مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ T9 USB 3.2 Gen 2×2 ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ T9 USB 3.2 Gen 2×2 ظرفیت 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه SATA -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s -
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 4-bit MLC -
کنترلر (Controller) Samsung MJX -
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 1950 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 96,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 89,000IOPS -
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 1GB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 60 درجه سانتی گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit hardware encryption
اندازه و ابعاد 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر 14 * 60 * 88 میلی‌متر
وزن محصول 62 گرم 122 گرم
نشانگر وضعیت LED false true
شیوه اتصال - Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2×2
سیستم‌عامل‌های سازگار - Windows, macOS, Android
قابلیت‌های جانبی - پشتیبانی از حالت UASP ** سازگار با نرم افزار Samsung Magician
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, BSMI, KC, VCCI, RCM, FCC, IC, UL, TUV, CB, EAC, UKCA, BIS

مقایسه ای دیتا Swordfish NVMe M.2 ظرفیت 1 تربایتبا سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

ای دیتا Swordfish NVMe M.2 ظرفیت 1 تربایت

سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) SanDisk BiCS4 96L 3D TLC NAND Samsung V-NAND 4-bit MLC
کنترلر (Controller) Realtek RTS5763DL Samsung MJX
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1200 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS 96,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS 89,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 480 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS, CE, FCC, BSMI, KC -
اندازه و ابعاد 3.85 * 22 * 80 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 10.5 گرم 62 گرم
نوع حافظه DRAM - 1GB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
میزان توان مصرفی - 2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس اس دی اکسترنال ای دیتا SC730با سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

اس اس دی اکسترنال ای دیتا SC730

سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۵۱۲ گیگابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی ۶۰۰ مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۰۰ مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۵ V 5 ولت
محدوده دمای عملیاتی ۵ تا ۳۵ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
پورت اتصال حافظه ۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲) SATA
نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
مواد بدنه Plastic -
رنگ‌بندی مشکی -
وزن محصول ۷.۸ گرم 62 گرم
اندازه و ابعاد ۳۶.۸ * ۹.۷ * ۲۳.۸ میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه - 2.5 اینچ
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 4-bit MLC
کنترلر (Controller) - Samsung MJX
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 96,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 89,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 1GB LPDDR4
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس اس دی اکسترنال امن iStorage diskAshur² 512 گیگابایت سبز - با رمزگذاری سخت‌افزاری 256 بیتی AES-XTS، محافظت با پین، مقاوم در برابر آب و گرد و غباربا سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

اس اس دی اکسترنال امن iStorage diskAshur² 512 گیگابایت سبز - با رمزگذاری سخت‌افزاری 256 بیتی AES-XTS، محافظت با پین، مقاوم در برابر آب و گرد و غبار

سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

اندازه و ابعاد 2.5" (۸۴ * ۱۹ * ۱۲۴ میلی‌متر) 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
رنگ‌بندی Green -
وزن محصول ۱۸۰ گرم 62 گرم
میزان ظرفیت حافظه ۵۱۲ گیگابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی ۳۶۲ مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۳۵۸ مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
پورت اتصال حافظه ۳.۲ Gen ۱ (۳.۱ Gen ۱) SATA
نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
مجوزها و تاییدیه‌ها C-TICK, CE, Federal Communications Commission (FCC), REACH, RoHS, Trade Agreements Act (TAA), UKCA, WEEE -
فناوری رمزنگاری ۲۵۶-bit AES-XTS AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه - 2.5 اینچ
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 4-bit MLC
کنترلر (Controller) - Samsung MJX
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 96,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 89,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 1GB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایتبا اس‌اس‌دی اکسترنال قابل حمل ورباتیم Store 'n' Go USB 3.2 Gen 1 512GB

ویژگی

سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

اس‌اس‌دی اکسترنال قابل حمل ورباتیم Store 'n' Go USB 3.2 Gen 1 512GB

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه SATA ۳.۲ Gen ۱ (۳.۱ Gen ۱)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s -
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۵۱۲ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 4-bit MLC -
کنترلر (Controller) Samsung MJX -
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 96,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 89,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 1GB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
اندازه و ابعاد 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر ۸۱ * ۱۱۹ * ۷ میلی‌متر
وزن محصول 62 گرم ۹۸ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
مواد بدنه - Plastic
رنگ‌بندی - مشکی

مقایسه حافظه SSD اکسترنال امن iStorage diskAshur² 2 ترابایت سبزبا سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

حافظه SSD اکسترنال امن iStorage diskAshur² 2 ترابایت سبز

سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

اندازه و ابعاد 2.5" (۸۴ * ۱۹ * ۱۲۴ میلی‌متر) 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
رنگ‌بندی Green -
وزن محصول ۱۸۰ گرم 62 گرم
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی ۳۶۲ مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۳۵۸ مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
پورت اتصال حافظه ۳.۲ Gen ۱ (۳.۱ Gen ۱) SATA
نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
مواد بدنه Rubber, Silicone -
مجوزها و تاییدیه‌ها Federal Communications Commission (FCC), CE, WEEE, C-TICK, RoHS, REACH, Trade Agreements Act (TAA) -
فناوری رمزنگاری ۲۵۶-bit AES-XTS AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه - 2.5 اینچ
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 4-bit MLC
کنترلر (Controller) - Samsung MJX
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 96,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 89,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 1GB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایتبا حافظه SSD اکسترنال Verbatim Store 'n' Go 256 گیگابایت USB 3.2 Gen 1

