صفحه 2 از مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایتبا اس‌اس‌دی اکسترنال ورباتیم Vx500

ویژگی	سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت	اس‌اس‌دی اکسترنال ورباتیم Vx500
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 4-bit MLC	-
کنترلر (Controller)	Samsung MJX	-
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	۴۴۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	96,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	89,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	1GB LPDDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۸۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
اندازه و ابعاد	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر	۲۹ * ۹۲ * ۹ میلی‌متر
وزن محصول	62 گرم	۲۹ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
مواد بدنه	-	Aluminium
رنگ‌بندی	-	نقره‌ای

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایتبا اس‌اس‌دی اکسترنال سیگیت STJE500402

Samsung VS سی‌گیت

ویژگی	سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت	اس‌اس‌دی اکسترنال سیگیت STJE500402
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	۳.۲ Gen ۱ (۳.۱ Gen ۱)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	۵۰۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 4-bit MLC	-
کنترلر (Controller)	Samsung MJX	-
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	96,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	89,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	1GB LPDDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
اندازه و ابعاد	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر	۵۵.۵ * ۱۰ * ۷۵ میلی‌متر
وزن محصول	62 گرم	۶۵ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
مواد بدنه	-	Plastic
رنگ‌بندی	-	سفید

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی اکسترنال قابل حمل سامسونگ T7 Touch 500 گیگابایت نقره‌ای - با امنیت اثر انگشت

Samsung VS سامسونگ

ویژگی	سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت	اس اس دی اکسترنال قابل حمل سامسونگ T7 Touch 500 گیگابایت نقره‌ای - با امنیت اثر انگشت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	۵۰۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 4-bit MLC	-
کنترلر (Controller)	Samsung MJX	-
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	۱۰۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	۱۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	96,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	89,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	1GB LPDDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	۲۵۶-bit AES
اندازه و ابعاد	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر	۸۵ * ۸ * ۵۷ میلی‌متر
وزن محصول	62 گرم	۵۸ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
مواد بدنه	-	Aluminium
رنگ‌بندی	-	نقره‌ای
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایتبا اس‌اس‌دی اکسترنال سیگیت STJD500400

Samsung VS سی‌گیت

ویژگی	سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت	اس‌اس‌دی اکسترنال سیگیت STJD500400
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	۳.۲ Gen ۱ (۳.۱ Gen ۱)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	۵۰۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 4-bit MLC	-
کنترلر (Controller)	Samsung MJX	-
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	96,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	89,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	1GB LPDDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
اندازه و ابعاد	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر	2.5" (۵۵.۵ * ۱۰ * ۷۵ میلی‌متر)
وزن محصول	62 گرم	۶۵ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
رنگ‌بندی	-	مشکی
مواد بدنه	-	Plastic

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایتبا اس‌اس‌دی اکسترنال ورباتیم Pocket 1 ترابایت | USB 3.2 Gen 2 | مشکی/خاکستری

Samsung VS ورباتیم

ویژگی	سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت	اس‌اس‌دی اکسترنال ورباتیم Pocket 1 ترابایت \| USB 3.2 Gen 2 \| مشکی/خاکستری
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	No
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 4-bit MLC	-
کنترلر (Controller)	Samsung MJX	-
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	۱۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	۱۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	96,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	89,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	1GB LPDDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	تا۱۰ تا ۵۹ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	No
اندازه و ابعاد	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر	M.2 (۴۵.۱ * ۹۶.۱ * ۱۰ میلی‌متر)
وزن محصول	62 گرم	۵۸ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
رنگ‌بندی	-	Black, Grey
مواد بدنه	-	Polycarbonate (PC)

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایتبا اس‌اس‌دی اکسترنال سامسونگ MU-PG1T0B 1TB

Samsung VS سامسونگ

ویژگی	سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت	اس‌اس‌دی اکسترنال سامسونگ MU-PG1T0B 1TB
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 4-bit MLC	-
کنترلر (Controller)	Samsung MJX	-
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	۲۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	۱۹۵۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	96,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	89,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	1GB LPDDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	Yes
اندازه و ابعاد	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر	۸۸ * ۱۴ * ۶۰ میلی‌متر
وزن محصول	62 گرم	۱۲۲ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
رنگ‌بندی	-	مشکی
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایتبا حافظه SSD اکسترنال سامسونگ T5

Samsung VS سامسونگ

ویژگی	سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت	حافظه SSD اکسترنال سامسونگ T5
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 4-bit MLC	-
کنترلر (Controller)	Samsung MJX	-
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	96,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	89,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	1GB LPDDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	۲۵۶-bit AES
اندازه و ابعاد	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر	۷۳.۹ * ۵۷.۴ * ۱۰.۴ میلی‌متر
وزن محصول	62 گرم	۲۸.۳۵ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
رنگ‌بندی	-	مشکی
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی امن iStorage diskAshur² 256 گیگابایت آبی - رمزگذاری AES 256 بیتی، محافظت با پین، مقاوم در برابر آب و گرد و غباربا سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

