samsung MJX	Samsung MKX
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	97,000IOPS	98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	89,000IOPS	88,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	2GB LPDDR4	1 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	5 ولت
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 720 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	2.3 وات * حالت خواندن ** 3.1 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3.5 میلی‌وات * حالت DevSlp	2 وات * حالت خواندن ** 2.5 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
اندازه و ابعاد	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	62 گرم	45 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, KCC, VCCI, RCM

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کلو S1 USB 3.2 Gen2x2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

کلو VS Samsung

ویژگی	کلو S1 USB 3.2 Gen2x2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
شیوه اتصال	Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2×2	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 4-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز 8.1 به بالا ** مک OS 10/ 11 به بالا	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم کش SLC ** پشتیبانی از نرم افزار بازیابی DoYourData	-
رنگ‌بندی	کرم و مشکی	-
اندازه و ابعاد	10.5 * 80 * 80 میلی‌متر	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	75 گرم	62 گرم
نشانگر وضعیت LED	true	false
پورت اتصال حافظه	-	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2.5 اینچ
کنترلر (Controller)	-	Samsung MJX
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	89,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	2GB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 720 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	2.3 وات * حالت خواندن ** 3.1 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ MZMTD512HAGL mSATA ظرفیت 512 گیگابایت

Samsung VS Samsung

ویژگی	سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ MZMTD512HAGL mSATA ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	mSATA
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 4-bit MLC	MLC
کنترلر (Controller)	Samsung MJX	-
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	330 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	97,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	89,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	2GB LPDDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	3.3 ولت / 1.9 آمپر
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 720 ترابایت (TBW)	1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی	2.3 وات * حالت خواندن ** 3.1 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3.5 میلی‌وات * حالت DevSlp	3.44 وات در حالت فعال
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit
اندازه و ابعاد	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر	3.8 * 30 * 50.95 میلی‌متر
وزن محصول	62 گرم	10 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, BSMI

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایتبا وسترن دیجیتال Black SN770 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

Samsung VS وسترن دیجیتال

ویژگی	سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت	وسترن دیجیتال Black SN770 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 4-bit MLC	TLC NAND
کنترلر (Controller)	Samsung MJX	-
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	5150 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	4850 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	97,000IOPS	650,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	89,000IOPS	800,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	2GB LPDDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 80 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 720 ترابایت (TBW)	600 (TBW) ترابایت
میزان توان مصرفی	2.3 وات * حالت خواندن ** 3.1 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3.5 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
اندازه و ابعاد	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	62 گرم	5.5 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 8.1 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	نرم‌افزار WD Black SSD Dashboard با پشتیبانی از حالت گیمینگ

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایتبا تیم گروپ CX2 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

Samsung VS ام جی

ویژگی	سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت	تیم گروپ CX2 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 4-bit MLC	3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Samsung MJX	-
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	470 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	97,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	89,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	2GB LPDDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	5 ولت
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 720 ترابایت (TBW)	1,000,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	2.3 وات * حالت خواندن ** 3.1 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3.5 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
اندازه و ابعاد	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر	7 * 69.9 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	62 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 7 و بالاتر مک OS نسخه 10.4 و بالاتر لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 صد و دمای 0 تا 55 جه
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	FC, CE, RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایتبا تیم گروپ MS30 SATA M.2 2280 ظرفیت 256 گیگابایت

Samsung VS ام جی

ویژگی	سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت	تیم گروپ MS30 SATA M.2 2280 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 4-bit MLC	TLC
کنترلر (Controller)	Samsung MJX	-
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	97,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	89,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	2GB LPDDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	3.3 ولت
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 720 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 128 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	2.3 وات * حالت خواندن ** 3.1 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3.5 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
اندازه و ابعاد	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	62 گرم	10 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 870QVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

Samsung VS Samsung

ویژگی	سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ 870QVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 4-bit MLC	Samsung V-NAND 4-bit MLC
کنترلر (Controller)	Samsung MJX	Samsung MKX
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	97,000IOPS	98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	89,000IOPS	88,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	2GB LPDDR4	4 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	5 ولت
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 720 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1,440 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	2.3 وات * حالت خواندن ** 3.1 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3.5 میلی‌وات * حالت DevSlp	2.2 وات * حالت خواندن ** 3.2 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت Idle ** 7 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
اندازه و ابعاد	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	62 گرم	46 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

