صفحه 3 از مقایسه حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه SSD اینترنال HP Z Turbo ظرفیت 512 گیگابایت PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kitبا حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

ویژگی

SSD اینترنال HP Z Turbo ظرفیت 512 گیگابایت PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit

حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

وزن محصول ۳۴.۴ گرم ۱۲۷ گرم
اندازه و ابعاد ۸۲ * ۳۰ * ۱۲ میلی‌متر M.2 (۸۰.۳ * ۱۵.۲ * ۲۲.۱ میلی‌متر)
محتویات جعبه HP Z Turbo ۵۱۲GB PCIe-۴x۴ Z۴/Z۶ SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices -
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری - ۲۵۶-bit AES
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
میزان ظرفیت حافظه - ۵۰۰ گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی - ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - ۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۹۷۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۸۹۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط - ۱۵۰
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
رنگ‌بندی - Green
پورت اتصال حافظه - Serial ATA III

مقایسه حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVOبا

ویژگی

حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

فناوری رمزنگاری ۲۵۶-bit AES
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
میزان ظرفیت حافظه ۵۰۰ گیگابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه 7150 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۰۰ مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۹۷۰۰۰ IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۸۹۰۰۰ IOPS -
طول عمر متوسط ۱۵۰ -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۵ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۳ * ۱۵.۲ * ۲۲.۱ میلی‌متر) M.2 2280
وزن محصول ۱۲۷ گرم -
رنگ‌بندی Green -
پورت اتصال حافظه Serial ATA III M.2 2280
نوع کاربری حافظه اینترنال حافظه فلش NAND
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe Gen 4x4 / PCIe Gen 5x2
شیوه اتصال - NVMe
مشخصات حافظه فلش (Flash) - آخرین حافظه NAND
کنترلر (Controller) - کنترلر با روکش نیکل
سیستم‌عامل‌های سازگار - کامپیوتر شخصی، لپ‌تاپ
قابلیت‌های جانبی - فناوری HMB، Intelligent Turbowrite 2.0
محتویات جعبه - SSD (MZ-V9S1T0B/AM)
طراحی و ابعاد دستگاه - فرم فاکتور M.2 2280
میزان توان مصرفی - کارآمد

مقایسه اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPNبا حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

ویژگی

اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPN

حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

میزان ظرفیت حافظه ۱.۶ ترابایت ۵۰۰ گیگابایت
اندازه و ابعاد ۲.۵" M.2 (۸۰.۳ * ۱۵.۲ * ۲۲.۱ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه SAS Serial ATA III
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes ۲۵۶-bit AES
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
نرخ خواندن ترتیبی - ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - ۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۹۷۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۸۹۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط - ۱۵۰
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
وزن محصول - ۱۲۷ گرم
رنگ‌بندی - Green

مقایسه حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVOبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVO

ویژگی

حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVO

فناوری رمزنگاری ۲۵۶-bit AES Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۵۰۰ گیگابایت ۱ ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه ۳۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۰۰ مگابایت بر ثانیه ۲۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۹۷۰۰۰ IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۸۹۰۰۰ IOPS -
طول عمر متوسط ۱۵۰ ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۵ V ۳.۳ V
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۳ * ۱۵.۲ * ۲۲.۱ میلی‌متر) M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول ۱۲۷ گرم ۸ گرم
رنگ‌بندی Green مشکی
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCI Express ۳.۰
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - Yes
مشخصات حافظه فلش (Flash) - V-NAND MLC
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVOبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

ویژگی

حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

فناوری رمزنگاری ۲۵۶-bit AES Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۵۰۰ گیگابایت ۲۵۰ گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۹۷۰۰۰ IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۸۹۰۰۰ IOPS -
طول عمر متوسط ۱۵۰ ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۵ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۳ * ۱۵.۲ * ۲۲.۱ میلی‌متر) M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول ۱۲۷ گرم ۸ گرم
رنگ‌بندی Green -
پورت اتصال حافظه Serial ATA III Serial ATA III
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
مشخصات حافظه فلش (Flash) - V-NAND MLC

مقایسه اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910Gبا حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

ویژگی

اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910G

حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

فناوری رمزنگاری Yes ۲۵۶-bit AES
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت ۵۰۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND -
نرخ خواندن ترتیبی ۵۲۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۸۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۵۶۰۰۰۰ IOPS ۹۷۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۶۱۵۰۰۰ IOPS ۸۹۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۱۴۰۰ ۱۵۰
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۸ میلی‌متر) M.2 (۸۰.۳ * ۱۵.۲ * ۲۲.۱ میلی‌متر)
وزن محصول ۱۰ گرم ۱۲۷ گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes -
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
مجوزها و تاییدیه‌ها UKCA, Federal Communications Commission (FCC), CE -
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
رنگ‌بندی - Green

