1. مقایسه
  2. مقایسه کالای دیجیتال
  3. مقایسه کامپیوتر و لوازم جانبی
  4. مقایسه تجهیزات ذخیره‌سازی اطلاعات
  5. مقایسه حافظه SSD
  6. مقایسه SSD اینترنال
  7. صفحه 5

صفحه 5 از مقایسه حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO
VS
مقایسه ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

مقایسه ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

msi VS سامسونگ
ویژگی

ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 500 MB ۵۰۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND -
کنترلر (Controller) PHISON E19T -
نرخ خواندن ترتیبی 3600 مگابایت بر ثانیه ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2300 مگابایت بر ثانیه ۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 300,000IOPS ۹۷۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 550,000IOPS ۸۹۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW) ۱۵۰
میزان توان مصرفی حداکثر 3.4 وات هنگام استفاده ** 40 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
اندازه و ابعاد 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر M.2 (۸۰.۳ * ۱۵.۲ * ۲۲.۱ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - ۲۵۶-bit AES
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V
وزن محصول - ۱۲۷ گرم
رنگ‌بندی - Green
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO
VS
مقایسه حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

مقایسه حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVOبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

سامسونگ VS سامسونگ
ویژگی

حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

فناوری رمزنگاری ۲۵۶-bit AES Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۵۰۰ گیگابایت ۲۵۰ گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۹۷۰۰۰ IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۸۹۰۰۰ IOPS -
طول عمر متوسط ۱۵۰ ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۵ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۳ * ۱۵.۲ * ۲۲.۱ میلی‌متر) M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول ۱۲۷ گرم ۸ گرم
رنگ‌بندی Green -
پورت اتصال حافظه Serial ATA III Serial ATA III
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
مشخصات حافظه فلش (Flash) - V-NAND MLC
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO
VS
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 1 ترابایتبا حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

کینگستون VS سامسونگ
ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 1 ترابایت

حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت ۵۰۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC -
نرخ خواندن ترتیبی ۱۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۱۰۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۲۲۰۰۰۰۰ IOPS ۹۷۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۲۱۵۰۰۰۰ IOPS ۸۹۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت ۱۵۰
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر) M.2 (۸۰.۳ * ۱۵.۲ * ۲۲.۱ میلی‌متر)
وزن محصول ۷.۳ گرم ۱۲۷ گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۵.۰ Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes -
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری - ۲۵۶-bit AES
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V
رنگ‌بندی - Green
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300 {request()->input('language_config')['common']['with']} حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO
VS
مقایسه SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300 {request()->input('language_config')['common']['with']} حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

مقایسه SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300با حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

گیگابایت VS سامسونگ
ویژگی

SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300

حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes -
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ Serial ATA III
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes ۲۵۶-bit AES
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت ۵۰۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND -
نرخ خواندن ترتیبی ۷۳۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۷۰۰ ۱۵۰
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر) M.2 (۸۰.۳ * ۱۵.۲ * ۲۲.۱ میلی‌متر)
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۹۷۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۸۹۰۰۰ IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V
وزن محصول - ۱۲۷ گرم
رنگ‌بندی - Green
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی سازمانی کینگستون 3.84 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe {request()->input('language_config')['common']['with']} حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO
VS
مقایسه اس اس دی سازمانی کینگستون 3.84 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe {request()->input('language_config')['common']['with']} حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

مقایسه اس اس دی سازمانی کینگستون 3.84 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMeبا حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

کینگستون VS سامسونگ
ویژگی

اس اس دی سازمانی کینگستون 3.84 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe

حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

فناوری رمزنگاری Yes ۲۵۶-bit AES
میزان ظرفیت حافظه ۳.۸۴ ترابایت ۵۰۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D eTLC -
نرخ خواندن ترتیبی ۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۸۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۲۷۰۰۰۰۰ IOPS ۹۷۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۳۰۰۰۰۰ IOPS ۸۹۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت ۱۵۰
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد U.2 (۶۹.۸ * ۱۰۰.۵ * ۱۴.۸ میلی‌متر) M.2 (۸۰.۳ * ۱۵.۲ * ۲۲.۱ میلی‌متر)
وزن محصول ۱۴۶.۲ گرم ۱۲۷ گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۵.۰ Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes -
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V
رنگ‌بندی - Green
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300 {request()->input('language_config')['common']['with']} حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO
VS
مقایسه SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300 {request()->input('language_config')['common']['with']} حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

مقایسه SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300با حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

گیگابایت VS سامسونگ
ویژگی

SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300

حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes -
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ Serial ATA III
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes ۲۵۶-bit AES
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت ۵۰۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND -
نرخ خواندن ترتیبی ۷۳۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۷۰۰ ۱۵۰
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر) M.2 (۸۰.۳ * ۱۵.۲ * ۲۲.۱ میلی‌متر)
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۹۷۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۸۹۰۰۰ IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V
وزن محصول - ۱۲۷ گرم
رنگ‌بندی - Green
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO
VS
مقایسه کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