Samsung VS Samsung

ویژگی	سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 4-bit MLC	Samsung V-NAND 2-bit MLC
کنترلر (Controller)	Samsung MJX	Samsung Phoenix
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	97,000IOPS	370,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	89,000IOPS	500,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	2GB LPDDR4	LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	3.3 ولت
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 720 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	2.3 وات * حالت خواندن ** 3.1 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3.5 میلی‌وات * حالت DevSlp	5.2 وات * حالت خواندن ** 5.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit
اندازه و ابعاد	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	62 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
قابلیت‌های جانبی	-	مناسب گیمینگ ** نرم‌افزار Magician Software for SSD

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایتبا تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

Samsung VS ام جی

ویژگی	سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت	تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 4-bit MLC	Micron 96L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Samsung MJX	Silicon Motion SM2263XT
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	1700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	1400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	97,000IOPS	220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	89,000IOPS	200,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	2GB LPDDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	3.3 ولت
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 720 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 350 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	2.3 وات * حالت خواندن ** 3.1 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3.5 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
اندازه و ابعاد	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	62 گرم	6 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ROG Strix G15 G513IC ایسوس Ryzen 7 RTX 3050 16GB 1TBبا سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

ASUS VS Samsung

ویژگی	ROG Strix G15 G513IC ایسوس Ryzen 7 RTX 3050 16GB 1TB	سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت
اندازه و ابعاد	25.9 * 259 * 354 میلی‌متر	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	2.1 کیلوگرم	62 گرم
سی‌پی‌یو (CPU)	AMD Ryzen 7 4800H	-
نسل CPU	(Renoir (Zen 2	-
فرکانس کاری پردازنده	2.9 تا 4.2 گیگاهرتز	-
مقدار حافظه کش	8 MB	-
جزئیات پردازنده	سری Ryzen 4000 APU 8 هسته 16 ترد ** لیتوگرافی 7 نانومتر	-
مشخصات پردازنده گرافیکی مجزا	nvidia GeForce RTX 3050	-
گرافیک مجتمع با پردازنده	AMD Radeon RX Vega 7	-
حافظه‌ی اختصاصی پردازنده‌ی گرافیکی	4 گیگابایت از نوع GDDR6 و 128 بیت	-
ظرفیت رم	16 MB	-
نوع حافظه‌ی RAM	DDR4	-
ظرفیت حافظه‌ی ذخیره‌سازی	1 ترابایت	-
نوع حافظه‌ی ذخیره‌سازی	SSD	-
جزئیات حافظه داخلی	SSD از نوع PCIe	-
اندازه نمایشگر	15.6 اینچ	-
فناوری پنل	IPS LCD	-
رزولوشن دیسپلی	1080×1920 - FHD	-
فرکانس نوسازی تصویر	144 هرتز	-
نوع پوشش صفحه نمایش	مات	-
قابلیت لمسی در صفحه‌نمایش	false	-
پورت اترنت (شبکه)	true	-
قابلیت شبکه بی‌سیم	true	-
پشتیبانی از بلوتوث (Bluetooth)	true	-
پورت VGA	false	-
HDMI	true	-
پورت DVI	false	-
پورت USB Type C	true	-
قابلیت پشتیبانی از Thunderbolt	false	-
وجود جک هدفون/میکروفن	true	-
حجم و ظرفیت باتری	باتری 4 سلولی با ظرفیت 56 وات‌ساعت	-
مدت شارژدهی باتری (ساعت)	1 تا 3 ساعت	-
درایو نوری (Optical Drive)	false	-
وبکم (Webcam)	false	-
کیبورد با نور پس‌زمینه (Backlit Keyboard)	true	-
حسگر اثر انگشت	false	-
کارت‌خوان (Card Reader)	true	-
نوع اسپیکر	بلندگوهای داخلی استریو	-
نوع کاربری حافظه	-	اینترنال
پورت اتصال حافظه	-	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	-	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 4-bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung MJX
نرخ خواندن ترتیبی	-	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	89,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	2GB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 720 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	2.3 وات * حالت خواندن ** 3.1 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه