صفحه 6 از مقایسه حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

در این صفحه 8 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVOبا اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883

ویژگی

حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883

فناوری رمزنگاری ۲۵۶-bit AES -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
میزان ظرفیت حافظه ۵۰۰ گیگابایت ۳.۸۴ ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۹۷۰۰۰ IOPS ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۸۹۰۰۰ IOPS ۳۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۱۵۰ -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۵ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۳ * ۱۵.۲ * ۲۲.۱ میلی‌متر) ۲.۵"
وزن محصول ۱۲۷ گرم ۵۸ گرم
رنگ‌بندی Green مشکی
پورت اتصال حافظه Serial ATA III Serial ATA III
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال

مقایسه SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 1 ترابایتبا حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

ویژگی

SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 1 ترابایت

حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت ۵۰۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND -
نرخ خواندن ترتیبی ۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۳۲۰ ۱۵۰
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2230 (22 x 30 mm) (۳۰ * ۲۲ * ۲.۳ میلی‌متر) M.2 (۸۰.۳ * ۱۵.۲ * ۲۲.۱ میلی‌متر)
وزن محصول ۲.۸ گرم ۱۲۷ گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes -
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری - ۲۵۶-bit AES
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۹۷۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۸۹۰۰۰ IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V
رنگ‌بندی - Green

مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

ویژگی

گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 128 MB ۵۰۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) NAND Flash -
نرخ خواندن ترتیبی 1100 مگابایت بر ثانیه ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1700 مگابایت بر ثانیه ۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 250,000IOPS ۹۷۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS ۸۹۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی 2.6 وات * حالت خواندن ** 2.4 وات * حالت نوشتن ** 1.9 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از HMB (Host Memory Buffer) ** نرم‌افزار SSD Tool box -
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر M.2 (۸۰.۳ * ۱۵.۲ * ۲۲.۱ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - ۲۵۶-bit AES
طول عمر متوسط - ۱۵۰
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V
وزن محصول - ۱۲۷ گرم
رنگ‌بندی - Green

مقایسه اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kitبا حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

ویژگی

اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit

حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

وزن محصول ۱۶۴ گرم ۱۲۷ گرم
اندازه و ابعاد ۸۲ * ۳۰ * ۱۲ میلی‌متر M.2 (۸۰.۳ * ۱۵.۲ * ۲۲.۱ میلی‌متر)
محتویات جعبه Z Turbo ۴TB ۲۲۸۰ PCIe-۴x۴ SED OPAL۲ TLC M.۲ Z۴/Z۶ Kit SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices -
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری - ۲۵۶-bit AES
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
میزان ظرفیت حافظه - ۵۰۰ گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی - ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - ۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۹۷۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۸۹۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط - ۱۵۰
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
رنگ‌بندی - Green
پورت اتصال حافظه - Serial ATA III

مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

ویژگی

گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 256 MB ۵۰۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) NAND Flash -
نرخ خواندن ترتیبی 1700 مگابایت بر ثانیه ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1100 مگابایت بر ثانیه ۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS ۹۷۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 250,000IOPS ۸۹۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت ۱۵۰
میزان توان مصرفی 2.6 وات * حالت خواندن ** 2.4 وات * حالت نوشتن ** 1.9 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از HMB (Host Memory Buffer) ** نرم‌افزار SSD Tool box -
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر M.2 (۸۰.۳ * ۱۵.۲ * ۲۲.۱ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - ۲۵۶-bit AES
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V
وزن محصول - ۱۲۷ گرم
رنگ‌بندی - Green

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2230 کینگستون NV3 500 گیگابایتبا حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2230 کینگستون NV3 500 گیگابایت

حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

میزان ظرفیت حافظه ۵۰۰ گیگابایت ۵۰۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND -
نرخ خواندن ترتیبی ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۳۰۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۶۰ ۱۵۰
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2230 (22 x 30 mm) (۳۰ * ۲۲ * ۲.۳ میلی‌متر) M.2 (۸۰.۳ * ۱۵.۲ * ۲۲.۱ میلی‌متر)
وزن محصول ۲.۶ گرم ۱۲۷ گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes -
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری - ۲۵۶-bit AES
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۹۷۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۸۹۰۰۰ IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V
رنگ‌بندی - Green

مقایسه حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVOبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

ویژگی

حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

فناوری رمزنگاری ۲۵۶-bit AES Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۵۰۰ گیگابایت ۱ ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۰۰ مگابایت بر ثانیه ۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۹۷۰۰۰ IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۸۹۰۰۰ IOPS -
طول عمر متوسط ۱۵۰ ۶۰۰
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۵ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۳ * ۱۵.۲ * ۲۲.۱ میلی‌متر) ۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm)
وزن محصول ۱۲۷ گرم -
رنگ‌بندی Green -
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCI Express ۴.۰
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - Yes
مشخصات حافظه فلش (Flash) - V-NAND TLC
مجوزها و تاییدیه‌ها - Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA

مقایسه حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVOبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

ویژگی

حافظه SSD اینترنال سامسونگ 850 EVO

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

فناوری رمزنگاری ۲۵۶-bit AES Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۵۰۰ گیگابایت ۲۵۰ گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۹۷۰۰۰ IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۸۹۰۰۰ IOPS -
طول عمر متوسط ۱۵۰ ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۵ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۳ * ۱۵.۲ * ۲۲.۱ میلی‌متر) M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول ۱۲۷ گرم ۸ گرم
رنگ‌بندی Green -
پورت اتصال حافظه Serial ATA III Serial ATA III
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
مشخصات حافظه فلش (Flash) - V-NAND MLC