صفحه 2 از مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828با سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

برند نامشخص VS Samsung
ویژگی

SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828

سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes SATA 6Gb/s
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ SATA
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND Samsung V-NAND 4-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۷۰۰ مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰ 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 720 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V 5 ولت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۵ میلی‌متر) 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول ۷.۵ گرم 62 گرم
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2.5 اینچ
کنترلر (Controller) - Samsung MJX
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 89,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 2GB LPDDR4
میزان توان مصرفی - 2.3 وات * حالت خواندن ** 3.1 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس اس دی اینترنال DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-Vبا سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

اس اس دی اینترنال DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-V

سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۹۶۰ گیگابایت 2 ترابایت
اندازه و ابعاد ۲.۵" 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه SAS SATA
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه - 2.5 اینچ
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 4-bit MLC
کنترلر (Controller) - Samsung MJX
نرخ خواندن ترتیبی - 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 89,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 2GB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 720 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 2.3 وات * حالت خواندن ** 3.1 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
وزن محصول - 62 گرم
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1D04758با سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1D04758

سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 2 ترابایت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۶ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰ * ۲۲ * ۲.۳۸ میلی‌متر) 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول ۹ گرم 62 گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2.5 اینچ
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 4-bit MLC
کنترلر (Controller) - Samsung MJX
نرخ خواندن ترتیبی - 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 89,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 2GB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 720 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 2.3 وات * حالت خواندن ** 3.1 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

ویژگی

سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s -
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 4-bit MLC V-NAND MLC
کنترلر (Controller) Samsung MJX -
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 97,000IOPS ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 89,000IOPS ۸۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 2GB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت ۵ V
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 720 ترابایت (TBW) ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 2.3 وات * حالت خواندن ** 3.1 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3.5 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit Yes
اندازه و ابعاد 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر 2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول 62 گرم ۴۶ گرم
نشانگر وضعیت LED false -

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1L68661با سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1L68661

سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۵۱۲ گیگابایت 2 ترابایت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۸۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۲.۳۸ میلی‌متر) 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول ۶.۵ گرم 62 گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2.5 اینچ
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 4-bit MLC
کنترلر (Controller) - Samsung MJX
نرخ خواندن ترتیبی - 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 89,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 2GB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 720 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 2.3 وات * حالت خواندن ** 3.1 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A90874با سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A90874

سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۹۶۰ گیگابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND TLC Samsung V-NAND 4-bit MLC
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۸۱۰۰۰ IOPS 97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۲۸۰۰۰ IOPS 89,000IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 720 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر) 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه Serial ATA III SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
طراحی و ابعاد دستگاه - 2.5 اینچ
کنترلر (Controller) - Samsung MJX
نرخ خواندن ترتیبی - 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 520 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 2GB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
میزان توان مصرفی - 2.3 وات * حالت خواندن ** 3.1 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
وزن محصول - 62 گرم
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883

ویژگی

سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s -
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۳.۸۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 4-bit MLC -
کنترلر (Controller) Samsung MJX -
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 97,000IOPS ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 89,000IOPS ۳۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 2GB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 720 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 2.3 وات * حالت خواندن ** 3.1 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3.5 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
اندازه و ابعاد 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر ۲.۵"
وزن محصول 62 گرم ۵۸ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
رنگ‌بندی - مشکی

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90875با سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90875

سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱.۹۲ ترابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND TLC Samsung V-NAND 4-bit MLC
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۸۲۰۰۰ IOPS 97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۲۸۰۰۰ IOPS 89,000IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 720 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر) 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه Serial ATA III SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
طراحی و ابعاد دستگاه - 2.5 اینچ
کنترلر (Controller) - Samsung MJX
نرخ خواندن ترتیبی - 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 520 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 2GB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
میزان توان مصرفی - 2.3 وات * حالت خواندن ** 3.1 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
وزن محصول - 62 گرم
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 4 ترابایتبا سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 4 ترابایت

سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۴ ترابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC Samsung V-NAND 4-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی ۱۴۸۰۰ مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۲۲۰۰۰۰۰ IOPS 97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۲۲۰۰۰۰۰ IOPS 89,000IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 720 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر) 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول ۷.۷ گرم 62 گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۵.۰ SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2.5 اینچ
کنترلر (Controller) - Samsung MJX
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 2GB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
میزان توان مصرفی - 2.3 وات * حالت خواندن ** 3.1 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایتبا SSD اینترنال 135398

ویژگی

سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

SSD اینترنال 135398

نوع کاربری حافظه اینترنال حافظه فلش NAND
پورت اتصال حافظه SATA M.2 2280
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe Gen 4x4 / PCIe Gen 5x2
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ فرم فاکتور M.2 2280
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 4-bit MLC آخرین حافظه NAND
کنترلر (Controller) Samsung MJX کنترلر با روکش نیکل
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 7150 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 97,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 89,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 2GB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 720 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 2.3 وات * حالت خواندن ** 3.1 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3.5 میلی‌وات * حالت DevSlp کارآمد
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit
اندازه و ابعاد 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر M.2 2280
وزن محصول 62 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -
شیوه اتصال - NVMe
سیستم‌عامل‌های سازگار - کامپیوتر شخصی، لپ‌تاپ
قابلیت‌های جانبی - فناوری HMB، Intelligent Turbowrite 2.0
محتویات جعبه - SSD (MZ-V9S1T0B/AM)

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 رمزگذاری خودکار 1 ترابایت iStorage Kanguru Defender SED30با سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 رمزگذاری خودکار 1 ترابایت iStorage Kanguru Defender SED30

سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

فناوری رمزنگاری Yes AES 256-bit
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC Samsung V-NAND 4-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی ۷۲۰۰ مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۵۰۰ مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۱۰۰۰۰۰۰ IOPS 97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۱۰۰۰۰۰۰ IOPS 89,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ میلی‌متر * ۸۰ میلی‌متر) 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول ۱۴ گرم 62 گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2.5 اینچ
کنترلر (Controller) - Samsung MJX
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 2GB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 720 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 2.3 وات * حالت خواندن ** 3.1 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ PM981 NVMe

ویژگی

سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

اس اس دی اینترنال سامسونگ PM981 NVMe

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCI Express ۳.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 4-bit MLC TLC
کنترلر (Controller) Samsung MJX -
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه ۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه ۲۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 97,000IOPS ۳۸۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 89,000IOPS ۴۴۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 2GB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 720 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 2.3 وات * حالت خواندن ** 3.1 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3.5 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
اندازه و ابعاد 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر M.۲
وزن محصول 62 گرم ۹ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
رنگ‌بندی - Black, Green