صفحه 4 از مقایسه حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

$مقایسه ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO$

مقایسه ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

msi VS سامسونگ

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen5x4 / NVMe 2.0	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	۵۰۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	-
کنترلر (Controller)	PHISON E26	-
نرخ خواندن ترتیبی	10000 مگابایت بر ثانیه	۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	10000 مگابایت بر ثانیه	۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	1,400,000IOPS	۹۷۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	1,500,000IOPS	۸۹۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	DDR4 با 4 گیگابایت حافظه کش	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)	۱۵۰
میزان توان مصرفی	حداکثر 11 وات هنگام استفاده	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	-
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک	M.2 (۸۰.۳ * ۱۵.۲ * ۲۲.۱ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	۲۵۶-bit AES
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۵ V
وزن محصول	-	۱۲۷ گرم
رنگ‌بندی	-	Green

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1L68661 {request()->input('language_config')['common']['with']} حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO$

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1L68661با حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

لنوو VS سامسونگ

ویژگی	اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1L68661	حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO
میزان ظرفیت حافظه	۵۱۲ گیگابایت	۵۰۰ گیگابایت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۸۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۲.۳۸ میلی‌متر)	M.2 (۸۰.۳ * ۱۵.۲ * ۲۲.۱ میلی‌متر)
وزن محصول	۶.۵ گرم	۱۲۷ گرم
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	-	۲۵۶-bit AES
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
نرخ خواندن ترتیبی	-	۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۹۷۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۸۹۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	-	۱۵۰
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۵ V
رنگ‌بندی	-	Green

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت$

مقایسه حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVOبا سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ VS Samsung

ویژگی	حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO	سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
فناوری رمزنگاری	۲۵۶-bit AES	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
میزان ظرفیت حافظه	۵۰۰ گیگابایت	512 MB
نرخ خواندن ترتیبی	۵۴۰ مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۰۰ مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۹۷۰۰۰ IOPS	800,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۸۹۰۰۰ IOPS	800,000IOPS
طول عمر متوسط	۱۵۰	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۵ V	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	-
اندازه و ابعاد	M.2 (۸۰.۳ * ۱۵.۲ * ۲۲.۱ میلی‌متر)	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۱۲۷ گرم	-
رنگ‌بندی	Green	-
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung TLC V-NAND
کنترلر (Controller)	-	S4LV003
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	LPDDR4
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO$

مقایسه ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

msi VS سامسونگ

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	۵۰۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	-
کنترلر (Controller)	PHISON E18	-
نرخ خواندن ترتیبی	7000 مگابایت بر ثانیه	۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	6800 مگابایت بر ثانیه	۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	650,000IOPS	۹۷۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	700,000IOPS	۸۹۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	2 MB DDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)	۱۵۰
میزان توان مصرفی	حداکثر 8.2 وات هنگام استفاده ** 22 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256bit	۲۵۶-bit AES
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	-
اندازه و ابعاد	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر	M.2 (۸۰.۳ * ۱۵.۲ * ۲۲.۱ میلی‌متر)
وزن محصول	9.7 گرم	۱۲۷ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۵ V
رنگ‌بندی	-	Green

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه ام اس آی SPATIUM M480 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO$

مقایسه ام اس آی SPATIUM M480 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

msi VS سامسونگ

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M480 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	۵۰۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	-
کنترلر (Controller)	PHISON E18	-
نرخ خواندن ترتیبی	7400 مگابایت بر ثانیه	۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	7000 مگابایت بر ثانیه	۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	1000,000IOPS	۹۷۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	1000,000IOPS	۸۹۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	DDR4 با 2 گیگابایت حافظه کش	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)	۱۵۰
میزان توان مصرفی	حداکثر 10.5 وات هنگام استفاده ** 45 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256bit	۲۵۶-bit AES
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	-
اندازه و ابعاد	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر	M.2 (۸۰.۳ * ۱۵.۲ * ۲۲.۱ میلی‌متر)
وزن محصول	9.7 گرم	۱۲۷ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۵ V
رنگ‌بندی	-	Green

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO$

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 2 ترابایتبا حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

کینگستون VS سامسونگ

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 2 ترابایت	حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	۵۰۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D TLC	-
نرخ خواندن ترتیبی	۱۴۷۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۲۲۰۰۰۰۰ IOPS	۹۷۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۲۲۰۰۰۰۰ IOPS	۸۹۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت	۱۵۰
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر)	M.2 (۸۰.۳ * ۱۵.۲ * ۲۲.۱ میلی‌متر)
وزن محصول	۷.۷ گرم	۱۲۷ گرم
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۵.۰	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	-	۲۵۶-bit AES
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۵ V
رنگ‌بندی	-	Green

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828 {request()->input('language_config')['common']['with']} حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO$

مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828با حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