ویژگی

سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

حافظه SSD اکسترنال Verbatim Store 'n' Go 256 گیگابایت USB 3.2 Gen 1

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه SATA ۳.۲ Gen ۱ (۳.۱ Gen ۱)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s -
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۲۵۶ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 4-bit MLC -
کنترلر (Controller) Samsung MJX -
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 96,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 89,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 1GB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
اندازه و ابعاد 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر ۸۱ * ۱۱۹ * ۷ میلی‌متر
وزن محصول 62 گرم ۹۸ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
مواد بدنه - Plastic
رنگ‌بندی - مشکی

مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایتبا اس‌اس‌دی اکسترنال سامسونگ MU-PH4T0S 4TB

ویژگی

سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

اس‌اس‌دی اکسترنال سامسونگ MU-PH4T0S 4TB

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه SATA ۳.۲ Gen ۱ (۳.۱ Gen ۱)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s -
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 4-bit MLC -
کنترلر (Controller) Samsung MJX -
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه ۴۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه ۴۶۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 96,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 89,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 1GB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۶۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit ۲۵۶-bit AES
اندازه و ابعاد 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر ۹۴ * ۱۷.۷ * ۷۹.۷ میلی‌متر
وزن محصول 62 گرم ۱۰۲ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
رنگ‌بندی - مشکی
مجوزها و تاییدیه‌ها - Industry Canada (IC), BSMI, CB, CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), KC, RCM, RoHS, cTUVus, UKCA, VCCI

مقایسه اس‌اس‌دی اکسترنال iStorage Kanguru UltraLock M.2 NVMe 2 ترابایت USB-C - امن، با محافظت از نوشتنبا سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

اس‌اس‌دی اکسترنال iStorage Kanguru UltraLock M.2 NVMe 2 ترابایت USB-C - امن، با محافظت از نوشتن

سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی ۶۷۵ مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۷۵ مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
محدوده دمای عملیاتی ۵ تا ۳۵ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes SATA 6Gb/s
پورت اتصال حافظه ۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲) SATA
نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
مواد بدنه Aluminium, Rubber -
رنگ‌بندی مشکی -
وزن محصول ۸۵ گرم 62 گرم
اندازه و ابعاد ۴ * ۱۰.۵ * ۱.۵ میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
مجوزها و تاییدیه‌ها Trade Agreements Act (TAA) -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2.5 اینچ
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 4-bit MLC
کنترلر (Controller) - Samsung MJX
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 96,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 89,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 1GB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایتبا حافظه SSD اکسترنال Verbatim TurboMetal 2 ترابایت USB4

ویژگی

سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

حافظه SSD اکسترنال Verbatim TurboMetal 2 ترابایت USB4

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه SATA USB۴ Gen ۲x۲
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s -
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 4-bit MLC -
کنترلر (Controller) Samsung MJX -
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه ۳۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه ۳۶۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 96,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 89,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 1GB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۵ تا ۴۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
اندازه و ابعاد 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر ۵۵ * ۱۰۵.۸ * ۱۸.۱ میلی‌متر
وزن محصول 62 گرم ۱۵۰ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
مواد بدنه - Metal
رنگ‌بندی - نقره‌ای

مقایسه اس‌اس‌دی اکسترنال iStorage Kanguru UltraLock M.2 NVMe 1 ترابایت USB-C - امن، با محافظت از نوشتنبا سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

اس‌اس‌دی اکسترنال iStorage Kanguru UltraLock M.2 NVMe 1 ترابایت USB-C - امن، با محافظت از نوشتن

سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی ۶۷۵ مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۷۵ مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
محدوده دمای عملیاتی ۵ تا ۳۵ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes SATA 6Gb/s
پورت اتصال حافظه ۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲) SATA
نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
مواد بدنه Aluminium, Rubber -
رنگ‌بندی مشکی -
وزن محصول ۸۵ گرم 62 گرم
اندازه و ابعاد ۴ * ۱۰.۵ * ۱.۵ میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
مجوزها و تاییدیه‌ها Trade Agreements Act (TAA) -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2.5 اینچ
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 4-bit MLC
کنترلر (Controller) - Samsung MJX
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 96,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 89,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 1GB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایتبا اس‌اس‌دی اکسترنال ورباتیم Vx500

ویژگی

سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

اس‌اس‌دی اکسترنال ورباتیم Vx500

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه SATA ۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s -
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 4-bit MLC -
کنترلر (Controller) Samsung MJX -
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه ۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه ۴۴۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 96,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 89,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 1GB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۸۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
اندازه و ابعاد 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر ۲۹ * ۹۲ * ۹ میلی‌متر
وزن محصول 62 گرم ۲۹ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
مواد بدنه - Aluminium
رنگ‌بندی - نقره‌ای