صفحه 4 از مقایسه سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی	سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	Samsung 48-Layer MLC V-NAND
کنترلر (Controller)	Samsung MHX	Samsung Polaris
نرخ خواندن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	2100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	98,000IOPS	330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	330,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	2GBLPDDR3	512MB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	3.1 وات * حالت خواندن ** 3.6 وات * حالت نوشتن ** 70 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	5.1 وات * حالت خواندن ** 4.7 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
اندازه و ابعاد	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	54.4 گرم	8.3 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایتبا سیلیکون پاور Ace A58 SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

Samsung VS سیلیکون پاور

ویژگی	سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت	سیلیکون پاور Ace A58 SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	3D NAND
کنترلر (Controller)	Samsung MHX	-
نرخ خواندن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	460 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	360 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	98,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	2GBLPDDR3	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)	1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی	3.1 وات * حالت خواندن ** 3.6 وات * حالت نوشتن ** 70 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	-
اندازه و ابعاد	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر	7 * 69.9 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	54.4 گرم	63 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم اصلاح خطا (ECC) فناوری Smart Response اینتل ** نرم‌افزار SP Toolbox
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE / FCC / ROHS / BSMI / C-TICK / KC / EAC

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایتبا سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

PNY VS Samsung

ویژگی	پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت	سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	4 ترابایت	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	5600 مگابایت بر ثانیه	540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3900 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	true	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 6800 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز 7 و بالاتر	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار PNY PCIe SSD Toolbox	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS, VCCI, KCC	-
اندازه و ابعاد	4 * 22 * 80 میلی‌متر	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	6.6 گرم	54.4 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Samsung MHX
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	90,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	2GBLPDDR3
میزان توان مصرفی	-	3.1 وات * حالت خواندن ** 3.6 وات * حالت نوشتن ** 70 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا XPG SX900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایتبا سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

ای دیتا VS Samsung

ویژگی	ای دیتا XPG SX900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت	سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	SandForce 2281	Samsung MHX
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	91,000IOPS	90,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,000,000 (MTBF) ساعت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	0.8 وات * حالت فعال ** 0.4 وات * حالت آماده باش	3.1 وات * حالت خواندن ** 3.6 وات * حالت نوشتن ** 70 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز نسخه XP و بالاتر مک لینوکس	-
اندازه و ابعاد	7 * 69.85 * 100.45 میلی‌متر	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	68 گرم	54.4 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	98,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	2GBLPDDR3
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ PM991a NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

Samsung VS Samsung

ویژگی	سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ PM991a NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Samsung MHX	-
نرخ خواندن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	3100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	98,000IOPS	350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	320,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	2GBLPDDR3	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	3.1 وات * حالت خواندن ** 3.6 وات * حالت نوشتن ** 70 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	-
اندازه و ابعاد	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر	-
وزن محصول	54.4 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایتبا سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

Samsung VS Samsung

ویژگی	سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت	سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung 3-bit 2D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	Samsung MGX	Samsung MHX
نرخ خواندن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	97,000IOPS	98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	88,000IOPS	90,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	256MB DDR3	2GBLPDDR3
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	3.7 وات به صورت میانگین ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	3.1 وات * حالت خواندن ** 3.6 وات * حالت نوشتن ** 70 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
اندازه و ابعاد	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	45 گرم	54.4 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایتبا توین موس SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

Samsung VS توین موس

ویژگی	سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت	توین موس SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	Micron 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Samsung MHX	SMI
نرخ خواندن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	580 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	98,000IOPS	76,800IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	74,240IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	2GBLPDDR3	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 125 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	3.1 وات * حالت خواندن ** 3.6 وات * حالت نوشتن ** 70 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	-
اندازه و ابعاد	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	54.4 گرم	10 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز XP و بالاتر مک نسخه 10.1 و بالاتر لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, cTUVus, RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایتبا ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

Samsung VS ترنسند

ویژگی	سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت	ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	3D NAND
کنترلر (Controller)	Samsung MHX	-
نرخ خواندن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	1700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	1400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	98,000IOPS	160,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	250,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	2GBLPDDR3	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	3.1 وات * حالت خواندن ** 3.6 وات * حالت نوشتن ** 70 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	-
اندازه و ابعاد	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر	3.58 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	54.4 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.31 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Transcend SSD Scope
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, BSMI, KC, RCM

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

Samsung VS ام جی

ویژگی	سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Samsung MHX	Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	2600 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	98,000IOPS	450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	400,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	2GBLPDDR3	NANYA DDR3L
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 1,660 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	3.1 وات * حالت خواندن ** 3.6 وات * حالت نوشتن ** 70 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	AES 256-bit, TCG Pyrite
اندازه و ابعاد	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	54.4 گرم	6 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایتبا سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

Samsung VS سیلیکون پاور

ویژگی	سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت	سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	Toshiba BiCS3 64L TLC
کنترلر (Controller)	Samsung MHX	Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	98,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	600,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	2GBLPDDR3	DDR4
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)	1655 (TBW) ترابایت
میزان توان مصرفی	3.1 وات * حالت خواندن ** 3.6 وات * حالت نوشتن ** 70 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	-
اندازه و ابعاد	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	54.4 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 8.1 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایتبا تیم گروپ L3 EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

Samsung VS ام جی

ویژگی	سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت	تیم گروپ L3 EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	240 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	TLC
کنترلر (Controller)	Samsung MHX	-
نرخ خواندن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	470 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	98,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	2GBLPDDR3	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)	1,000,000 ساعت (MTBF) ** 60 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	3.1 وات * حالت خواندن ** 3.6 وات * حالت نوشتن ** 70 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	-
اندازه و ابعاد	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر	7 * 69.9 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	54.4 گرم	115 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 7 و بالاتر مک OS نسخه 10.4 و بالاتر لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 صد و دمای 0 تا 55 جه

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایتبا ترنسند SSD370S SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت

Samsung VS ترنسند

ویژگی	سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت	ترنسند SSD370S SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	MLC NAND
کنترلر (Controller)	Samsung MHX	Transcend TS6500
نرخ خواندن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	98,000IOPS	70,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	70,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	2GBLPDDR3	512 MB DDR3
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 740 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	3.1 وات * حالت خواندن ** 3.6 وات * حالت نوشتن ** 70 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	-
اندازه و ابعاد	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	54.4 گرم	57 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.31 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر لرزش و ضربه الگوریتم اصلاح خطا (ECC) پشتیبانی از DevSlp برای کاهش مصرف انرژی قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Transcend SSD Scope
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, BSMI, KC, RCM

مشاهده جزئیات مقایسه