صفحه 2 از مقایسه حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI818با حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

برند نامشخص VS سامسونگ
ویژگی

اس اس دی اینترنال AGI Technology AI818

حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes -
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ Serial ATA III
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت ۵۰۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND -
نرخ خواندن ترتیبی ۵۲۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۷۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۲۰۰ ۱۵۰
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V ۵ V
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۱ میلی‌متر) M.2 (۸۰.۳ * ۱۵.۲ * ۲۲.۱ میلی‌متر)
وزن محصول ۷.۵ گرم ۱۲۷ گرم
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS -
فناوری رمزنگاری - ۲۵۶-bit AES
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۹۷۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۸۹۰۰۰ IOPS
رنگ‌بندی - Green

مقایسه حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVOبا SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120

ویژگی

حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120

فناوری رمزنگاری ۲۵۶-bit AES -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۵۰۰ گیگابایت ۱ ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۹۷۰۰۰ IOPS ۱۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۸۹۰۰۰ IOPS ۹۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۱۵۰ ۱۴۰۰
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۵ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۳ * ۱۵.۲ * ۲۲.۱ میلی‌متر) 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۳ * ۷.۱ میلی‌متر)
وزن محصول ۱۲۷ گرم ۵۰ گرم
رنگ‌بندی Green -
پورت اتصال حافظه Serial ATA III Serial ATA III
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
مشخصات حافظه فلش (Flash) - ۳D TLC
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - No
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVOبا اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

ویژگی

حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

فناوری رمزنگاری ۲۵۶-bit AES Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۵۰۰ گیگابایت ۴ ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۹۷۰۰۰ IOPS ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۸۹۰۰۰ IOPS ۸۸۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۱۵۰ ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۵ V ۵ V
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۳ * ۱۵.۲ * ۲۲.۱ میلی‌متر) 2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول ۱۲۷ گرم ۴۶ گرم
رنگ‌بندی Green -
پورت اتصال حافظه Serial ATA III Serial ATA III
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
مشخصات حافظه فلش (Flash) - V-NAND MLC

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A87526با حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

ویژگی

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A87526

حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

میزان ظرفیت حافظه ۱.۹۲ ترابایت ۵۰۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND TLC -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۹۷۰۰۰ IOPS ۹۷۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۳۱۰۰۰ IOPS ۸۹۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت ۱۵۰
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر) M.2 (۸۰.۳ * ۱۵.۲ * ۲۲.۱ میلی‌متر)
وزن محصول ۷۰ گرم ۱۲۷ گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III Serial ATA III
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes ۲۵۶-bit AES
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
نرخ خواندن ترتیبی - ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - ۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V
رنگ‌بندی - Green

مقایسه حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVOبا اس اس دی اینترنال سامسونگ PM981 NVMe

ویژگی

حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

اس اس دی اینترنال سامسونگ PM981 NVMe

فناوری رمزنگاری ۲۵۶-bit AES -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
میزان ظرفیت حافظه ۵۰۰ گیگابایت ۱ ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه ۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۰۰ مگابایت بر ثانیه ۲۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۹۷۰۰۰ IOPS ۳۸۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۸۹۰۰۰ IOPS ۴۴۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۱۵۰ -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۵ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۳ * ۱۵.۲ * ۲۲.۱ میلی‌متر) M.۲
وزن محصول ۱۲۷ گرم ۹ گرم
رنگ‌بندی Green Black, Green
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCI Express ۳.۰
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
مشخصات حافظه فلش (Flash) - TLC
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - Yes

مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828با حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

برند نامشخص VS سامسونگ
ویژگی

SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828

حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes -
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ Serial ATA III
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت ۵۰۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND -
نرخ خواندن ترتیبی ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۷۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰ ۱۵۰
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V ۵ V
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۵ میلی‌متر) M.2 (۸۰.۳ * ۱۵.۲ * ۲۲.۱ میلی‌متر)
وزن محصول ۷.۵ گرم ۱۲۷ گرم
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS -
فناوری رمزنگاری - ۲۵۶-bit AES
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۹۷۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۸۹۰۰۰ IOPS
رنگ‌بندی - Green

مقایسه حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVOبا اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000

ویژگی

حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000

فناوری رمزنگاری ۲۵۶-bit AES -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
میزان ظرفیت حافظه ۵۰۰ گیگابایت ۱.۹۲ ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۰۰ مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۹۷۰۰۰ IOPS ۲۴۵۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۸۹۰۰۰ IOPS ۲۸۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۱۵۰ ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۵ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۳ * ۱۵.۲ * ۲۲.۱ میلی‌متر) M.2 (۲۲ * ۱۱۰ * ۲ میلی‌متر)
وزن محصول ۱۲۷ گرم ۱۴ گرم
رنگ‌بندی Green Black, Green
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCI Express ۳.۰
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - Yes
مشخصات حافظه فلش (Flash) - ۳D cMLC

مقایسه حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVOبا اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S

ویژگی

حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S

فناوری رمزنگاری ۲۵۶-bit AES -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
میزان ظرفیت حافظه ۵۰۰ گیگابایت ۱۵ ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۰۰ مگابایت بر ثانیه ۷۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۹۷۰۰۰ IOPS ۱۷۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۸۹۰۰۰ IOPS ۱۹۵۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۱۵۰ ۲۵۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۵ V ۱۲ V
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۳ * ۱۵.۲ * ۲۲.۱ میلی‌متر) 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۱۴.۹ میلی‌متر)
وزن محصول ۱۲۷ گرم ۲۰۵ گرم
رنگ‌بندی Green -
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCI Express ۴.۰
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
مشخصات حافظه فلش (Flash) - ۳D eTLC
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - Yes

مقایسه اس اس دی اینترنال کینگستون NV1 M.2 NVMeبا حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

ویژگی

اس اس دی اینترنال کینگستون NV1 M.2 NVMe

حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت ۵۰۰ گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی ۲۱۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۷۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۴۸۰ ۱۵۰
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد M.2 (۲۲ * ۸۰ * ۲.۱ میلی‌متر) M.2 (۸۰.۳ * ۱۵.۲ * ۲۲.۱ میلی‌متر)
وزن محصول ۷ گرم ۱۲۷ گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۳.۰ Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes -
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, RoHS -
فناوری رمزنگاری - ۲۵۶-bit AES
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۹۷۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۸۹۰۰۰ IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V
رنگ‌بندی - Green

مقایسه اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BBCZبا حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

ویژگی

اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BBCZ

حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

میزان ظرفیت حافظه ۳.۸۴ ترابایت ۵۰۰ گیگابایت
اندازه و ابعاد ۲.۵" M.2 (۸۰.۳ * ۱۵.۲ * ۲۲.۱ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه Serial ATA III Serial ATA III
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری No ۲۵۶-bit AES
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
نرخ خواندن ترتیبی - ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - ۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۹۷۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۸۹۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط - ۱۵۰
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
وزن محصول - ۱۲۷ گرم
رنگ‌بندی - Green

مقایسه با حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

ویژگی

حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه M.2 Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی NVMe PCIe Gen4 x4 -
شیوه اتصال PCIe Gen4 NVMe -
نرخ خواندن ترتیبی تا 7,100 مگابایت بر ثانیه ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی تا 6,000 مگابایت بر ثانیه ۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron G8 NAND -
سیستم‌عامل‌های سازگار Windows، لپ‌تاپ‌ها، دسک‌تاپ‌ها، کنسول‌های بازی دستی منتخب (ROG Ally X، Lenovo Legion Go، AYANEO Kun) -
قابلیت‌های جانبی نرم‌افزار بازیابی اطلاعات Acronis، کنترل حرارتی -
اندازه و ابعاد M.2 2280 M.2 (۸۰.۳ * ۱۵.۲ * ۲۲.۱ میلی‌متر)
محتویات جعبه مجوز/کلید نرم‌افزار بازیابی اطلاعات Acronis -
طراحی و ابعاد دستگاه فرم فاکتور M.2 2280 -
فناوری رمزنگاری - ۲۵۶-bit AES
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
میزان ظرفیت حافظه - ۵۰۰ گیگابایت
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۹۷۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۸۹۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط - ۱۵۰
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
وزن محصول - ۱۲۷ گرم
رنگ‌بندی - Green

مقایسه با حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

ویژگی

حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

نوع کاربری حافظه درایو حالت جامد داخلی اینترنال
پورت اتصال حافظه M.2 2280 Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی NVMe Gen3x4 -
شیوه اتصال NVMe Gen3x4 -
میزان ظرفیت حافظه 512 گیگابایت ۵۰۰ گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی تا 2400 مگابایت بر ثانیه ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
مشخصات حافظه فلش (Flash) حافظه فلش سه‌بعدی NAND (TLC/QLC) -
کنترلر (Controller) کنترلر اصلی با کیفیت بالا -
قابلیت پشتیبانی از TRIM بله true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T بله true
سیستم‌عامل‌های سازگار Windows 7-10، RHEL، CentOS، Linux، Ubuntu -
قابلیت‌های جانبی تسطیح فرسودگی، LDPC ECC، حفاظت داده سرتاسری -
اندازه و ابعاد M.2 2280 M.2 (۸۰.۳ * ۱۵.۲ * ۲۲.۱ میلی‌متر)
محتویات جعبه SSD، مستندات -
طراحی و ابعاد دستگاه فرم فاکتور M.2 2280 -
فناوری رمزنگاری - ۲۵۶-bit AES
نرخ نوشتن ترتیبی - ۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۹۷۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۸۹۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط - ۱۵۰
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
وزن محصول - ۱۲۷ گرم
رنگ‌بندی - Green