1. مقایسه
  2. مقایسه کالای دیجیتال
  3. مقایسه کامپیوتر و لوازم جانبی
  4. مقایسه تجهیزات ذخیره‌سازی اطلاعات
  5. مقایسه حافظه SSD

مقایسه حافظه SSD

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

VS
مقایسه سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت
VS
مقایسه سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

مقایسه سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ VS سامسونگ
ویژگی

سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
اندازه و ابعاد 2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر 6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر
وزن محصول 9 گرم 62 گرم
میزان توان مصرفی - 5 وات در حالت خواندن - 3.9 وات در حالت نوشتن - 35 میلی‌وات در حالت آماده باش - 2.3 وات در حالت خواندن - 3.1 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت آماده باش - 3.5 میلی‌وات در حالت DevSlp
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 500,000IOPS 97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 600,000IOPS 89,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 150 ترابایت (TBW) - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 720 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND Samsung V-NAND 4-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 250 گیگابایت 2 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 6400 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2700 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 512 مگابایت LPDDR4 2GB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 5 ولت
کنترلر (Controller) Samsung Elpis Samsung MJX
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
VS
مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

سامسونگ VS سامسونگ
ویژگی

سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه - نرم‌افزار Magician Software for SSD
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر 2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 62 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی - 2.3 وات در حالت خواندن - 3.1 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت آماده باش - 3.5 میلی‌وات در حالت DevSlp - 5 وات در حالت خواندن - 4.2 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 97,000IOPS 250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 89,000IOPS 550,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 720 ترابایت (TBW) - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 4-bit MLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 250 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 2GB LPDDR4 512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت 3.3 ولت
کنترلر (Controller) Samsung MJX Samsung Phoenix
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
VS
مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایتبا ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ VS ای دیتا
ویژگی

سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, BSMI, KC, RCM, Morocco, EAC
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر - 4.3 × 22 × 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک) - 3.3 × 22 × 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک)
وزن محصول 62 گرم - 10 گرم (با هیت‌سینک) - 6 گرم (بدون هیت‌سینک)
میزان توان مصرفی - 2.3 وات در حالت خواندن - 3.1 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت آماده باش - 3.5 میلی‌وات در حالت DevSlp - 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 وات در حالت Slumber
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 97,000IOPS 191,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 89,000IOPS 510,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 720 ترابایت (TBW) - 2,000,000 ساعت (MTBF) - 370 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 4-bit MLC Micron 96L 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 512 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 3800 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 2800 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 2GB LPDDR4 DDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
کنترلر (Controller) Samsung MJX Silicon Motion SM2267EN
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
VS
مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایتبا ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سامسونگ VS ای دیتا
ویژگی

سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر 3.5 × 22 × 80 میلی‌متر
وزن محصول 62 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی - 2.3 وات در حالت خواندن - 3.1 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت آماده باش - 3.5 میلی‌وات در حالت DevSlp - 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 میلی‌وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 97,000IOPS 220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 89,000IOPS 290,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 720 ترابایت (TBW) - 2,000,000 ساعت (MTBF) - 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 4-bit MLC Micron 64-Layer 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 256 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 2GB LPDDR4 NANYA DDR3
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
کنترلر (Controller) Samsung MJX SMI SM2262EN
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 960 گیگابایت
VS
مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 960 گیگابایت

مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایتبا ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 960 گیگابایت

سامسونگ VS ای دیتا
ویژگی

سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 960 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار - - ویندوز نسخه XP و بالاتر - مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر - لینوکس کرنل 2.6 و بالاتر - اندروید 5.0 و بالاتر
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - - پشتیبانی از SLC Cache هوشمند - مقاوم در برابر لرزش و ضربه از ارتفاع 1.22 متری - پشتیبانی از کنسول‌های بازی Xbox One و PlayStation 4
مجوزها و تاییدیه‌ها - - استاندارد نظامی MIL-STD-810G 516.6 - FCC, CE, KC, EAC, BSMI, RoHS
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s -
نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه SATA -
شیوه اتصال - Micro-B به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 1
اندازه و ابعاد 6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر 15.2 × 80 × 80 میلی‌متر
مواد بدنه - پلاستیک
وزن محصول 62 گرم 60 گرم
میزان توان مصرفی - 2.3 وات در حالت خواندن - 3.1 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت آماده باش - 3.5 میلی‌وات در حالت DevSlp -
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 97,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 89,000IOPS -
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 720 ترابایت (TBW) -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 4-bit MLC 3D NAND
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 960 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 440 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 430 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 2GB LPDDR4 -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
کنترلر (Controller) Samsung MJX Maxio Technology MAS0902A
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ VS سامسونگ
ویژگی

سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر 2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 62 گرم 9 گرم
میزان توان مصرفی - 2.3 وات در حالت خواندن - 3.1 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت آماده باش - 3.5 میلی‌وات در حالت DevSlp - 6.2 وات در حالت خواندن - 5.7 وات در حالت نوشتن - 35 میلی‌وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 97,000IOPS 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 89,000IOPS 1,000,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 720 ترابایت (TBW) - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 4-bit MLC Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 2GB LPDDR4 1 گیگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت 3.3 ولت
کنترلر (Controller) Samsung MJX Samsung Elpis
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ VS سامسونگ
ویژگی

سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر 2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 62 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی - 2.3 وات در حالت خواندن - 3.1 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت آماده باش - 3.5 میلی‌وات در حالت DevSlp - 5.5 وات در حالت خواندن - 6 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 97,000IOPS 600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 89,000IOPS 550,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 720 ترابایت (TBW) - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 4-bit MLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 3300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 2GB LPDDR4 1 گیگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت 3.3 ولت
کنترلر (Controller) Samsung MJX Samsung Phoenix
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
VS
مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

سامسونگ VS سامسونگ
ویژگی

سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه - نرم‌افزار Magician Software for SSD
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر 2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 62 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی - 2.3 وات در حالت خواندن - 3.1 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت آماده باش - 3.5 میلی‌وات در حالت DevSlp - 5.5 وات در حالت خواندن - 5.8 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 97,000IOPS 480,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 89,000IOPS 550,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 720 ترابایت (TBW) - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 4-bit MLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 2GB LPDDR4 512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت 3.3 ولت
کنترلر (Controller) Samsung MJX Samsung Phoenix
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ VS سامسونگ
ویژگی

سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

محتویات جعبه - - کابل USB Type-C به USB Type-C - کابل USB Type-C به USB Type-A - دفترچه راهنما
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - - نرم‌افزار Samsumg Portable SSD Software - دارای استاندارد IP65 مقاومت در برابر نفوذ آب
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, BSMI, KC, VCCI, C-tick, FCC, IC, UL, TUV, CB, EAC, UKCA, BIS
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s -
نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه SATA -
شیوه اتصال - Type-C به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2
اندازه و ابعاد 6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر 13 × 59 × 88 میلی‌متر
رنگ‌بندی - مشکی، آبی، طوسی
وزن محصول 62 گرم 98 گرم
میزان توان مصرفی - 2.3 وات در حالت خواندن - 3.1 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت آماده باش - 3.5 میلی‌وات در حالت DevSlp -
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 97,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 89,000IOPS -
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 720 ترابایت (TBW) -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 4-bit MLC -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 1050 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 1000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 2GB LPDDR4 -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
کنترلر (Controller) Samsung MJX -
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
VS
مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایتبا ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سامسونگ VS ای دیتا
ویژگی

سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - - مناسب گیمینگ - قابلیت شخصی‌سازی نورپردازی - پشتیبانی از SLC Cache - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KCC, EAC, RCM, Morocco
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر 8 × 22 × 80 میلی‌متر
وزن محصول 62 گرم 13.4 گرم
میزان توان مصرفی - 2.3 وات در حالت خواندن - 3.1 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت آماده باش - 3.5 میلی‌وات در حالت DevSlp - 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 97,000IOPS 210,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 89,000IOPS 230,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 720 ترابایت (TBW) - 2,000,000 ساعت (MTBF) - 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 4-bit MLC 3D NAND
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 256 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 2GB LPDDR4 -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
کنترلر (Controller) Samsung MJX -
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
VS
مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایتبا ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ VS ای دیتا
ویژگی

سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, BSMI, KC, Morocco, EAC
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر - 3.3 × 22 × 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک) - 4.3 × 22 × 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک)
وزن محصول 62 گرم - 7 گرم (بدون هیت‌سینک) - 10 گرم (با هیت‌سینک)
میزان توان مصرفی - 2.3 وات در حالت خواندن - 3.1 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت آماده باش - 3.5 میلی‌وات در حالت DevSlp -
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 97,000IOPS 750,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 89,000IOPS 750,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 720 ترابایت (TBW) - 2,000,000 ساعت (MTBF) - 1480 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 4-bit MLC 3D NAND
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 512 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 7400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 6800 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 2GB LPDDR4 -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
کنترلر (Controller) Samsung MJX -
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
VS
مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایتبا ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سامسونگ VS ایکس پی جی
ویژگی

سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر 6.1 × 22 × 80 میلی‌متر
وزن محصول 62 گرم 11 گرم
میزان توان مصرفی - 2.3 وات در حالت خواندن - 3.1 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت آماده باش - 3.5 میلی‌وات در حالت DevSlp - 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 97,000IOPS 220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 89,000IOPS 290,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 720 ترابایت (TBW) - 2,000,000 ساعت (MTBF) - 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 4-bit MLC Micron 64-Layer 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 256 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 2GB LPDDR4 DDR3L
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
کنترلر (Controller) Samsung MJX SMI SM2262EN
مشاهده جزئیات مقایسه