مقایسه کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

کینگ مکس VS سامسونگ
ویژگی

کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB ۵۰۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND -
کنترلر (Controller) Phison PS5012-E12 -
نرخ خواندن ترتیبی 1950 مگابایت بر ثانیه ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1550 مگابایت بر ثانیه ۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 130,000IOPS ۹۷۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 230,000IOPS ۸۹۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت ۵ V
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW) ۱۵۰
میزان توان مصرفی 3.5 وات در حالت فعال -
قابلیت پشتیبانی از NCQ true -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه -
اندازه و ابعاد 22 * 80 میلی‌متر M.2 (۸۰.۳ * ۱۵.۲ * ۲۲.۱ میلی‌متر)
وزن محصول 10 گرم ۱۲۷ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - ۲۵۶-bit AES
رنگ‌بندی - Green
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 4 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO
VS
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 4 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 4 ترابایتبا حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

کینگستون VS سامسونگ
ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 4 ترابایت

حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

میزان ظرفیت حافظه ۴ ترابایت ۵۰۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC -
نرخ خواندن ترتیبی ۱۴۸۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۲۲۰۰۰۰۰ IOPS ۹۷۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۲۲۰۰۰۰۰ IOPS ۸۹۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت ۱۵۰
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر) M.2 (۸۰.۳ * ۱۵.۲ * ۲۲.۱ میلی‌متر)
وزن محصول ۷.۷ گرم ۱۲۷ گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۵.۰ Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes -
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری - ۲۵۶-bit AES
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V
رنگ‌بندی - Green
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO
VS
مقایسه ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

مقایسه ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

msi VS سامسونگ
ویژگی

ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۵۰۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND -
کنترلر (Controller) PHISON E21T -
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4500 مگابایت بر ثانیه ۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 550,000IOPS ۹۷۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 950,000IOPS ۸۹۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) ۱۵۰
میزان توان مصرفی 4.3 وات * حالت استفاده ** 50 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی کدینگ LPDC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها -
اندازه و ابعاد 2.15 × 22 × 80 ميلی‌متر M.2 (۸۰.۳ * ۱۵.۲ * ۲۲.۱ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - ۲۵۶-bit AES
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V
وزن محصول - ۱۲۷ گرم
رنگ‌بندی - Green
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت
VS
مقایسه حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

مقایسه حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVOبا سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

سامسونگ VS Samsung
ویژگی

حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

فناوری رمزنگاری ۲۵۶-bit AES -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۵۰۰ گیگابایت 4 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه 7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۰۰ مگابایت بر ثانیه 6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۹۷۰۰۰ IOPS 1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۸۹۰۰۰ IOPS 1,550,000IOPS
طول عمر متوسط ۱۵۰ 1,500,000 (MTBF) ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۵ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۳ * ۱۵.۲ * ۲۲.۱ میلی‌متر) 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۱۲۷ گرم 9 گرم
رنگ‌بندی Green -
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) - Samsung in-house Controller
حافظه DRAM - true
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO {request()->input('language_config')['common']['with']} توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
VS
مقایسه حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO {request()->input('language_config')['common']['with']} توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

مقایسه حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVOبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سامسونگ VS توین موس
ویژگی

حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

فناوری رمزنگاری ۲۵۶-bit AES -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
میزان ظرفیت حافظه ۵۰۰ گیگابایت 256 MB
نرخ خواندن ترتیبی ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه 2455 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۰۰ مگابایت بر ثانیه 1832 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۹۷۰۰۰ IOPS 260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۸۹۰۰۰ IOPS 270,000IOPS
طول عمر متوسط ۱۵۰ 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1000 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۵ V 3.3 ولت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۳ * ۱۵.۲ * ۲۲.۱ میلی‌متر) -
وزن محصول ۱۲۷ گرم -
رنگ‌بندی Green -
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Micron 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) - SMI
حافظه DRAM - false
قابلیت پشتیبانی از NCQ - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 2000 و بالاتر ** مک نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, cTUVus, RoHS
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال فیلیپس FM24SS120B/00 {request()->input('language_config')['common']['with']} حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال فیلیپس FM24SS120B/00 {request()->input('language_config')['common']['with']} حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

مقایسه اس اس دی اینترنال فیلیپس FM24SS120B/00با حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

فیلیپس VS سامسونگ
ویژگی

اس اس دی اینترنال فیلیپس FM24SS120B/00

حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

میزان ظرفیت حافظه ۲۴۰ گیگابایت ۵۰۰ گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی ۴۵۰ مگابایت بر ثانیه ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۳۶۰ مگابایت بر ثانیه ۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۵ V ۵ V
اندازه و ابعاد 2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۷۰ میلی‌متر) M.2 (۸۰.۳ * ۱۵.۲ * ۲۲.۱ میلی‌متر)
وزن محصول ۳۸.۲ گرم ۱۲۷ گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III Serial ATA III
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری - ۲۵۶-bit AES
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۹۷۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۸۹۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط - ۱۵۰
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
رنگ‌بندی - Green
مشاهده جزئیات مقایسه