مقایسه SSD اینترنال لنوو مدل 00XK702با حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

ویژگی

SSD اینترنال لنوو مدل 00XK702

حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

میزان ظرفیت حافظه ۱۲۸ گیگابایت ۵۰۰ گیگابایت
اندازه و ابعاد 2.5" (ضخامت ۷ میلی‌متر) M.2 (۸۰.۳ * ۱۵.۲ * ۲۲.۱ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه Serial ATA III Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No -
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری - ۲۵۶-bit AES
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
نرخ خواندن ترتیبی - ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - ۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۹۷۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۸۹۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط - ۱۵۰
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
وزن محصول - ۱۲۷ گرم
رنگ‌بندی - Green

مقایسه SSD اینترنال لنوو مدل 00KT015با حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

ویژگی

SSD اینترنال لنوو مدل 00KT015

حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

میزان ظرفیت حافظه ۱۲۸ گیگابایت ۵۰۰ گیگابایت
اندازه و ابعاد 2.5" (ضخامت ۷ میلی‌متر) M.2 (۸۰.۳ * ۱۵.۲ * ۲۲.۱ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه Serial ATA III Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No -
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری - ۲۵۶-bit AES
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
نرخ خواندن ترتیبی - ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - ۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۹۷۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۸۹۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط - ۱۵۰
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
وزن محصول - ۱۲۷ گرم
رنگ‌بندی - Green

مقایسه حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVOبا SSD اینترنال سیگیت مدل BarraCuda Q1

ویژگی

حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

SSD اینترنال سیگیت مدل BarraCuda Q1

فناوری رمزنگاری ۲۵۶-bit AES -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۵۰۰ گیگابایت ۹۶۰ گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۹۷۰۰۰ IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۸۹۰۰۰ IOPS -
طول عمر متوسط ۱۵۰ ۱۸۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۵ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۳ * ۱۵.۲ * ۲۲.۱ میلی‌متر) 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۷.۱ میلی‌متر)
وزن محصول ۱۲۷ گرم ۴۰ گرم
رنگ‌بندی Green -
پورت اتصال حافظه Serial ATA III Serial ATA III
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
مشخصات حافظه فلش (Flash) - QLC ۳D NAND
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kitبا حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

ویژگی

اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit

حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت ۵۰۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC -
اندازه و ابعاد PCI Express (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳۸ میلی‌متر) M.2 (۸۰.۳ * ۱۵.۲ * ۲۲.۱ میلی‌متر)
وزن محصول ۹ گرم ۱۲۷ گرم
محتویات جعبه HP ZTurbo ۱TB ۲۲۸۰ PCIe-۴x۴ TLC M.۲ SSD; Heatsink; Install guide; Product Notices; Warranty Card -
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری - ۲۵۶-bit AES
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
نرخ خواندن ترتیبی - ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - ۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۹۷۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۸۹۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط - ۱۵۰
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
رنگ‌بندی - Green
پورت اتصال حافظه - Serial ATA III

مقایسه اس اس دی سازمانی کینگستون 7.68 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMeبا حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

ویژگی

اس اس دی سازمانی کینگستون 7.68 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe

حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

فناوری رمزنگاری Yes ۲۵۶-bit AES
میزان ظرفیت حافظه ۷.۶۸ ترابایت ۵۰۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D eTLC -
نرخ خواندن ترتیبی ۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۰۰۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۲۸۰۰۰۰۰ IOPS ۹۷۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۵۰۰۰۰۰ IOPS ۸۹۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت ۱۵۰
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد U.2 (۶۹.۸ * ۱۰۰.۵ * ۱۴.۸ میلی‌متر) M.2 (۸۰.۳ * ۱۵.۲ * ۲۲.۱ میلی‌متر)
وزن محصول ۱۵۱.۳ گرم ۱۲۷ گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۵.۰ Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes -
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V
رنگ‌بندی - Green

مقایسه حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVOبا اس اس دی اینترنال ای دیتا XPG GAMMIX S60

ویژگی

حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

اس اس دی اینترنال ای دیتا XPG GAMMIX S60

فناوری رمزنگاری ۲۵۶-bit AES Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
میزان ظرفیت حافظه ۵۰۰ گیگابایت ۱ ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۰۰ مگابایت بر ثانیه ۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۹۷۰۰۰ IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۸۹۰۰۰ IOPS -
طول عمر متوسط ۱۵۰ ۲۵۰
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۵ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۳ * ۱۵.۲ * ۲۲.۱ میلی‌متر) 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۱۳ میلی‌متر)
وزن محصول ۱۲۷ گرم ۸ گرم
رنگ‌بندی Green -
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCI Express ۴.۰
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - Yes
مشخصات حافظه فلش (Flash) - ۳D NAND