برند نامشخص VS سامسونگ

ویژگی	SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828	حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	-
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	Serial ATA III
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	۵۰۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D NAND	-
نرخ خواندن ترتیبی	۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۶۷۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۱۵۰۰	۱۵۰
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۳.۳ V	۵ V
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۵ میلی‌متر)	M.2 (۸۰.۳ * ۱۵.۲ * ۲۲.۱ میلی‌متر)
وزن محصول	۷.۵ گرم	۱۲۷ گرم
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS	-
فناوری رمزنگاری	-	۲۵۶-bit AES
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۹۷۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۸۹۰۰۰ IOPS
رنگ‌بندی	-	Green

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO$

مقایسه SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 2 ترابایتبا حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

کینگستون VS سامسونگ

ویژگی	SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 2 ترابایت	حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	۵۰۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D NAND	-
نرخ خواندن ترتیبی	۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۶۴۰	۱۵۰
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2230 (22 x 30 mm) (۳۰ * ۲۲ * ۲.۳ میلی‌متر)	M.2 (۸۰.۳ * ۱۵.۲ * ۲۲.۱ میلی‌متر)
وزن محصول	۲.۸ گرم	۱۲۷ گرم
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	-	۲۵۶-bit AES
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۹۷۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۸۹۰۰۰ IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۵ V
رنگ‌بندی	-	Green

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس اس دی اینترنال DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-V {request()->input('language_config')['common']['with']} حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO$

مقایسه اس اس دی اینترنال DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-Vبا حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

دِل VS سامسونگ

ویژگی	اس اس دی اینترنال DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-V	حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO
میزان ظرفیت حافظه	۹۶۰ گیگابایت	۵۰۰ گیگابایت
اندازه و ابعاد	۲.۵"	M.2 (۸۰.۳ * ۱۵.۲ * ۲۲.۱ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه	SAS	Serial ATA III
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	-	۲۵۶-bit AES
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
نرخ خواندن ترتیبی	-	۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۹۷۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۸۹۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	-	۱۵۰
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۵ V
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
وزن محصول	-	۱۲۷ گرم
رنگ‌بندی	-	Green

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه SSD اینترنال پری دیتور مدل GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO$

مقایسه SSD اینترنال پری دیتور مدل GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 ظرفیت 2 ترابایتبا حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

پردیتور VS سامسونگ

ویژگی	SSD اینترنال پری دیتور مدل GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 ظرفیت 2 ترابایت	حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	-
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	Serial ATA III
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	۵۰۰ گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	۷۲۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۶۳۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۹۲۵۰۰۰ IOPS	۹۷۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۹۷۴۰۰۰ IOPS	۸۹۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت	۱۵۰
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۲.۲ میلی‌متر)	M.2 (۸۰.۳ * ۱۵.۲ * ۲۲.۱ میلی‌متر)
وزن محصول	۷ گرم	۱۲۷ گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), KCC, RCM, RoHS, VCCI	-
فناوری رمزنگاری	-	۲۵۶-bit AES
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۵ V
رنگ‌بندی	-	Green

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس اس دی اینترنال کینگستون DC600M 1920G ساتا سازمانی 2.5 اینچ (Mixed-Use) {request()->input('language_config')['common']['with']} حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO$

مقایسه اس اس دی اینترنال کینگستون DC600M 1920G ساتا سازمانی 2.5 اینچ (Mixed-Use)با حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

کینگستون VS سامسونگ

ویژگی	اس اس دی اینترنال کینگستون DC600M 1920G ساتا سازمانی 2.5 اینچ (Mixed-Use)	حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO
میزان ظرفیت حافظه	۱.۹۲ ترابایت	۵۰۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D TLC NAND	-
نرخ خواندن ترتیبی	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه	۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه	۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۹۴۰۰۰ IOPS	۹۷۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۷۸۰۰۰ IOPS	۸۹۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	۳۵۰۴	۱۵۰
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰.۱ * ۷ میلی‌متر)	M.2 (۸۰.۳ * ۱۵.۲ * ۲۲.۱ میلی‌متر)
وزن محصول	۶۹ گرم	۱۲۷ گرم
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	Serial ATA III
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	No	۲۵۶-bit AES
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۵ V
رنگ‌بندی	-	Green

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 رمزگذاری خودکار 1 ترابایت iStorage Kanguru Defender SED30 {request()->input('language_config')['common']['with']} حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO$

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 رمزگذاری خودکار 1 ترابایت iStorage Kanguru Defender SED30با حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

آی‌استوریج VS سامسونگ

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 رمزگذاری خودکار 1 ترابایت iStorage Kanguru Defender SED30	حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO
فناوری رمزنگاری	Yes	۲۵۶-bit AES
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	۵۰۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D TLC	-
نرخ خواندن ترتیبی	۷۲۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۶۵۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۱۰۰۰۰۰۰ IOPS	۹۷۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۱۰۰۰۰۰۰ IOPS	۸۹۰۰۰ IOPS
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ میلی‌متر * ۸۰ میلی‌متر)	M.2 (۸۰.۳ * ۱۵.۲ * ۲۲.۱ میلی‌متر)
وزن محصول	۱۴ گرم	۱۲۷ گرم
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
طول عمر متوسط	-	۱۵۰
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۵ V
رنگ‌بندی	-	Green

مشاهده جزئیات مقایسه