آی‌استوریج VS Samsung

ویژگی	اس‌اس‌دی امن iStorage diskAshur² 256 گیگابایت آبی - رمزگذاری AES 256 بیتی، محافظت با پین، مقاوم در برابر آب و گرد و غبار	سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت
اندازه و ابعاد	2.5" (۸۴ * ۱۹ * ۱۲۴ میلی‌متر)	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
رنگ‌بندی	آبی	-
وزن محصول	۱۸۰ گرم	62 گرم
میزان ظرفیت حافظه	۲۵۶ گیگابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	۳۶۲ مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۳۵۸ مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
پورت اتصال حافظه	۳.۲ Gen ۱ (۳.۱ Gen ۱)	SATA
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
مواد بدنه	Rubber, Silicone	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	BIS, C-TICK, CE, Federal Communications Commission (FCC), REACH, RoHS, Trade Agreements Act (TAA), UKCA, WEEE	-
فناوری رمزنگاری	۲۵۶-bit AES-XTS	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2.5 اینچ
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 4-bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung MJX
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	96,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	89,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	1GB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی اکسترنال قابل حمل سامسونگ T7 Touch 2 ترابایت مشکی - با امنیت اثر انگشت

Samsung VS سامسونگ

ویژگی	سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت	اس اس دی اکسترنال قابل حمل سامسونگ T7 Touch 2 ترابایت مشکی - با امنیت اثر انگشت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 4-bit MLC	-
کنترلر (Controller)	Samsung MJX	-
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	۱۰۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	۱۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	96,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	89,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	1GB LPDDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	۲۵۶-bit AES
اندازه و ابعاد	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر	۸۵ * ۸ * ۵۷ میلی‌متر
وزن محصول	62 گرم	۵۸ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
مواد بدنه	-	Aluminium
رنگ‌بندی	-	مشکی
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی امن iStorage diskAshur M² 500 گیگابایت - FIPS 140-3 L3، مستقل از سیستم‌عاملبا سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

آی‌استوریج VS Samsung

ویژگی	اس‌اس‌دی امن iStorage diskAshur M² 500 گیگابایت - FIPS 140-3 L3، مستقل از سیستم‌عامل	سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت
اندازه و ابعاد	M.2 (۴۵ * ۱۲ * ۱۱۱ میلی‌متر)	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
رنگ‌بندی	مشکی	-
وزن محصول	۸۶ گرم	62 گرم
میزان ظرفیت حافظه	۵۰۰ گیگابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	۳۷۰ مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۳۷۰ مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
پورت اتصال حافظه	۳.۲ Gen ۱ (۳.۱ Gen ۱)	SATA
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
مواد بدنه	Zinc	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	C-TICK, CE, Federal Communications Commission (FCC), REACH, RoHS, Trade Agreements Act (TAA), UKCA, WEEE	-
فناوری رمزنگاری	۲۵۶-bit AES-XTS	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2.5 اینچ
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 4-bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung MJX
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	96,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	89,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	1GB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایتبا حافظه SSD اکسترنال سامسونگ T5

Samsung VS سامسونگ

ویژگی	سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت	حافظه SSD اکسترنال سامسونگ T5
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 4-bit MLC	-
کنترلر (Controller)	Samsung MJX	-
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	96,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	89,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	1GB LPDDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	۲۵۶-bit AES
اندازه و ابعاد	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر	۷۳.۹ * ۵۷.۴ * ۱۰.۴ میلی‌متر
وزن محصول	62 گرم	۲۸.۳۵ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
رنگ‌بندی	-	مشکی
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه حافظه SSD اکسترنال امن iStorage diskAshur² 4 ترابایت مشکیبا سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

آی‌استوریج VS Samsung

ویژگی	حافظه SSD اکسترنال امن iStorage diskAshur² 4 ترابایت مشکی	سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت
اندازه و ابعاد	2.5" (۸۴ * ۱۹ * ۱۲۴ میلی‌متر)	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
رنگ‌بندی	مشکی	-
وزن محصول	۱۸۰ گرم	62 گرم
میزان ظرفیت حافظه	۴ ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	۳۶۲ مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۳۵۸ مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
پورت اتصال حافظه	۳.۲ Gen ۱ (۳.۱ Gen ۱)	SATA
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
مواد بدنه	Rubber, Silicone	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	Federal Communications Commission (FCC), CE, WEEE, C-TICK, RoHS, REACH, Trade Agreements Act (TAA)	-
فناوری رمزنگاری	۲۵۶-bit AES-XTS	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2.5 اینچ
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 4-bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung MJX
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	96,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	89,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	1GB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه