صفحه 5 از مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kitبا سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی	اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit	سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت
وزن محصول	۱۶۴ گرم	62 گرم
اندازه و ابعاد	۸۲ * ۳۰ * ۱۲ میلی‌متر	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
محتویات جعبه	Z Turbo ۴TB ۲۲۸۰ PCIe-۴x۴ SED OPAL۲ TLC M.۲ Z۴/Z۶ Kit SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	-	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	-	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 4-bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung MJX
نرخ خواندن ترتیبی	-	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	89,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	2GB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 720 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	2.3 وات * حالت خواندن ** 3.1 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI298با سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

برند نامشخص VS Samsung

ویژگی	اس اس دی اینترنال AGI Technology AI298	سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	SATA 6Gb/s
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۳.۰	SATA
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D NAND	Samsung V-NAND 4-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۱۷۰۰ مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۶۰۰	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 720 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۳.۳ V	5 ولت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۵ میلی‌متر)	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	۶ گرم	62 گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS, VCCI	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2.5 اینچ
کنترلر (Controller)	-	Samsung MJX
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	89,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	2GB LPDDR4
میزان توان مصرفی	-	2.3 وات * حالت خواندن ** 3.1 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

Samsung VS سامسونگ

ویژگی	سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 4-bit MLC	V-NAND TLC
کنترلر (Controller)	Samsung MJX	-
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	97,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	89,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	2GB LPDDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 720 ترابایت (TBW)	۶۰۰
میزان توان مصرفی	2.3 وات * حالت خواندن ** 3.1 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3.5 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	Yes
اندازه و ابعاد	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر	۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm)
وزن محصول	62 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی سازمانی کینگستون 3.84 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMeبا سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

کینگستون VS Samsung

ویژگی	اس اس دی سازمانی کینگستون 3.84 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe	سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت
فناوری رمزنگاری	Yes	AES 256-bit
میزان ظرفیت حافظه	۳.۸۴ ترابایت	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D eTLC	Samsung V-NAND 4-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۸۰۰ مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۲۷۰۰۰۰۰ IOPS	97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۳۰۰۰۰۰ IOPS	89,000IOPS
طول عمر متوسط	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 720 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	U.2 (۶۹.۸ * ۱۰۰.۵ * ۱۴.۸ میلی‌متر)	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	۱۴۶.۲ گرم	62 گرم
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۵.۰	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2.5 اینچ
کنترلر (Controller)	-	Samsung MJX
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	2GB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
میزان توان مصرفی	-	2.3 وات * حالت خواندن ** 3.1 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

کینگستون VS Samsung

ویژگی	SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D NAND	Samsung V-NAND 4-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۳۲۰	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 720 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2230 (22 x 30 mm) (۳۰ * ۲۲ * ۲.۳ میلی‌متر)	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	۲.۸ گرم	62 گرم
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2.5 اینچ
کنترلر (Controller)	-	Samsung MJX
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	89,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	2GB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
میزان توان مصرفی	-	2.3 وات * حالت خواندن ** 3.1 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه SSD اینترنال HP Z Turbo ظرفیت 512 گیگابایت PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kitبا سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

اچ پی VS Samsung

ویژگی	SSD اینترنال HP Z Turbo ظرفیت 512 گیگابایت PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit	سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت
وزن محصول	۳۴.۴ گرم	62 گرم
اندازه و ابعاد	۸۲ * ۳۰ * ۱۲ میلی‌متر	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
محتویات جعبه	HP Z Turbo ۵۱۲GB PCIe-۴x۴ Z۴/Z۶ SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	-	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	-	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 4-bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung MJX
نرخ خواندن ترتیبی	-	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	89,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	2GB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 720 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	2.3 وات * حالت خواندن ** 3.1 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kitبا سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

اچ پی VS Samsung

ویژگی	اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit	سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	TLC	Samsung V-NAND 4-bit MLC
اندازه و ابعاد	PCI Express (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳۸ میلی‌متر)	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	۹ گرم	62 گرم
محتویات جعبه	HP ZTurbo ۱TB ۲۲۸۰ PCIe-۴x۴ TLC M.۲ SSD; Heatsink; Install guide; Product Notices; Warranty Card	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	-	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2.5 اینچ
کنترلر (Controller)	-	Samsung MJX
نرخ خواندن ترتیبی	-	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	89,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	2GB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 720 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	2.3 وات * حالت خواندن ** 3.1 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایتبا WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

Samsung VS Sandisk

ویژگی	سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت	WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD
نوع کاربری حافظه	اینترنال	بازی؛ لپ‌تاپ
پورت اتصال حافظه	SATA	M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe Gen4 x4؛ NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	فرم فاکتور M.2 2280
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 4-bit MLC	TLC 3D NAND
کنترلر (Controller)	Samsung MJX	-
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	7,250 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	6,900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	97,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	89,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	2GB LPDDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 720 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	2.3 وات * حالت خواندن ** 3.1 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3.5 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
اندازه و ابعاد	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر	M.2 2280
وزن محصول	62 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	-
شیوه اتصال	-	M.2 NVMe PCIe Gen4
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	Windows (برای عملکرد داشبورد)
قابلیت‌های جانبی	-	نرم‌افزار WD_BLACK Dashboard (فقط ویندوز)؛ تا 100% بهره‌وری انرژی بیشتر نسبت به نسل قبل؛ تا 35% عملکرد سریع‌تر نسبت به نسل قبل

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایتبا وریتی ASCEND S601 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

Samsung VS وریتی

ویژگی	سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت	وریتی ASCEND S601 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 4-bit MLC	3D TLC
کنترلر (Controller)	Samsung MJX	-
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	480 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	420 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	97,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	89,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	2GB LPDDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 720 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	2.3 وات * حالت خواندن ** 3.1 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3.5 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
اندازه و ابعاد	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر	-
وزن محصول	62 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز XP و بالاتر مک OS لینوکس

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایتبا وریتی ASCEND S601 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

Samsung VS وریتی

ویژگی	سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت	وریتی ASCEND S601 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 4-bit MLC	3D TLC
کنترلر (Controller)	Samsung MJX	-
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	480 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	420 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	97,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	89,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	2GB LPDDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 720 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	2.3 وات * حالت خواندن ** 3.1 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3.5 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
اندازه و ابعاد	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر	-
وزن محصول	62 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز XP و بالاتر مک OS لینوکس

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه امتک X150 Power Plus SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایتبا سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

امتک VS Samsung

ویژگی	امتک X150 Power Plus SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت	سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	480 MB	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 4-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	55,000IOPS	97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	65,000IOPS	89,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
طول عمر متوسط	2,000,000 (MTBF) ساعت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 720 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان بهینه ساز مصرف انرژی	-
اندازه و ابعاد	7 * 69.85 * 100 میلی‌متر	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
کنترلر (Controller)	-	Samsung MJX
نوع حافظه DRAM	-	2GB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
میزان توان مصرفی	-	2.3 وات * حالت خواندن ** 3.1 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
وزن محصول	-	62 گرم
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایتبا وسترن دیجیتال Green WDS120G2G0B SATA M.2 ظرفیت 120 گیگابایت

Samsung VS خودروسازی دی اس

ویژگی	سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت	وسترن دیجیتال Green WDS120G2G0B SATA M.2 ظرفیت 120 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	120 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 4-bit MLC	-
کنترلر (Controller)	Samsung MJX	-
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	545 گیگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	435 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	97,000IOPS	37,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	89,000IOPS	63,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	2GB LPDDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 720 ترابایت (TBW)	1,000,000 (MTTF) ساعت
میزان توان مصرفی	2.3 وات * حالت خواندن ** 3.1 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3.5 میلی‌وات * حالت DevSlp	0.08 وات * حالت میانگین ** 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 0.01 وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
اندازه و ابعاد	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر	1.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	62 گرم	6.46 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** مقاوم * برابر حداکثر 5G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 4.9G لرزش * حالت غیرفعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	FCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCI, CE, Morocco, RCM, CAN ICES-3(B)/NMB-3(B)

مشاهده جزئیات مقایسه